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“华北致冷”成为最大半导体致冷器生产企业 位于河北省廊坊市香河的华北致冷设备(集团)通过新增100万片半导体致冷器技术改造项目的国家级验收,使该公司半导体致冷器生产能力由原来50万片增大到150万片,成为世界上最大的半导体致冷器生产企业。 华北致冷设备公司此次新增项目国家投资1600万元,企业自筹380万元。该公司产品有半导体致冷材料和元件、陶瓷型及微型半导体温差电致     

用于半导体激光器实用化封装的半导体致冷器

简述了半导体致冷器的工作原理。给出了用于我所研制的温控光控Ⅳ型实用化封装半导体激光器中的致冷器——VBD0.76-18-1.4L微型半导体致冷器(尺寸9×7×3mm~3)几种很重要的半导体致冷关系:致冷工作电流与温差的关系I_c——△T曲线,致冷器热平衡过程T——t曲线,致冷器作热源时加热电流与热端温度关系I_n——T_h曲线。指出了环境温度对致冷效果的影响趋势。并给出了配合致冷器使用的感温元件——热敏电阻(10KⅡ级)的温度与电阻值关系T——R曲线,以及VBD0.76-18-1.4L致冷器用于我所实用化封装半导体激光器的一些实验结果。提出了半导体致冷器使用中应注意的一些问题。     

半导体致冷技术概述

本文在简要叙述了温差电三个基本效应之后,回顾了半导体致冷技术的发展概况,然后着重叙述半导体致冷材料和微型半导体致冷器的实验研究所取得的基本结果。     

半导体致冷器△T·Q参数智能测试系统

本文深入分析了半导体致冷器(温差电致冷组件)的工作原理,并从理论上讨论半导体致冷器最大温差△T_(max)、最大致冷量Q的测试原理。描述最新研制成功的△T·Q智能测试系统。     

赝三元系半导体致冷材料及器件的研制

研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０＾－３／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。     

半导体致冷温度控制器

介绍了一种半导体致冷器件的致冷温度控制方法，包括温度控制原理及控制与检测电路等。该控制器采用连续式控制方式，实际控温精度可优于±０．０８℃，并具有冷却温度预设置，上下限取警等功能。     

半导体致冷器与探测器杜瓦瓶钎焊的实验研究

本文论述了四级微型半导体致冷器与红外探测器金属杜瓦瓶的钎焊方法。实验证明:预先在致冷器底面和杜瓦瓶底座挂上钎料,采用钎剂和保护气体加热钎焊,可降低加热温度,提高钎焊质量;采用快速冷却可大大减小由于长时间热滞所导致致冷器性能的下降,从而为半导体致冷的红外探测器提供了最佳的组装方法和实验参考。     

光伏型HgCdTe探测器近室温特性的研究

文章介绍了光伏型碲镉汞探测器在干冰温度的特性。给出了理论估算和实际测量的结果。进行了探测器和半导体致冷器的互连试验。笔者认为以半导体致冷器致冷的碲镉汞探测器用于10.6μm CO_2激光通讯是可行的。     

半导体致冷技术的应用

本文首先介绍了半导体致冷技术的优点并简要说明了热电器件的三种工作模式,接着介绍了国内外半导体致冷器的几种系列产品并着重介绍了半导体致冷技术在高技术、低温试验仪器和设备、家用电器冰箱和空调器等方面的应用概况,最后指出,这是一种具有广泛应用前景的新技术。     

电致冷功率放大系统

本文提出利用半导体致冷器件对功率管致冷，以改善其噪声系数及工作稳定性，并期望提高功率管的输出能力。为此，讨论了系统物模型及其设计方法。本文的直接对象是声频功率放大器，但其结论对其功率放大器也适用。     

新型MEMS微致冷器可行性研究

MEMS的高能量密度驱动和IC高度集成使MEMS器件严生较强的热效应,影响了MEMS器件的稳定性和寿命。传统的致冷器与待致冷器件是相对独立的器件,无法满足MEMS器件局部有效致冷和系统集成的要求。介绍了一种新型铁电薄／厚膜MEMS微致冷器的原理和设计,探讨其作为MEMS致冷器的可行性,该致冷器可以在较大工作温度范围内,对基于IC硅工艺的MEMS器件和普通IC芯片进行致冷。     

数字式半导体控湿厢

利用半导体致冷器件去湿的工作原理及特性,给出去湿控湿系统的设计方法.试用表明该系统结构简单、无噪声、工作稳定、除湿效率较高、控湿准确,在小空间致冷除湿方面有较好的实用及推广价值.     

