多片LPE生长AlxGa1—xAs／GaAs单晶薄膜

介绍了一种新的“分离三室水平推挤式多片外延舟”，可在国产水平外延炉中实现多片单晶薄膜外延。同时，研究了适合于多片外延的各种工艺条件。用于研制的ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ｎ＾＋－ＧａＡｓ太阳通电池，ＡＭ０．２５℃，１２０ｍＷ．ｃｍ＾－２的转换室１９．８％。     

用魔镜方法检测硅片的生长管道和星形结构

检测硅抛光片及硅外延片中的生长管道和星形结构缺陷，常规的方法是化学腐蚀法。该广阔产片有破坏性，本文介绍一种检测硅片中生长管道和星形结构缺陷的新方法－“魔镜”检测方法。该方法对检测各种镜状表面具有无损、直观、快速有效等优点。用魔镜检测法与常规的化学腐蚀方法进行了比较，其结果吻合相当好。     

利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜

采用化学束外延（ＣＢＥ）技术，以三乙基镓（ＴＥＧ）和砷烷（ＡｓＨ３）为源，在Ｓｉ（００１）衬底上生长ＧａＡｓ薄膜．利用Ｈａｌｌ效应、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）检测了外延层的质量．结果表明，ＧａＡｓ薄膜具有ｎ型导电性，载流子浓度为１．３×１０１５ｃｍ－３，其杂质估计是Ｓｉ，它来自衬底的自扩散．外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善．在ＧａＡｓ／Ｓｉ界面及其附近，存在高密度的结构缺陷，包括失配位错、堆垛层错和孪晶．这些缺陷完全缓解了ＧａＡｓ外延层和Ｓｉ衬底之间因晶格失配引     

“大哥大”指标简便检测方法

“大哥大”指标简便检测方法余文清一台“大哥大”要进入正常的通信状态，必须符合国家无线电管理委员会对无线电通信设备频率管理的要求，满足收信灵敏度、发信频偏、频率误差、发信功率等基本指标。本文介绍一种简便的“大哥大”测试方法。以ＭＯＴＯＲＯＬＡＲ－２６０...     

表面加工性能对低合金Mo丝的耐疲劳强度的影响

本文研究了ｄ＝１．０，５及０．２ｍｍ的技术纯度Ｍｏ（０．０２５Ｃ－０．００５Ｎ－０．１６Ｔｉ）丝和ｄ＝０．３ｍｍ的Ｍｏ－０．１Ｈｆｃ－０．１ＨｆＮ合金丝经过各种加工（拉伸，金刚砂加工处理，电抛光）后，其表面微缺陷的相对尺寸Ｒ／ｄ的变化对疲劳性能的影响，Ｒ／ｄ值从０．０６减小到０．００１导致疲劳持续时间增加了一个数量级，并且观察到性能的最大变化是在Ｒ／ｄ＝０．００２～０．００４，而Ｒ／ｄ值的继续减小     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。     

利用以往历史数据进行“较低失效率水平鉴定扩展”的探索

针对美国军用标准ＭＩＬ－ＳＴＤ－６９０Ｃ－１９９３《失效率抽样检查发和程度》规定的在向“低失效率水平鉴定扩展”时，存在利用以往历史数据理论根据之问题，运用Ｔ．Ｒ．贝叶斯统计推断基本原理提出了解决该珠一种具体的方法，同时通过实例说明了该方法的实际应用。     

X射线双晶衍射在分布布喇格反射镜研制中的应用

本文利用Ｘ光双晶衍射的动力学理论对垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的分布布喇格反射境（ＤＢＲ）的特性曲线进行了模拟研究．从中得到ＤＢＲＡｌＡｓ／ＡＩｘＧａ１－ｘＡｓ的厚度及组分ｘ值，应用所得到的这些数值进行光学薄膜反射谱的模拟计算，并与实验所测得的ＤＢＲ反射谱进行比较，得到了证实．我们应用这套方法指导ＶＣＳＥＬ外延片的生长，获得了良好的结果．     

(001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面

用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量结果表明：ＧａＮ薄膜具有典型的闪锌矿结构；三种方法测得其晶格常数为０．４５１～０．４５７ｎｍ；在ＧａＮ／ＧａＡｓ界面处的生长模式为异质外延；ＧａＮ薄膜中的位错主要为堆垛层错与刃形位错；随着远离界面，ＧａＮ中位错密度与镶嵌组织迅速减少．     

