可并行读写的纳米交叉杆存储器的设计与分析

纳米交叉杆结构因其结构简单、制备工艺成熟而成为研究者最为关注的一种纳米存储器件.纳米交叉杆基于具有双稳态性质的纳米器件,有机分子层交叉结构和碳纳米管交叉结构都是比较成熟的纳米交叉结构.基于纳米交叉杆的存储器一般由外围微-纳结构多路选择器和存储阵列组成,要想在高密度存储的基础上实现快速读写必须研究并行读写方法.并行读写的基础是并行寻址,一种可选的并行寻址方式是地址加掩码的模式,这种模式后再加一个筛选向量即可大大增加并行寻址的灵活度.纳米交叉杆存储器的并行写可分为写1和写0两个子过程,安排最佳的并行访问方式是二维平面上的背包问题.并行读过程可以一次将一行或一列的内容读取出来.     

货车转向架交叉杆弯曲故障辨识算法研究

以货车转向架交叉杆弯曲故障的智能检测为背景,提出了一种针对图像信息中刚体结构弯曲形态进行模式识别的算法;从分析故障特征入手,通过梯度投影分析线性分割特征提取出交叉杆区域并将交叉杆旋转至与水平向垂直的位置;基于Sobel算子提取出交叉杆边缘;针对交叉杆边缘的分布,提出了一种应用Hough变换分段求取边缘线段极角均值估计的分类器设计算法;通过实验,验证了算法的有效性,并分析了算法的实时性.     

硅纳米杆拉伸的分子动力学模拟

采用Stillinger-Weber(SW)势函数描述硅纳米杆中硅原子间的相互作用,通过分子动力学方法对几种硅纳米杆进行轴向拉伸研究,发现硅纳米杆拉伸时表现出来的特性与宏观脆性材料基本一致:拉伸曲线没有明显的直线部分和屈服变形部分;进一步研究发现硅纳米杆的杨氏模量和强度极限随着尺寸增大而增大,尺寸效应随尺寸增大而逐渐减弱.     

大面积复合纳米压印的残余层厚度优化

纳米压印是为应对半导体行业越来越高的芯片元件集成度而产生的高新技术,因其制造成本低、图形精确、生产率高等优势成为纳米领域的研究热点.残余层厚度作为大面积纳米压印光刻紫外固化工艺的重要参数,直接影响刻蚀工艺和基片的完整度.尝试通过改变旋涂转速和纳米压印胶的固体含量,来优化残余层厚度.通过实验与分析,给出了压印胶种类、转速...     

一种可重配置的存储器测试控制器设计

存储器在SOC中所占的电路面积越来越大,因此存储器的正确与否影响着SOC芯片的成品率。存储器中的故障种类繁多,单一的测试方法不能保证所有故障的100%覆盖率。本文通过对广泛应用的March算法进行了分析,提出了一种可重配置的存储器测试方法。在该方法中通过设置一组控制寄存器就可以灵活的实现各种March算法。另外,采用资源复用的方法,在嵌入式微处理器核中增加了一个有限状态机,几个控制寄存器和几条专门用于存储器测试的指令,可以方便的实现各种March算法,并且硬件开销非常小。     

静态存储器的常用设计技术

介绍了微机应用系统中存储器体系设计中的存储器共享、不同总线宽度的处理、页面映射的设计、避免竞争干扰的设计等常用技术.     

热纳米压印技术的研究进展

介绍了热纳米压印(T-NIL)的要素制备、工艺流程,分析了温度、压力、时间等因素对T-NIL技术的影响。针对这些因素,阐述了T-NIL技术的最新研究进展,包括抗粘连处理方法、加热加压方式、模具及光刻胶材料的选择、T-NIL设备等。介绍了T-NIL技术在不同领域的应用。     

FPGA中嵌入式存储器模块的设计

本文设计了一种基于0.13微米CMOS工艺的FPGA芯片中的嵌入式存储器模块.该容量为18Kh的同步双端口存储模块,可以配置成为只读存储器或静态随机存储器,每个端口有6种数据宽度、3种写操作模式可供选择.采用行为级与晶体管级协同仿真的方法,同时完成模块的功能验证和时序参数的提取.全定制的核心版图经过自动布局布线工具的包装,最终产生适用于特定FPGA芯片的完整版图.     

基于纳米压印技术的光伏器件微三维构型研究

将纳米压印技术应用到三明治结构光伏器件制作.采用具有三维微结构(平行波纹、离散孤岛)软模具,通过纳米压印将定制化微三维结构转印到电子给体层和电子受体层的异质结界面上,以增大异质结界面实际面积,提高光伏效率.通过仿真计算,模拟了通过微结构界面几何改变,提高有效面积内异质结界面实际接触面积,从而增大载流子浓度的过程,优化三维微结构几何特征.典型试验结果证明了光伏器件异质结三维微结构界面对光伏效率的良好效果.     

