热词

不买账“IntelInside”的宣传口号已经出现在手机厂商的广告宣传中。通过获得许可加入该计划的PC厂商有权在他们的产品上贴上英特尔的标识,英特尔则根据厂商的广告推广计划,报销部分钱款。但包括联想、多普达在内的国内手机厂商近期并没有采用英特尔手机处理器的计划。viPhone业内早有传闻,称继iPod之后,苹果将推出自己的手机产品。其中最可能的时机就是苹果的30周年纪念日。分析人士称,苹果很有可能推出一款名为“iPhone”的手机。NOR闪存日前Intel闪存产品事业部副总裁BrianHarrison表示,将在本季度推出Intel首款65nmNOR型闪存芯片…     

90nm造闪存

3月3日,英特尔公布了多款即将面世的NOR闪存产品。其中,代号为“Sibley”的产品是第一款90nm技术制造的NOR多级单元(Multi-level Cell-MLC)闪存设备。Sibley家族将可以提供108MHz的快速NOR读取速度,可最大限度地缩短代码执行等待时间。此外,Sibley的写入速度将可达到500KB/s,能够满足当今无线手持设备的快速多媒体图像数据存储需求。该产品家族将提高NOR闪存的密度,达到单片512MB的容量,同时还将支持多个内存接口,旨在为蜂窝原始设备制造商们(OEM)带来最大的设计灵活性。英特尔还公布了面向蜂窝市场的闪存软件(代号为“Naubinwa…     

3G手机带火闪存市场

除了常见的移动存储当中所用的NAND类型的闪存芯片,手机当中广泛应用了NOR类型的闪存芯片。NOR闪存芯片在手机当中所起到的作用就如同电脑中的内存,是数据存储与各种应用程序的存储地。目前的高档手机,即使是应用了150万像素的摄像头,并提供了Java支持以及各种Java游戏,其闪存的用量一般也不会超过128Mb,普通手机的闪存容量更是只有区区32Mb。Spansion公司亚洲区副总裁王光伟在接受记者采访时表示,3G手机在明年将会得到广泛应用,这将带火NOR闪存市场。3G应用因为能够使更丰富的多媒体内容下载成为可能,高质量的视频、音频流自然就加…     

Spansion批量生产512Mb串行闪存

行业领先的并行和串行NOR闪存芯片供应商Spansion公司,日前宣布已经开始批量生产512Mb Spansiorl FL—S串行（SPI）NOR闪存,该芯片是业界单颗裸片最高容量的串行闪存方案。     

芯片巨头推动闪存的发展

英特尔近期推出了一款使用Strataflash技术的存储芯片，通过该技术能够实现在一个单元上使用不同的电位存储两个字节的信息，这样一来，与标准闪存芯片相比，其数据存储精密度提升了一倍．选种采用90纳米工艺的制造的V18闪存芯户是第五代Strataflash技术的结晶．其数据密度是现有采用130纳米工艺制造的闪存芯片的两倍。     

基于ARM的引导加载技术的研究与实现

为了减小嵌入式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存：NOR Flash and NAND Flash进行了研究。由于NOR Flash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统。并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导。从而节省NOR Flash芯片,降低了成本。     

存储动态

Maxtor发布500GB容量的SATAⅡ硬盘，英特尔推出90纳米多级单元NOP闪存，宇瞻建立金牌内存数码闪存卡防伪系统，买华硕外置康及鑫能王送大礼。SanDisk开展“宏衢豪礼即刮即中”活动[编按]     

手机核心一芯集成

手机和掌上电脑的主要组件可以整合到单个芯片上了!英特尔公司2月13日在北京宣布,推出英特尔 PXA800F 手机处理器。它是业界第一款在单个芯片上集成 GSM/GPRS 基带解决方案、应用处理器和闪存的产品。PXA800F 手机处理器集成了主频为312MHz 的英特尔 XScale 处理器、4兆片上集成闪存以及512K 的SRAM(静态存储器);还包括一个采用英特尔微信号架构的104MHz 的信号处理器,带有512KB 的英特尔片上集成闪存和64KB 的 SRAM,从而在单个芯片上形成了一个完整的面向 GSM/GPRS 蜂窝网络的系统。PXA800F 采用0.13微米的制造工艺,在一个流程内把所有主要部件集成在一个芯片上,并能够支持多种接口,如蓝牙、索尼记忆棒,USB 等。它的大小为12mm×12mm×1.2mm。业界许多厂商对 PXA800F 表示支持,包括 TCL 移     

基于ARM的引导加载技术的研究与实现

为了减小嵌人式系统的体积和价格,对嵌入式中两种主要的闪存:NOR Flash and NAND Flash进行了研究.由于NOR Flash存在布线多、成本高、存储容量小、擦写速度慢等缺点,根据嵌入式系统可裁减可移植的特点,在对ARM处理器的启动方式进行分析和比较的基础上,裁掉NOR Flash芯片,仅用NAND Flash芯片引导和启动系统.并着重阐述了采用有效的存储结构提供可靠的坏块管理机制,采用多级引导方式,实现基于NAND Flash的引导.从而节省NOR Flash芯片,降低了成本.     

