离子辅助沉积对ZnS/MgF_2滤光片光谱漂移的影响

采用霍尔源离子辅助沉积(IAD)技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品作比较.结果发现离子辅助沉积明显减小了滤光片的光谱漂移,实测漂移小于0.5nm,光谱稳定性得到很大提高.计算了滤光片中MgF2膜层的聚集密度,离子辅助沉积使MgF2膜的聚集密度从常规条件下的0.70提高到0.97,增幅达38%.间隔层对光谱漂移的影响最大,越远离间隔层的膜层,其影响越小.     

离子辅助沉积对 Nb2O5薄膜特性的影响

为了提高Nb2O5薄膜的聚集密度,改善氧化铌薄膜的光学特性和机械特性,采用霍尔源离子辅助沉积(IDA)技术在K9玻璃基板上制备了Nb2O5单层薄膜,并与常规沉积条件下制备的Nb2O5薄膜作了比较.由于IAD技术使Nb2O5膜的聚集密度提高了14%,膜层折射率从常规工艺的2.03上升到2.18,膜层的附着力和牢固度从常规工艺的1.0×107N/m2提高到129.7×107N/m2.     

离子辅助沉积对TiO2薄膜应力的影响

对在离子辅助沉积（IAD）和常规工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力进行了试验研究，并探讨了利用台阶仪测量镀膜前后基板表面曲率的方法。结果表明，当基板温度低于100 ℃时，在离子辅助沉积工艺条件下镀制的TiO2薄膜的应力略大于在常规工艺条件下镀制的薄膜的应力；随着薄膜厚度的增加，TiO2薄膜应力逐渐减小，从125 nm的392 MPa下降到488 nm的30 MPa；离子源阳极电压对薄膜应力影响较大，在100 V时薄膜应力为164 MPa，当电压升高到190 V时，应力下降到75 MPa。     

用于窄带滤光片的离子辅助沉积硅膜层的性能

为了简化窄带光学滤波器的结构,需要寻求更高折射率的膜层材料.采用宽束冷阴极离子源的离子束辅助沉积工艺实验,分析了工艺参数与硅膜层折射率之间的关系,获得了对波长1550 nm折射率在3.45~3.46之间、消光系数小于10-6的硅膜层.使用实验得到的硅膜层和二氧化硅组合,设计了有71层膜层、信道间隔为200GHz的光学滤波器,峰值插入损耗0.18 dB,0.5 dB处的波长带宽为0.86 nm,0.25 dB处的波长带宽为1.91 nm,通带波纹系数ξ=0.12 dB,满足国际通信联盟(ITU)对密集波分复用系统(DWDM)用窄带滤波器的要求.     

自聚焦透镜滤光膜的研制

针对光纤通信系统中自聚焦透镜滤光膜的工作要求,设计了用于激光波段808nm的窄带滤光片,要求808nm处的透射率不小于90%,半峰值宽度为10nm。选取了激光损伤阈值较高的Ta2O5和SiO2作为高低折射率材料,借助膜系设计软件设计膜系。采用电子束真空镀膜的方法,同时加以离子辅助沉积,调整镀膜工艺参数,改进膜厚控制方法,提高了膜厚的控制精度,减少了中心波长的漂移量和膜层的吸收。该薄膜能够承受雨淋、盐雾、高低温等环境测试,满足使用要求。     

氙灯模拟太阳光谱滤光片的研制

通常太阳模拟器选用大功率短弧氙灯来模拟太阳光,但氙灯光谱在近红外波段区域与真实的太阳光谱存在差异,根据光谱差异的大小,通过选择合适的薄膜材料并采用真空镀膜的方法,研制出0.3～2.5μm波段范围的光学滤光片,对短弧氙灯光谱进行了校正,把波长在0.8～1.1μm之间偏离太阳光谱的辐射次峰滤掉,校正后的光谱辐照分布接近太阳光谱,其辐照匹配度符合AM1.5太阳光谱的A级匹配标准。     