用存储器映射方法设计数字直流电压表

介绍了用A／D转换器和EPROM存储器设计数字式电压表的方法。     

内存数据库的图论存取方法

对内存数据库（MMDB）而言,数据库的存储结构与存取方法是关键,文中给出了一种MMDB组织与存取的图论方法,它引入“内存数据库图”（MM－DBG）的概念,提出了一种片段式的集数据和索引在一起的存储结构,具体给出了MM－DBG上维护和关系查询操作的算法,并从存储空间和操作执行时间两方面进行性能分析。     

非易失性存储器件的性能、可靠性及应用

随着大数据和人工智能应用的发展,数据呈现爆发式增长,对数据存储的需求日益加剧。传统内存技术的容量已经接近其物理存储密度的极限,而非易失性存储器具有按字节寻址、能耗低、读写速度快等优良特性,有望替代传统的动态随机存储器或磁盘技术。然而,该介质本身也存在一些不足,如使用寿命有限、读写速度不对称、磨损不均衡和错误来源多样等缺点。该文通过阐述常见非易失性存储器的存储原理,调研并总结了一些现有改进技术。     

基于主存访问相关解决等技术的高带宽主存控制器设计

随着现代处理器和缓存技术的发展,当代计算机系统的性能日益受到主存系统的制约,对主存带宽的需求将越来越大。论文提出主存访问相关解决、主存访问动态调度和地址重映射三项技术,利用主存访问自身的特性(局部性)、同步DRAM自身的物理特性(操作的并行性)和二者之间的关系(地址映射),设计了新型、高带宽主存控制器,有效地提高了主存系统的带宽。     

Defect Tolerance for Nanoscale Crossbar-Based Devices

The need for defect maps and per-chip placement and routing limits the efficiency of test and defect tolerance techniques in nanoscale crossbar-based devices. The authors propose a method using two simulation programs that circumvents these difficulties to find fault-free implementations of logic functions on defective crossbars.     

内存数据库中一种改进的图论存取方法及其性能分析

内存数据库是支持高性能信息处理的一种方法,对于内存数据库而言,数据库的存储结构与存取方法是关键。本文给出了一种内存数据库组织与存取的改进图论方法,并对该方法给几个基本的查询处理操作所能带来的优势进行了探讨,最后从存储空间和操作执行时间两方面进行了性能分析,结果显示改进的图论方法能提供很好的性能。     

存储器模块测试系统的设计

存储器模块上集成有多种类型的存储器,整个模块提供一致的总线访问接口;对存储器模块进行完整的测试是很有必要的,在分析存储器模块的故障模型和测试原理的基础上,给出了一种基于数字波形发生器的存储器模块测试设备结构,通过对March算法进行扩展,设计了一种适合对存储器模块进行测试的算法结构;系统提高了测试的故障覆盖率和效率,在应用中取得了较好的效果.     

基于非易失性内存的持久化嵌入式内存数据库

随着近年来嵌入式应用的复杂化和多样化,工业界和学术界提出来用内存数据库满足嵌入式系统对数据处理性能不断提升的要求.然而,现有的内存数据库需要在磁盘或闪存等外存上持久化存储真实的数据库备份,并且以I/O操作的方式将数据库的更新操作同步回外存,有极大的性能开销.此外,这类数据库即便直接部署在新型非易失性内存（non-volatile memory,简称NVM)中,也因为缺乏内存中的持久化机制而不能脱离外存.针对现有内存数据库的不足,提出一套面向NVM的持久化内存数据库设计方案.该方案直接用数据库独立管理NVM,持久化存储NVM的空间信息以及内存数据库的元数据.依据该方案,在典型的内存数据库Redis的基础上实现了可在NVM上持久化的内存数据库.实验结果表明,该方案与既有Redis的持久化方案AOF相比,数据库的启动速度可提高2 400倍,关闭速度可提高5倍,set操作的速度可提高58倍,delete操作的速度可提升34倍.     

PC机主存储器组成结构分析与设计

从DRAM的发展及应用特点出发,针对使用DRAM构成计算机主存时应解决的主存空间及寻址、多体交叉访问构成并行主存结构、动态刷新等问题,以采用DRAM控制器W4006AF构成80386微机主存的设计为例,对主存的构成及工作原理进行了详细分析,对于分析和设计计算机主存具有很好的参考价值。