第八讲电话机的响度当量和频响（三）

上一讲比较精彩，在讲述接收特性和侧音特性测量等基本原理的同时，还介绍了ＯＲＥＭ－Ｂ、ＯＲＥＭ－Ａ、ＬＲ和ＯＬＲ等四种客观测量标准。本讲为“响度当量和频响”的最后一部分，下一讲将介绍“电话机通话回路的失真”。     

在NetWare 4．1中实现共享CD－ROM

在ＮｅｔＷａｒｅ４．１中实现共享ＣＤ－ＲＯＭ刘江随着ＣＤ－ＲＯＭ的不断普及，Ｎｏｖｅｌｌ公司为了顺应发展趋势，在其最新推出的Ｎｅｔｗａｒｅ４．ｘ和ＮｅｔＷａｒｅ３．１２版本的网络操作系统中，为ＣＤ－ＲＯＭ提供了一个可加载模块ＣＤＲＯＭ．ＮＬＭ，使得文...     

PWR—SMP系列开关式直流电源变换器

ＰＷＲ－ＳＭＰ系列开关式直流电源变换器陈小牧，李东星ＰＷＲ－ＳＭＰ系列电源控制器是美国ＰＯＷＥＲＩＮＴＥＧＲＡＴＩＯＮ公司新近推出的单片集成电路高频开关式直流电源变换器。该系列芯片有如下几个主要特点：１．单片化，在ＰＷＲ－ＳＭＰ系列芯片内集成了开关电...     

两种改进的适用于多目标情况的恒虚警检测算法

本文基于筛选平均和无偏筛选平均提出了两种改进的恒虚警检测器－ＭＣＭ－ＣＦＡＲ和ＭＵＣＭ－ＣＦＡＲ，并应用了何友提出的自动筛选技术，在ＳｗｅｒｌｉｎｇⅡ型目标似假设下，并考虑瑞利分布杂波和单脉冲检测情形，本文推导出了ＭＣＭ－ＣＦＡＲ和ＭＵＣＭ－ＣＦＡＲ检测器的Ｐｆα，Ｐｄ和平均判决门限的解析表达式，并与其它方案进行了比较。     

用室温红外透射谱研究Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较     

低电压PCM中继器XR—C277集成电路的应用

低电压ＰＣＭ中继器ＸＲ－Ｃ２７７集成电路的应用李峻ＸＲ—Ｃ２７７是脉冲码调制（ＰＣＭ）电话系统的单片中继器集成路。用于再生中继器在Ｔ—１型ＰＣＭ线路上产生１．５４４Ｍｂ／ｓ的总数码率。它能在于１３ｍＡ电源电流、６．３Ｖ和４．４Ｖ低电压条件下工作，具有...     

一种反辐射导弹加速度提取技术

反辐射导弹（ＡＲＭ）的雷达接收回波的一线性调频信号，因此要实现ＡＲＭ回波脉冲串的相干积累，就必须先估计出ＡＲＭ的加速度。本文给出了一种顺波加速度提取方法－－脉冲相关法，该方法可利用快速傅里叶变换，硬件实现简单，分析表明，该方法是一种次最优估计方法，加速度估计精度接近于Ｃｒａｍｅｒ－Ｒａｏ界，计算机模拟表明了该方法的有效性。     

用室温红外透射谱研究Hg1—xCdxTe外延薄膜的组份分布

根据Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ本征吸收系数的经验公式及Ｈｏｕｇｅｎ模型，建立了一种用室温红外透射谱研究Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜组份均匀性的方法，用这种方法检测了ＬＰＥ、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ薄膜的组份分布，并与二次离子质谱（ＳＩＭＳ）测量结果进行了比较。     

利用改进的固相外延技术改善CMOS/SOS器件的特性

ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比,载流子迁移率较低,沟道漏电电流较大,它们主要是由异质外延硅膜缺陷,特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的．本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件特性的实验结果．     

一种基于TMN的集中式信令路由管理新方法

本文提出了一种基于ＴＭＮ的集中式路由管理新方法Ｃ－ＭＲＶＴ,并运用排队理论对Ｃ－ＭＲＶＴ和传统ＭＲＶＴ方法进行了性能分析比较,最后给出了该方法的实现方案和模拟结果。理论分析和模拟结果表明,Ｃ－ＭＲＶＴ是一种有前景的、技术可靠的信令网络由管理方法。     

β－FeSi_2／SIMOX──一种新结构的光电子材料

本文采用固相外延法在ＳＩＭＯＸ衬底上生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），卢瑟辐背散射（ＲＢＳ）以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构，Ｒａｍａｎ谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性．