后摩尔时代的封装技术

综述了进入后摩尔时代半导体业界面临制造技术极限的挑战所进行的各种应对措施的现状,着重介绍了叠层封装、系统级封装、晶圆级封装、硅通孔技术等一些新型的三维垂直封装技术在电子电路集成方面的进展及高密度3D芯片封装的前景。     

用于3D WLP和3D SIC的穿透硅通孔技术

数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔（TSV）互连来实现复杂3D芯片的可行性。     

技术评价:圆片级封装

本文对圆片级封装的定义、演变、进展状况及支撑技术进行了介绍和分析评论。     

含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术

研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。     

深硅刻蚀实现3D集成封装——贯穿硅的通孔技术正被用于MEMS制造、功率器件和3D结构中。

Sematech在2004年提出，光靠改变互连的工艺和材料还不足以满足下一代IC的性能要求，同时预测所需的推动力可能来自于不同种类器件的混合集成。目前，各大器件制造商和封装厂都在积极研发晶圆级封装技术，以满足未来器件小型化和更多功能的要求。     

系统模块(SiP)和三维封装(3D)在移动通讯中的应用

电子封装业界正遭受着前所未有的来自手机和其他移动通讯终端设备挑战。在这一领域里,IC封装的关键是尺寸微型化,缩减成本和市场时机。这一挑战的背后隐含着手机技术发展的两大趋势:系统模块化和日益增长的复杂性及功能。越来越多的功能正在被组合到手机上即PDA、MP3、照相机、互联网等等。功能的增加需要靠模块化来实现,而模块化又促进了更多功能的组合。同时,模块化使得移动通讯终端设备得以微型化、降低成本和缩短设计周期。业界越来越多地感受到整体射频模块和通讯模块解决方案的必要性。这些整体模块把手机设计师从电路设计的细节中解脱出来,从而能专著于高层的手机应用和系统的设计。为了满足上诉移动通讯产品的苛刻要求,大量的新兴电子封装技术和封装产品应运而生。最引人注目的例子在于对系统模块穴SiP雪和三维穴3D雪封装的重点资金和技术投入。这两项先进封装技术有着各自不同的特征和应用范围。总体介绍先进封装技术在移动通讯中的应用,重点讨论电子封装材料和工艺所面临的挑战和最新发展趋势。对移动通讯带来的新一轮集成化及其所产生的潜在供应链问题也做了适当的讨论。     

张忠谋:摩尔定律将死,半导体迎3大机会

正2014台湾半导体产业协会(TSIA)年会于近日登场,台积电董事长暨TSIA名誉理事长张忠谋以"Next Big Thing"为题发表演说。张忠谋表示,他认为摩尔定律虽已"苟延残喘",不过估计还有5~6年的寿命。而关于什么是半导体产业的下一个机会?他则点名是物联网(IoT)相关商机,而台湾半导体产业要掌握这波商机,就要掌握系统级封装、低功耗、感测器等三大技术。     

用于系统级封装和3D互连的圆片间及芯片一圆片的集成技术

系统级封装和3D互连的技术可行性及其潜力，近年来在得到了详尽的分析和业界广泛的认可。目前的热点聚集在新颖的制造和集成方案方面，它要求同时满足经济性和技术要求。尽管系统级封装和3维互连的基本原理十分相似，但其广泛的应用范围需要各种各样的制造工艺。[第一段]     

小型化与低功耗趋势催热SIP立体封装技术 工业和消费类电子产品均有较大需求

正随着消费类电子与移动通讯产品的快速普及,相关电子产品功能整合日趋多样化,在外观设且计薄型化与产品开发周期日益缩短等双重压力下,IC器件尺寸则不断缩小且运算速度不断提高,封装技术已成为极为关键的技术。封装形式的优劣已影响到IC器件的频率、功耗、复杂性、可靠性和单位成本。S i P(系统级封装System In a Package)综合运用现有的芯片资源及多种先进封装技术的优势,有机结合起来由几个芯片组成的系统构筑而成的封装,开拓了一种低成本系统集成的可行思路与方法,较好地解决了