金刚石薄膜的形核研究

本文介绍了当前金刚石薄膜形核的现状及用热丝化学气相沉积法在不同的衬底上沉积金刚石膜，对Si、Ni、Cu三种衬底生长的金刚石膜进行研究如何增大形核密度、提高形核质量。得到了制备高密度和高质量的金刚石膜的方法。     

微波CVD法合成金刚石薄膜生长机理分析

探讨了微波等离子体ＣＶＤ法合成金刚石薄膜的生长机理，指出等离子体中ＣＨ３，ＣＨ２，Ｈ的含量是决定薄膜品质的关键因素。     

燃焰法沉积金刚石薄膜的成核与生长

用扫描电镜研究了燃焰法沉积金刚石薄膜的成核与生长行为．分析了从成核至形成连续膜期间金刚石晶粒的生长特点．研究了沉积时间对金刚石薄膜晶体形态和表面形貌的影响。     

微波CVD法合成金刚石薄膜的生长规律及薄膜品质分析

阐述了 微波等离 子化学 气相沉 积 方法 合成 金 刚石 薄 膜的 生长 规 律,并 对 薄膜 品质 作 了分析,指 出加强基 板预处理 、提高工 艺参数控 制精度 是决定薄 膜品质 的关键因 素。     

硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术

用常压化学气相淀积法在（１００）Ｓｉ衬底上异质外延生长了３Ｃ－ＳｉＣ薄膜。为减小３Ｃ－ＳｉＣ与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓支的最佳条件。测量结果表明,１３００℃下在Ｓｉ℃衬底缓冲层上可以获得３Ｃ－ＳｉＣ单晶。     

微波CVD法合成金刚石薄膜的生长规律及薄膜品质分析

阐述了微波等离子化学气相沉积方法合成金刚石薄膜的生长规律，并对薄膜品质作了分析，指出加强基板预处理，提高工艺参数控制精度是决定薄膜品质的关键因素。     

采用石墨碳源沉积金刚石薄膜

采用固相石墨为碳源,使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在Si(111)上沉积高质量的金刚石薄膜.研究了在气相碳源浓度处于不饱和状态时,沉积气压和石墨温度对生长速率的影响.利用SEM、XRD、红外光谱分析薄膜表面形貌和质量.结果表明高质量的金刚石薄膜可在H2激发而产生的封闭的等离子体气氛下合成,高的沉积气压和石墨温度会导致高的气相碳源浓度,从而有利于提高薄膜的生长速率,而低的气相碳源浓度有利于沉积薄膜的质量的提高.     

钙钛矿电子结构的密度泛函理论研究

应用密度泛函理论(DFT)计算方法,优化了K2Ti2O5的稳定几何构型,并计算了此钙钛矿体系的能带结构和态密度等基态物理性质.结果表明,K2Ti2O5属于间接绝缘体氧化物,其理论带隙宽度为2.6 eV.Ti原子处于氧原子的中心,其d轨道分裂为能量较高的eg和能量较低的t2g轨道,各轨道都靠近费米能级变为占据或半占据状态...     

碳化硅异质外延薄膜生长及表面缺陷研究

讨论了引入Ⅲ-V族氮化物为蓝宝石与碳化硅中间的缓冲层，用常压气相外延手段在蓝宝石/Ⅲ-V族氮化物复合衬底上异质外延碳化硅薄膜的过程，在C面（0001）蓝宝石上成功地生长出Sic薄膜，扫描电子显微镜显示薄膜表面连续，光滑，证明良好的氮化物缓冲层对碳化硅薄膜异质生长具有重要的意义，同时在表面发现直径为1-10μm的六角形缺陷，对缺陷面密度与工艺参数的关系进行了分析，并对缺陷产生的机理进行了探讨，认为反应产生物的腐蚀是产生六角形缺陷的来源。     

WC-Co硬质合金上高质量金刚石薄膜的制备

采用微波等离子体化学气相沉积法在硬质合金基体上制备金刚石薄膜.研究了铜过渡层和酸蚀脱钴两种基体前处理工艺以及在施加铜过渡层的情况下,不同的沉积气压和基片温度对金刚石薄膜的质量的影响.结果表明:在施加铜过渡层后,在适中的沉积条件下(沉积气压6.0 kPa,基片温度约为780℃)可得到质量较好的金刚石薄膜.     