四川盆地P2—T2沉积发展史及其对烃类聚集的影响

从东吴运动后(P_2)到印支运动前(T_2),四川盆地内在海侵的背景下自下而上形成了一个由含煤地层、深缓坡碳酸盐岩、开阔海台地碳酸盐岩、局限海台地碳酸盐岩和蒸发岩组成的大型复合向上变浅的地层层序。对这套地层的储集岩的岩石学及地球化学研完表明燕山运动前(K)储集层中以液烃的运移、聚集为主。喜山运动前(N)则以气烃运移、聚集为主。在由液烃向气烃演化时烃类曾多次运移,气烃向层序上部迁移并导致不同源气混合。层序上部的膏盐层是封堵这些气烃的重要盖层,故现今在这些含膏盐岩的地层中发现了为数众多的气藏。综上所述,本文指出在这套地层中应注意在成盐盆地及其周围寻找气田。     

沉积温度对制备ZnS薄膜的影响

采用YAG固体激光器(1064nm)和XeCl(308nm)准分子激光器,利用射频辅助脉冲激光沉积技术,研究了在不同沉积温度下对制备ZnS薄膜的影响.利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对制备样品的结构、形貌特性进行了表征.结果表明:沉积温度和射频辅助密切相关,射频辅助更有利于低温下制膜.     

沉积电压对辅助加热PCVD-TiN涂层的影响

研究了不同的沉积电压对辅助加热式PCVD-TiN涂层的影响。实验证明,提高沉积电压可以细化TiN涂层的柱状晶结构,增加TiN涂层的显微硬度和沉积速率。在试验范围内,涂层内残存的氯含量基本不受沉积电压的影响。     

沉积速率对离子辅助蒸发ITO光学性能的影响

选用高纯度ITO颗粒(w(In2O3)∶w(SnO2)=9∶1)作为蒸发膜料、CAB(钙铝钡)红外玻璃为基片,利用离子辅助电子束蒸发技术在不同的沉积速率下制备了光学性能优良的ITO薄膜,并详细讨论了沉积速率对ITO薄膜可见光透过率、禁带宽度、短波截止限、长波截止限及红外区透过率等性能的影响。结果表明:沉积速率对ITO薄膜的光学性能具有重要影响。薄膜的可见光透过率最高可达82.6%,并随沉积速率的升高而降低;禁带宽度随沉积速率的改变在3.75～3.98eV之间变化,短波截止限随着禁带的宽化,向短波方向移动;在红外区,ITO薄膜的平均透过率随沉积速率的上升而明显减小,薄膜等离子波长λp发生蓝移现象。     

SiO2/ZnS核壳结构微球的制备和表征

以自制纳米二氧化硅微粒为模板,硫代乙酰胺和醋酸锌分别为硫源和锌源,通过沉淀法成功制备了SiO2/ZnS核壳结构微球,研究了各种反应条件对该微球形貌的影响。经NaOH溶液蚀刻后,SiO2/ZnS核壳结构微球转变成亚微米级的ZnS空心微球。通过XRD、SEM和TEM等手段对SiO2/ZnS核壳结构微球和ZnS空心微球进行了表征。结果表明,在优化条件下制得的微球形貌规整、大小均匀,其壳层由厚度约20 nm的ZnS纳米颗粒组成。     

CdSe/ZnS量子点的合成及表征

本文于水溶液中采用3-巯基丙酸作为稳定剂,成功合成了CdSe/ZnS核壳型量子点。透射电子显微镜观察表明,所合成的量子点尺寸均一,形貌近似球形,粒子大小在5 nm以下。紫外吸收光谱和荧光光谱分析表明,所合成的CdSe/ZnS核壳型量子点较之CdSe量子点更具良好光学特性。     

萃取溶剂热法制备ZnS纳米粒子

用萃取剂Cyanex 301(二(2,4,4-三甲基戊基)二硫代膦酸)将Zn2+萃取到有机溶剂中,将得到含Cyanex 301-Zn2+萃合物的有机相置于聚四氟乙烯作为内衬的高压反应釜中于150℃恒温24 h制备了ZnS纳米粒子。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)和红外光谱(IR)表征了粒子的形貌和结构。结果表明,得到的ZnS是小粒子聚集体,Cyanex 301在整个反应过程中起到了萃取剂、硫源及表面修饰剂等多重作用。     

