多项式逼近建模的非线性系统预测控制

针对可以获得有界输入输出数据的非线性系统,提出了一种多项式逼近建模的预测控制算法.将有界输入输出数据的取值域通过拓扑同胚变换到[0,1]范围内,用多项式逼近方法建立非线性系统的多个不同预测步长的预测模型,最小化目标函数求得预测控制律,并通过误差修正去除有可能存在的模型失配对系统的影响,得到了一种非线性系统的预测控制算法.算法中的预测模型直接由多项式逼近建模得到,不必求解Diophantine方程,从而减少了预测控制律的计算量.仿真结果说明算法的正确性和有效性.     

一类拟多项式倒数对振荡衰减型函数的逼近

本文研究了在区间[0,∞)上,一类振荡衰减型函数用形如 B(x)/P~k(x)的拟多项式例数的最佳一致逼近问题,给出了逼近的存在性定理,特征定理和唯一性推论。     

水位流量曲线BP神经网络逼近与多项式拟合对比

介绍了水位流量曲线的反向传播（BP）神经网络逼近方法,使用MATLAB对逼近精度和误差进行分析;介绍了水位流量曲线的多项式拟合方法,并借助OriginPro分析了拟合精度。从拟合原理、拟合精度、适用场合等方面对这2种拟合方法的优劣进行了对比。     

基于准稳态模型的中长期电压稳定轨迹多项式逼近方法

针对电力系统中存在的影响中长期电压稳定性的可变参数,提出了一种基于准稳态模型的中长期电压稳定轨迹的多项式逼近方法,该方法可以利用所得的多项式逼近函数准确地分析系统参数的变化对中长期电压稳定性的影响。多项式逼近作为分析参数对系统状态影响的有效工具,其基本思想是用多项式近似地表示连续函数,文中在此基础上考虑电力系统中长期过程中的连续动态和离散动态,通过传统伽辽金方法构造出能够显式地描述系统变量与参数之间近似关系的多项式逼近式。与传统的线性化方法相比,由于文中所提方法可以描述系统的非线性特征,所以逼近精度有大幅提升,且方法的精度随着所选多项式基函数阶数的增加而提高。Nordic 74节点系统的算例分析结果表明该方法能在中长期电压稳定问题的研究中提供更准确的分析结果。     

基于多项式逼近的单峰谱线插值算法在间谐波分析中的应用

快速傅里叶变换在非同步采样和非整数周期截断的情况下存在较大误差,无法获得较精确的间谐波参数值。现有单峰谱线插值算法可以提高间谐波频率、相位和幅值的计算精度,但修正公式计算复杂,影响检测精度。为此,文章提出了一种基于多项式逼近的单峰谱线插值算法,利用距间谐波频点最近的单根离散频谱幅值估计出待求间谐波的幅值,并利用多项式逼近方法推导出幅值、频率及相位的修正公式,基于该方法,推导了一些常用窗函数的修正公式。通过与现有单峰和双峰谱线插值算法在噪声情况下的仿真比较,证明了该方法易于实现,能有效减小估计偏差,提高数据检测精度。     

一类分数阶滤波器逼近阶次的选择

针对分数阶微积分算子的有理逼近可以取得很好的逼近效果,而逼近阶次的选择对分数阶滤波器的逼近精确度和系统性能有直接的影响的问题,通过合理选择逼近阶次可以使二者之间达到一个最佳综合。在分析Oustaloup算法的基础上,详细研究分数阶滤波器分数阶次与有理逼近阶次之间的关系。通过计算逼近模型与理论模型的幅、相频率特性及其误差来观察逼近阶次n与逼近精确度的关系,并确定最佳逼近阶次。仿真结果与误差分析表明,对于一类分数阶滤波器,当有理逼近阶次大于5时,随着逼近阶次的提高,逼近精确度的改善已经变得很有限。折中考虑逼近精确度与系统性能,可选择5作为最佳逼近阶次。     

关于Prasad—Saxena定理的改进

本文研究了以Legendre多项式Pn(x)的零点为基点的拟Hermite-Fejer插值多项式,所证得的两个定理改进了J,Prasad和R.B.Saxena的一个结果。     

关于Meyer-Konig-Zeller-Kantorovich算子在Orlicz空间中的逼近

本文研究Meyer-Konig-Zeller-Kantorovich算子M_n(f,x)在Orlicz空间L_M中的收敛性、逼近阶、逆定理等问题。     

Orlicz空间中的联合最佳逼近

在L~(p)空间中的联合最佳逼近问题已经有了完善的结果,随着Orlicz空间理论的发展,将这些相应的结果推广到Orlicz空间中去已成为可能和必要,本文继文[1]讨论了Orlicz空间L*M和L*(M)中的联合最佳逼近问题,得到了这种联合最佳逼近的存在性定理和特征化定理,同时还对这种联合最佳逼近在较常用的子空间和凸锥情形到了其特征化定理。本文结果推广了文[1]中相应的结果。     

短期电力负荷预测中的数据处理技术

科学合理进行数据处理是提高短期电力负荷预测精度的最基本环节之一。提出从采集样本数据到预测结果最终生成的数据处理流程;应用盆形曲线的体感温度标准化模型和模式识别96点相似采集样本技术进行采样前的标准化处理和样本选取;基于小波局部奇异性理论提出异常数据辨识与处理技术;利用最小平方误差法对预测曲线进行平滑处理。大量实际负荷数据分析和工程应用结果证明了此数据处理技术的有效性与实用性。     

