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以Bi(NO3)3·5H2O、TiCl4和La(NO3)3·6H2O为原料,KOH为矿化剂,采用微波水热法合成了镧掺杂钛酸铋(Bi4Ti3O12)粉体.借助XRD、SEM和EDS对粉体的组成、形貌作了分析.当确定微波水热釜的填充比为30%或40%,将前驱物在200℃反应110 min,可得到单一组成的镧掺杂Bi4Ti3O12粉体;当填充比减小为20%,而其他条件不变,只得到Bi4Ti3O12粉体.SEM结果表明,镧掺杂Bi4Ti3O12的形貌为纳米晶须状,而Bi4 Ti3O12为板片状结构.EDS分析结果表明,镧掺杂Bi4Ti3O12的化学组成为B13.5La0.5 Ti3O12. 相似文献
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掺镧BiFeO3粉体的水热合成及性能研究 总被引:1,自引:1,他引:0
以BiNO3·5H2O和FeCl3·6H2O为基本原料,采用水热合成法制得Bi1-xLaxFeO3(x=0~0.15)纳米粉体.用XRD测试手段分析了反应温度及镧的掺杂量对粉体的晶相组成,晶粒粒度的影响.用SEM观察了粉体的形貌,并通过VSM研究了掺镧后的磁性特征.结果表明.随着水热温度的提高,晶体发育趋于完整.在水热温度为240℃下保温18 h,镧最佳摩尔分数可控制在5%~10%.镧离子的掺杂改变了BiFeO3晶粒形状并进入晶粒的生长,掺杂后的样品显示为弱铁磁性. 相似文献
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研究了Bi4Ti3O12(2%~10%,质量分数)掺杂对(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)基电容器陶瓷介电常数εr、介质损耗tan δ、容温变化率△C/C等性能及其烧结温度的影响.结果表明,当w(Bi4Ti3O12)=10%时,εr为2 558,tan δ为0.005 0,△C/C=-39.2%,△C/C在25~125℃的范围内比在w(Bi4Ti3O12)=2%时降低了18%,陶瓷的烧结温度降为1 180℃.借助SEM和XRD研究了Bi4Ti3O12掺杂量对样品的显微结构和物相组成的影响,表明Bi4Ti3O12作为烧结助剂包裹晶粒并填充晶粒间形成异相,阻止晶粒生长并细化晶粒. 相似文献
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Bi2O3过量对熔盐法制备Bi4Ti3O12粉体的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体,研究了w(Bi2O3过量)对粉体的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数。结果表明:w(Bi2O3过量)为7.5%,1100℃烧结2h所得到的Bi4Ti3O12粉体微观形貌最佳,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理。 相似文献
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(Bi4—x,Lax)Ti3O12粉体的溶胶—凝胶制备技术研究 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)技术,以硝酸铋、硝酸镧和钛酸丁酯为原料,制备了掺镧钛酸铋(Bi3.6,La0.4)Ti3O12(简记为BLT)粉体。利用DTA、XRD以及激光光散射粒度分析等手段分析了粉体的固相反应、结构和颗粒度,结果表明,BLT初始粉体在730℃左右发生固相反应,生成BLT颗粒;730℃以下烧结的粉体为含立方(Bi,La)12TiO20相和正交(Bi3.6,La0.4)Ti3O12相的混合物,平均颗粒度为60nm左右;730℃以上烧结的粉体为完全正交结构的BLT多晶颗粒体,平均颗粒度约为500nm;利用Sol-Gel技术,可以制备纳米级、分散良好、分布一致的BLT粉体,这对BLT新型压电陶瓷的制备具有重要意义。 相似文献
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通过溶液燃烧法以La(NO3)3·6H2O,Dy(NO3)3·9H2O和Al(NO3)3·9H2O及C2H5NO2为原材料制备纳米粉体Lal-xDyxA1O3(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05).采用X射线衍射、扫描电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱和荧光光谱研究晶体结构、形貌、发光强度等内容,结果表明,通过溶液燃烧法在800℃下煅烧4h,Dy3+离子进入到LaAlO3晶格中,荧光光谱分析结果表明Lal-xDyxAlO3粉体在370 nm的激发波长下,发光主峰位于423 nm处,在掺杂比例为0.03时发光强度最高,其禁带宽度5.54 eV与理论值5.6 eV相近. 相似文献
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Thin films Bi4Ti3O12 (BLT) were deposited using electron beam evaporation on silicon substrate at several times, also on AlN/Si and SiO2/Si substrates. Thin films morphology and thickness were measured via scanning electron microscopy (SEM). The crystallography was studied using X-ray diffraction (XRD) technique for films which have a (0010) preferred orientation in all substrate types. The capacitance values were contingent on frequency value in C-V measurement. The ferroelectric characterization was investigated for BLT film deposited on isolator layer (SiO2 or AlN) for Al/Bi4Ti3O12/SiO2/Si devices. Memory effect value varied from 1 V to 3 V depending on the thin films isolator on substrate. 相似文献
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以二氧化钛(TiO2)和氢氧化钠(NaOH)为原料,经水热反应成功合成钛酸钠(Na2Ti3O7)晶体纤维。以合成的钛酸钠和五水硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O)为原料,NaOH为矿化剂,进行二次水热反应制备钛酸铋钠(Na0.5Bi0.5TiO3)粉体。通过X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对反应制备的粉体进行物相分析,结果表明,通过二步水热反应,可制备出颗粒尺寸均匀的Na0.5Bi0.5TiO3聚集球。 相似文献
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Bi3.25La0.75Ti3O12超薄铁电薄膜的光学性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学溶液沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了厚度小于100nm的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,测量了光子能量为2~4.5eV的紫外可见椭圆偏振光谱.根据经典的电介质光学色散关系和五相结构模型,拟合获得薄膜在透明区和吸收区的光学常数、表面粗糙度、薄膜与衬底界面层以及BLT薄膜的厚度.薄膜在透明区的折射率色散关系可以通过单电子Sellmeier模型成功地进行解释.最后,根据Tauc’s法则,得到Bi0.25La0.7Ti3O12薄膜的直接禁带宽度为3.96eV. 相似文献
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Bi4Ti3O12栅Si基铁电场效应晶体管特性研究 总被引:3,自引:1,他引:3
王华 《固体电子学研究与进展》2004,24(2):159-163,222
采用溶胶 -凝胶工艺制备了 Si基 Ag/Bi4 Ti3O1 2 栅铁电场效应晶体管。研究了 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜厚度、栅宽 /长比等器件结构参数对性能的影响。研究表明 :铁电场效应晶体管的阈值电压、击穿场强和剩余极化等并不随 Bi4 Ti3O1 2 薄膜厚度的增加而线性变化 ,跨导和漏 -源电流在不同的栅宽 /长比范围变化趋势不同 ,当Bi4 Ti3O1 2 厚度为 2 0 0~ 40 0 nm、Wg/Lg 取 1~ 2时 ,器件可获得较好的综合性能 ,不同栅压变化过程的 Isd-Vsd特性曲线并不重合 ,表明该器件具有源于铁电薄膜极化的场效应特性。 相似文献