Ag负载ZnS光催化剂的制备与光催化制氢

为实现光催化制氢,通过模板剂水热合成和浸渍还原法制备出Ag负载ZnS光催化剂.利用XRD、SEM和UV-vis对样品进行结构和光学性质表征,利用光催化分解Na2S＋Na2SO3溶液制氢评价光催化性能.结果表明：在酸性条件下,模板剂质量浓度较低而硫源和锌源较多时,样品为棒状,主要以立方闪锌矿结构存在;反之,样品主要为球状...     

Synthesis and properties of water-soluble CdSe/ZnS nanocrystals with the type-I core/shell structure

The synthesis of CdSe/ZnS core/shell nanocrystals though aqueous phase using the coprecipitation method was reported. The influences of factors such as injection methods and dosages of precursors, reaction duration of water-bathing and the initial CdSe：ZnS molar ratio were discussed. In comparison to the CdSe plain core nanocrystals, the CdSe/ZnS core/shell nanocrystals show much brighter photoluminescence demonstrated by the photoluminescence spectra. The epitaxial growth of the core/shell structures was verified by TEM and XRD.     

微乳液法制备ZnS纳米颗粒

采用了微乳液法制备ZnS纳米颗粒.该微乳液是以Span80-Tween60为复合表面活性剂,正丁醇为助表面活性剂,120#汽油为分散介质,乙酸锌水溶液为水相的反相微乳液体系.发现该微乳液的优化配比为22g汽油,4g复合表面活性剂（Span80-Tween60配比为1.11）,正丁醇1.5mL,乙酸锌水溶液（1.2mol/L）的最大增溶量为6.3mL,在此微乳液中,逐滴加入适量Na2S水溶液并搅拌,于室温下反应30min后,对反应体系进行破乳、洗涤、分离,最后将产物浸泡在无水乙醇中,并对该产物的乙醇溶胶进行超临界干燥,得到白色疏松的纳米粉.用X射线衍射仪（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对产物的组成、大小、形貌进行了表征,结果表明产物主要为立方晶体结构的ZnS,粒子大小均匀,粒径为10～20nm,且分散性良好.     

基于ZnS:Mn~(2+)量子点电致发光器件的制备

以多磷酸钠为分散剂,采用水相共沉淀法制备了Mn2+掺杂的ZnS量子点,通过X射线衍射(XRD)谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)图像、紫外-可见吸收光谱和光致发光(PL)谱等表征了ZnS:Mn2+量子点的结构、形貌和发光性能;通过对比在空气中干燥前后样品的PL谱,进一步证明了441 nm的峰是属于与硫空位相关的发射。同时,将处理后的样品分散到氯仿中,制备了单层的电致发光(EL)器件,在12 V直流电压的驱动下,在597 nm的位置观测到了Mn2+相关的特征发射。     

原料掺杂对多晶ZnS热压工艺及其性能的影响

采用热压法制备多晶ZnS时，由于ZnS是市售原料，杂质含量较多，必须进行提纯处理，即使如此，在热压过程中，晶体内仍然存在空穴、晶格缺陷及少量气孔等，影响材料透过性能，通过原料掺杂，使原料中掺入晶格常数小于ZnS的硫化物，可以起到固溶强化作用，减少空穴及气孔存在，提高晶体致密度,从而提高红外透过度；另外，可以使ZnS晶体结晶压力降低，即降低热压压力，为使用低强度材料作模具创造条件。     

B/Al掺杂ZnS电子结构的第一性原理研究

用第一性原理的赝势方法,计算了B和Al掺杂ZnS的电子结构差异.根据计算,掺杂时B原子p态在导带底附近形成高度局域态,而Al原子p态则较为离域;B和Al原子的s态均具有较好的离域性.以上结果表明,从获得n型导电性的角度而言,Al掺杂优于B掺杂.