英特尔与美光创新NAND闪存技术

正新闻焦点:★与英特尔及美光已有的20纳米制程64GbNAND设备相比,其全新20纳米制程128Gb多层单元(MLC)NAND设备在存储容量与性能方面均增升了一倍;★英特尔和美光宣布开始量产其20纳米制程64GbNAND闪存,继续凭借最先进的NAND制程工艺技术引领产业发展;     

Spansion推出业内首款4 GB NOR闪存

2011年8月12日,中国上海—Spansion公司(NYSE:CODE)日前发布了业内首款基于65纳米生产技术的单芯片4GB(千兆比特)NOR闪存产品—4 GB Spansion     

事件

英特尔和芯片技术公司Numonyx最近发布了一项新技术,将使非易失性存储器突破NAND闪存20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本。     

45纳米Penryn处理器2008年上市——访英特尔技术与制造事业部技术分析师Rob Willoner

“2007年下半年,英特尔的45纳米Penryn处理器将投入生产,并将在2008年正式发布,取代目前英特尔推出的65纳米处理器。”英特尔技术与制造事业部技术分析师Rob Willoner在接受采访时如是说。按照英特尔的惯例,微处理器的制程一般每两年进行一次转换。Willone介绍说,从去年底开始,英特尔的微处理器开始了从90纳米向65纳米转换的过程。而在今年9月,英特尔的65纳米微处理器产品已经超过了90纳米的产品。正是65纳米工艺的全面应用才带来了11月发布的英特尔酷睿2四核处理器至尊版。Willone表示,由于采用了新的工艺和英特尔Copy Exactly(精确复制…     

AMD开卖65纳米芯片

12月初,AMD已经开始销售65纳米工艺芯片。AMD逻辑技术开发部的副总裁Nick Kepler表示,此次推出的这款65纳米工艺芯片最大的亮点便是节约耗电。一般来说,65纳米工艺芯片能够比同型号的90纳米工艺芯片节省30%左右的耗电。为了提升芯片性能,AMD使用了一种应变硅技术,提高了晶体管的性能。AMD第一款65纳米工艺芯片将是台式机芯片,笔记本电脑和服务器处理器将在随后推出。Nick Kepler表示,AMD今后将平衡芯片耗电与性能之间的关系,根据台式机、笔记本电脑以及服务器芯片的不同设计需求做出不同的调整。在芯片制造工艺方面,AMD与英特尔的…     

业界新闻

Intel宣布采用65纳米制程技术推动摩尔定律继续发展英特尔公司今天宣布在开发下一代芯片制造技术领域抵达重要里程碑。公司使用全球最先进的65纳米制程技术,成功制造出了包含有5亿多个晶体管、并具备全部功能的70MB静态随机存取存储器(SRAM)芯片。采用全新65纳米(1纳米等于十亿分之一米)技术制造的晶体管栅极(打开和关闭晶体管的开关)的尺寸为35纳米,比前代采用90纳米技术的晶体管缩小了大约30％。经过对比,人体的一个红细胞中大约可以容纳100个这样的栅级。英特尔方面表示:“英特尔的65纳米制程技术计划于2005年正式投入使用。”     

英特尔复攻手机市场

X86的芯片设计将推广至手机、消费性商品和其他目前．不常运用的领域——这是英特尔（www．intel．com．cn）于7月18日庆祝公司成立40周年前夕,其高级副总裁帕特·基辛格（Pat Gelsinger）对芯片产业未来做出的四大预测之一,他预言英特尔的产品将发展迅速,并将跨足到更多新领域中。这是继2006年的失败后,英特尔对手机市场的再次涉足。     

国际新闻

2007年末生产45纳米芯片——芯片商加紧攻关6月中旬,各大芯片厂商和大学的研究人员出席了I E E E赞助的2006SymposiumonVLSICircuits。芯片厂商计划在2007年末开始生产45纳米工艺的芯片,并在两年后将生产工艺进一步推进到32纳米。采用这些工艺生产的芯片将更快、能耗更低、集成有更多的晶体管、制造成本也更低。德州仪器曾表示,其采用45纳米工艺的手机芯片在性能提高30%的情况下,能耗反而会减少40%,消费者将能够在手机上玩游戏和看电视节目,而无须担心电池使用时间。德州仪器展示了45纳米工艺的SRAM内存单元,它的尺寸较其他厂商的类似…     

热词、观点

英特尔公布四核芯片“2+2”能否大于“4”英特尔于3月初在美国公布了四内核芯片,它实际上是在同一个封装内集成了两个双核芯片。这并不奇怪,英特尔的首款双内核芯片就是通过这种方法“相加”的。英特尔的三款四内核芯片—面向PC的Kentsfield、面向2路服务器的Clovertown、面向4路服务器的Tigerton都采用65纳米工艺。英特尔计划到2007年下半年转向更先进的45纳米工艺。这表明了英特尔感到了及时在市场上推出产品、保持对AMD的竞争优势的紧迫性。“电视台的短信互动活动就本质而言是一种彩票性质的行为。国家应该限制这种做法。”全国政协…     

闪存技术大比拼

NOR和NAND是现在市场上两种主要的闪存类型．在性能方面可谓各有千秋。在2005年岁末NAND型闪存的市场份额首趺超越NOR，九有后来居上之势（图1），闪存市场的格局开始改变。是什么原因导致了这种趋势昵？是NAND技术优于NOR技术吗？要回答这些问题，还得从存储技术原理说起。     

英特尔发布面向数据中心固态硬盘710

<正>近日,英特尔公司宣布推出最新固态硬盘(SSD)产品——英特尔R固态硬盘710系列。这是一款面向数据中心的专用多层单元(Multi-LevelCell,MLC)固态硬盘,它将取代英特尔X25-EExtreme固态硬盘。英特尔RX25-E固态硬盘基于更昂贵但高度可靠的单层单元(Single-LevelCell,SLC)NAND闪存技术,英特尔固态硬盘710系列则采用了英特尔25纳米制程特选高品