红外探测器的致冷技术

本文对红外探测器用的现有各种致冷器件的致冷方式及其原理作了一般介绍,并比较了它们在不同使用条件下的优缺点,主要目的是使红外探测器和红外系统设计人员更好地根据不同情况合理选用致冷器件。     

用于冷却红外探测器的两级固体致冷器的研制与轨道运行

这里介绍用于星载红外辐射计的两级固体致冷器的研制与轨道运行。主要致冷剂是甲烷(CH_4),它将聚焦光学系统和探测器维持在64K。而第二级致冷剂是氨(NH_3),它将会聚光学系统的一些部分冷却到152K,并对CH_4提供绝热保护。致冷器和一个独特的收缩装置互连,允许放入探测器组件与致冷系统,而无须和致冷器进行光学和电学互连。该系统在雨云F号飞船上于1975年6月射入轨道,为上述辐射计提供了6个月的致冷温度,温度变化约1K。     

半导体致冷恒温浴槽

本文介绍一种用半导体致冷器件制作的恒温槽．该装置采用了高精度温控仪,磁耦合搅拌器以及适当的保温材料．可以很方便地将容器内液体介质及被控部件控制在－３０°～５０℃之间,其精度小于００５℃．它可以广泛地应用于半导体工业及其他要求高精度恒温控制的装置中     

同步轨道卫星用碲镉汞空间辐射致冷器

本文叙述冷却碲镉汞探测器阵列用的双级被动辐射致冷器的结构和性能特点。支承探测器阵列的致冷器,经光调和红外辐射计准直,该辐射计装在自旋-稳定的同步轨道卫星上。在轨道上,致冷器的轴向与地球自转轴平行,与太阳射线的夹角小于±23°。至今已有三台碲镉汞辐射致冷器达到指标,可供飞行使用。双级辐射致冷器能将多元探测器阵列冷却到70～95K,这要取决于探测器的偏压功率、辐射计温度、致冷器-太阳的几何方向以及热-光学元件表面上可能遭到的污染情况。通过一块处于环境温度的太阳隔板和装在致冷级上的去污染加热器,可尽量避免后两种现象引起的性能降低。探测器级加热器也可用作温度控制装置,以使探测器的响应率固定不变。在冷却探测器和发射宇宙飞船期间,予加载的级间支架使探测器保持光学准直。在将杜瓦瓶组件装入致冷器和辐射计之前后,都可在周围环境下用节流致冷器对探测器阵列作冷却试验。辐射致冷器的性能测试是在热真空室内用液氮致冷的黑体背景构成的模拟致冷空间进行的。     

半导体致冷功率放大系统

一、问题的提出 目前声频功率放大器有两个趋势:①专业功放的输出功率越来越大。大型场馆动辄配置数以千瓦计的音箱。②Hi Fi功放追求完美的音质,除尽可能增加功率储备外,不少人主张回到甲类状态。以上两种趋势均使功率管的承受能力及散热问题变得严峻起来。为了改善功率管的工作条件,把它置于致冷槽中显然是可取的。只须把功率管的工作温度控制在室温附近,即可大大地改善其各项实用指标,包括噪声系数及稳定性。进一步降温还可望提高功率管的Pcm。对于工作在甲乙类的功放,Pcm每提高一倍,输出能力可提高五倍。 致冷放大本来不是新问题,但由于元器件的关系,大功率管致冷的应用一直受到限制。近年来由于半导体致冷器件的发展,对大功率管实行半导体电致冷,理应提到议事日程上来。 我们把电致冷功放分成二类:①强迫致冷——即直     

赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。     

电气测量技术及仪器

rM93夕4〔抖是公/J半导体致冷器八T·Q参数智能测试系统/迟泽涛(黑龙江省计算机应用开发研究中心)刀红外技术一1993,15〔4)一17~l() 文中深人分析了半导体致冷器(温差电致冷组件少的丁作旅理,并从理论十_讨论冲导体致冷器最大温差A丁二。、欲欠致冷星Q的测试她邢描述了最新研制成功的么丁·Q智能测试系统、图及参叉金)(金少了M930 9404127气非接触测最一空间滤波器/{:世忠即引l二轻化工学碗)刀自动化与仪表一1993,8(刃一犯一54 图3参2(会)1.卜1930 94041274测盆不确定度及其算法/何国伟lj遥测遥控一飞993,14(5)一43~45丁M93()1 9404 127…     

户外型程控交换机专用半导体空调器

本文介绍的户外型程控交换机能像电力变压器一样安装在室外，省掉了价格高昂的空调房间，这无疑给许多地区特别是贫困地区的通信事业的发展带来了福音。户外型程控交换机之所以能不怕酷暑和严寒，除了在结构上与普通型稍有不同之外，还因为在柜机内装了一套特别的装置——半导体空调器。半导体空调器是以半导体致冷器作为核心致冷源并配置以适当的散热器，吸热器，风机等元器件所构成的。由于元件的体积小，重量轻，因而适用于大小不同的各种交换机。以目前已经批量生产的MCH－482型户外型程控交换机采用半导体空调器为例，其主要技术参数…