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童志义 《电子工业专用设备》1998,27(4):54-59
采用λ/2的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形,它将电路图形的CD尺寸极限推进到λ/4,当采用193nm光源曝光时,CD尺寸为50nm以下。干涉光刻技术(IL)探讨了这种周期性图形的最终极限。影像干涉光技术未来的发展,将使光学方法100nm 下的电路图形成为可能。 相似文献
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光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。 相似文献
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激光全息防伪技术在包装图案印刷的应用中,受到激光束强度不稳定因素影响,图案在全系过程中刻录强度出现误差,导致彩虹全息效果无法到达防伪图案印刷标准,降低包装图案印刷良品率。为了解决上述问题,提升印刷良品率,结合激光全息防伪技术特点,对激光全息防伪技术中一步彩虹全息与二步彩虹全息过程进行分析研究,通过修正激光全息过程中衍射光与母板间的光路误差,获得精准角度测量值,使全息光源能够将正确的图案形态投至印刷模板。通过与传统激光全息防伪印刷技术对比数据表明:在二维图案印刷测试中,提出方法的良品率能够达到97.09%;三维图案印刷良品率96.25%;相较传统印刷方法分别增长12.3%与11.21%,印刷良品率提升效果明显。 相似文献
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激光全息防伪技术在包装图案印刷的应用中,受到激光束强度不稳定因素影响,图案在全系过程中刻录强度出现误差,导致彩虹全息效果无法到达防伪图案印刷标准,降低包装图案印刷良品率。为了解决上述问题,提升印刷良品率,结合激光全息防伪技术特点,对激光全息防伪技术中一步彩虹全息与二步彩虹全息过程进行分析研究,通过修正激光全息过程中衍射光与母板间的光路误差,获得精准角度测量值,使全息光源能够将正确的图案形态投至印刷模板。通过与传统激光全息防伪印刷技术对比数据表明:在二维图案印刷测试中,提出方法的良品率能够达到97.09%;三维图案印刷良品率96.25%;相较传统印刷方法分别增长12.3%与11.21%,印刷良品率提升效果明显。 相似文献
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将防伪信息采用编码方法写入到产品外包装防伪标识中,实现包装防伪,提出基于激光数字全息技术的产品外包装防伪标识设计方法。构建产品外包装防伪标识的激光数字全息加密密码体系,根据激光数字成像方法,建立产品包装防伪信息中明文数据与密钥之间的关系体系结构,采用密文混沌映射方法,对外观图激光全息图像进行伪随机序列处理,建立产品外包装防伪标识激光数字全息数字加密和编码模型。测试得出,该方法进行产品外包装防伪标识设计的加密、解密和隐藏效果较好,且本方法处理加密图像后得到PSNR的最大值为27.48,提高了产品外包装的防伪能力。 相似文献
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针对传统的防伪包装衍射效率差的问题,采用激光模压全息术,对防伪包装进行优化设计。采用激光模压全息术制作防伪包装编码,首先对光进行干涉计算,将其中的复值函数转换为非负函数,利用拉普斯法对全息图滤波处理,去除全息图中的低频成分。在此基础上,使用逆矩阵的加密信息,对防伪包装加密,采用矩阵方法描述加密矩阵,并利用密钥对验证码进行加密处理,得到加密信息,利用线性代数中的矩阵运算,减少字符之间的对应关系,最后设置防伪包装中的涂层区域的防伪查询码,进一步优化防伪包装。实验对比结果表明,此次设计的基于激光模压全息术的防伪包装优化方法比优化前的方位包装衍射效率高20%左右,能够有效增强防伪力度,保障消费者与产品的安全。 相似文献
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提出一种利用准平行光干涉进行激光干扰的方案。在干涉理论分析的基础上,利用He-Ne激光实验得到2路、3路、4路的多光束准平行光干涉图像与干涉强度极大值,并仿真得出准平行光干涉图像和干涉光强分布。实验和仿真表明:准平行光干涉的图样的形状取决于光束的方向角。在某些方向角时,干涉视场的中央可出现干涉亮纹或亮斑。干涉条纹或干涉光斑之间的间距由两两光束之间的夹角所确定。在不大于0.5 mrad范围内,两两光束间夹角的实验数据与仿真数据近似一致,并且干涉亮纹或亮斑的强度极大值接近理论最大值,即2束、3束、4束准平行光的干涉强度最大值分别是单束光强的4倍、8倍、15倍。给出干扰方案的效果评估以及干扰有效性的验证。 相似文献
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近期光刻用ArF准分子激光技术发展 总被引:1,自引:1,他引:0
193 nm ArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90 nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45 nm节点量产阶段。双图形光刻(DPL)技术被业界认为是下一代光刻32 nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32 nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术:主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构,主动光谱带宽稳定技术,先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。 相似文献
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在我国,激光全息技术应用于防伪印刷出现在20世纪80年代末,最早应用在酒类、茶叶和化妆品包装行业。90年代初,造假与售假在烟草行业泛滥成灾,每年通过非法渠道销售的卷烟达到100万大箱。面临这种严峻的市场环境,激光全息防伪技术为烟草行业铸造了一把流光溢彩的防伪利剑,有效地实现了包装防伪与包装装潢的完美统一。下面介绍目前激光全息技术在烟包印刷中的几种应用形式. 相似文献