热处理对La_(0.9)Nd_(0.1)(NiCoMnAl)_5电极性能的影响

研究了热处理对Ｌａ０．９Ｎｄ０．１（ＮｉＣｏＭｎＡｌ）５电极材料结构、成分、脱氢压力－组成等温曲线（ＰＣＴ）、循环寿命的影响。Ｘ射线衍射结果表明热处理降低了评价主相峰的半高宽（ＦＷＨＭ）平均值，即降低了晶格应力。采用ＪＳＭ－８４０能谱分析仪对热处理前后合金成分进行分析，发现热处理使得合金中的Ｌａ、Ｍｎ向晶内扩散，而Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｌ却向晶界偏聚。测定了室温下热处理前后的合金脱氢ＰＣＴ曲线及其电极循环寿命曲线，结果表明热处理使电极放电容量有所降低，同时却又使电极循环寿命有所提高，并且还降低了合金平衡压。     

Initial Stage Nucleation and Growth of Epitaxial SrRuO3 Thin Films on (0 0 1) SrTiO3 Substrates

We have investigated the initial stage nucleation and growth of epitaxial SrRuO₃ thin films grown on both polished (as received) and buffered HF (BHF) etched single crystal (0 0 1) SrTiO₃ substrates by 90° off-axis sputtering. Atomic force microscopy indicates a dramatic difference in the initial stage growth of SrRuO₃ films on the two substrates. The films on polished substrates nucleate as rectangular islands, which merge together to form a continuous film as the thickness increases. Complete coverage is obtained at film thickness of 20 nm. In contrast, the film on BHF etched substrate nucleates as finger-shaped islands at the step sites and continues to grow by adatom diffusion to the step sites. Complete coverage is obtained at a film thickness of 10 nm. This difference in the initial stage nucleation is attributed to the difference in surface morphology and termination layer of the two substrates. However, the thicker films on both as received and BHF etched substrates have identical surface morphologies. Such studies on the initial stage nucleation will also help us understanding the growth kinetics and development of surface morphology and interfaces in multilayered perovskite thin film heterostructures and devices.     

基于数据驱动方法的疫情阶段电力用户负荷特性画像模型

电力用户负荷画像建模是一种面向用户的、通过挖掘用电数据中的负荷特性建立差异化画像标签的重要方法,现有研究方法多侧重于画像方法的研究,而缺乏完善的负荷特性标签体系.文章提出了一种基于数据驱动的负荷特性分析通用方法,从调度部门最关注的用电规律性、平顺度、负荷调控能力以及疫情影响度四方面构建负荷特性标签体系.首先,采用模糊C...     

对Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池结构的一点新看法

用液相外延技术制备p-Ga_(1-x)Al_x/p-GaAs/n-GaAs结构的太阳电池,并获得AM1效率20.2%,AM0效率16%～17%.现已用研制出的GaAs电池单片,组装成组件,安装在我国1994年2月8日发射的实践4号卫星上作挂片实验.作者对此结构太阳电池提出一点新看法,同时提出北场GaAs太阳电池构想.     

VLF电压试验电压幅值与试验时间的优选

VLF电压试验电压(UT)和试验时间(tT)的选取直接影响到有效地发现绝缘缺陷的概率,但目前电力电缆线路VLF电压试验时如何选取UT和tT仍无明确结论。1980年以来各国标准规定值差异很大,试验的有效性和等效性尚在探讨之中,目前一般取UT=2~3.5U0(U0为相电压),tT=15~60 min。长期积累的运行经验和理论及试验研究证实,延长tT和提高UT将对电缆介质造成不可逆损害,导致介质早期击穿。因此结合国内外现场和试验室研究结果并采用数理统计分析的方法优选了VLF(0.1 Hz)UT和tT。结果表明:UT=3U0时,tT取40 min,基本能够满足电力电缆线路绝缘品质判别的现场试验要求。     

锂离子电池正极材料Li_xNi_(0.8)Co_(0.15)Al_(0.05)O_2热失控机理研究

采用(DSC)、(TGA)及(XRD)对不同充电状态的正极材料LixNi0.8Co0.15Al0.05O2的热失控机理进行研究。结果表明,LixNi0.8Co0.15Al0.05O2材料在高温时晶体结构将变形、倒塌并释放出部分游离氧,导致有机电解液燃烧,释放出大量热量,并计算出DSC曲线中四个放热峰的活化能依次为:154、169、126、141 kJ/mol。     

LiNiyM1-yO2(M=Co,Mn,Ti,0 总被引：4，自引：0，他引：4

高虹 《电源技术》2001,25(4):264-267

Optical and Electrical Characteristics of ZnO Films Grown on Nitridated Si (1 0 0) Substrate with GaN and ZnO Double Buffer Layers

The optical and electrical characteristics of zinc oxide (ZnO) films grown by molecular-beam epitaxy (MBE) on Si substrates were investigated. ZnO epitaxial layer was successfully grown on nitridated Si(100) substrate initially covered with high-temperature GaN and low-temperature ZnO double buffer layers using MBE. X-ray diffraction and photoluminescence results both indicated that a reasonable quality of ZnO epitaxial layer was obtained. As the CV measurement had indicated, the carrier concentration was reduced virtually in a linear fashion from ZnO surface down to GaN buffer layer. A reduction in electron concentration was caused by the carrier depletion due to the presence of the Schottky barrier of Ni/ZnO. The large density of electron accumulated at the ZnO/GaN interface was due to the large conduction band discontinuity and offset.     

小波变换 第3讲 二进小波变换及信号的奇异性检测

介绍了基于Ｂ样条的二进小波函数及二进小波变换的特性、算法,重点介绍了基于小波变换模极大值的信号奇异性检测理论,其要点是：信号可以通过其小波变换模极大值表示,也可通过其模极大值重构。因此,信号的表示变得异常简洁。由于二进小波变换具有平移不变性,从而在模式识别和信号的奇异性检测中获得广泛应用。