AlN能带及态密度的密度泛函理论研究

文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法计算了A lN晶体的能带结构和态密度曲线。研究表明,A lN的价带由-15.3eV－-12.3eV的下价带和-6.2eV－0eV的上价带区组成,价带顶出现三个子带：简并的重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合所分裂出来的劈裂带（距带顶0.2eV）;导带主要是由A l的3s、3p态电子和N的2p态电子构成的;理论预测A lN价带空穴具有大的有效质量;A lN是一种直接宽禁带半导体,带隙为4.7eV,比较起来该结果优于一些文献中的计算值。     

密度泛函理论的基本计算方法研究进展

密度泛函理论(DFT)作为处理多粒子体系的近似方法已经在凝聚态物理、材料科学和量子化学等领域取得了巨大成功并获得广泛应用。综述了密度泛函理论及其数值方法的发展历程和最新进展,重点对基本理论和各类交换关联泛函进行分析,并对DFT的发展趋势做出了展望。     

羟基磷灰石生物材料的第一原理计算

通过密度泛函理论计算来研究原子尺度羟基磷灰石晶体结构和电子结构.结果表明,羟基磷灰石为P63空间群六方单胞,点阵参数为a=0.9302nm、b=0.9303nm、c=0.6770nm,α=90°、β=90°、γ=120°.单胞总态密度主要是由各原子s,p,d电子态组成,费米能级主要是氧的2p4轨道的贡献,表明单胞结构中氧的2p电子最活泼.将优化后结构的衍射图谱和实验衍射图谱进行了比较,匹配较好.     

RTH结构分子筛酸性的密度泛函理论研究

采用密度泛函理论中的广义梯度近似方法（GGA）对RTH结构分子筛的酸性进行了研究。考察了4个不同T位的Al的替代能以及16个不同Br nsted酸位的脱质子能,从而推断可能的Al的取代位以及不同酸位的酸性强弱。结果表明,RTH结构分子筛上最有可能的Al的取代位为T4,位于八元环的孔口（0.56 nm×0.25 nm）;从结构和酸性考虑,易与反应物接触且酸性较强的Br nsted酸位点在Al4-O9（H）-Si2和Al4-O16（H）-Si4上,并且这两个酸位点都指向两个八元环孔口。     

直流辉光化学气相沉积金刚石的成核密度研究

利用直流辉光等离子体化学气相沉积金刚石的装置,研究了衬底材料以及表面状态对金刚石薄膜成核密度的影响,结果表明金刚石薄膜的成核密度与衬底材料的结合能、晶格常数、对碳的吸附能力及其表面状态有着密切的关系,具有较高结合能和对碳具有较强吸附能力的衬底材料有利于金刚石薄膜的成核.     

金刚石线锯上砂工艺对微粉密度的影响

以直径0.25 mm的琴钢丝为基体,粒径22～38μm的金刚石微粉(表面镀膜)为磨料,瓦特镀液为基础镀液,用微型气泵对上砂镀液进行搅拌,用落砂法上砂工艺制造金刚石线锯.结果表明:当气泵电机转速在100～120 r/min之间,线锯走动速度为100 mm/min,阴极电流密度调节至2～3 A/dm2时,可以制得微粉密度稳定的线锯,其微粉密度为1.35 Ct/dm2左右.     

从硬球密度泛函近似到非硬球密度泛函近似的普适性理论方案：可应用于超临界与亚临界区域（I）

提出了一个普适性的理论方案，该方案使一切硬球密度泛函近似能被扩展到非硬球流体的情形。将该普适性理论方案与任意硬球密度泛函近似结合所形成的非硬球密度泛函近似，仅仅需要共存体相流体的二阶直接相关函数作为输入，因而能用于超临界与亚临界区域的情形。其中的有效硬球密度可由硬墙Sum规则确定。结果表明，如此确定的有效硬球密度可用于任意外势情形。作为代表性的例子，我们将该普适性理论方案与一个最近提出的桥密度泛函近似结合，用以预言硬核吸引汤川势流体在几个不同的外场影响下的密度分布。此理论与相应的计算机模拟数据符合很好，或至少与以前的几个密度泛函近似相当。并讨论了该方法相比于以前的几个方法所具有的优点。     

从硬球密度泛函近似到非硬球密度泛函近似的普适性理论方案:可应用于超临界与亚临界区域(Ⅰ)

提出了一个普适性的理论方案,该方案使一切硬球密度泛函近似能被扩展到非硬球流体的情形.将该普适性理论方案与任意硬球密度泛函近似结合所形成的非硬球密度泛函近似,仅仅需要共存体相流体的二阶直接相关函数作为输入,因而能用于超临界与亚临界区域的情形.其中的有效硬球密度可由硬墙Sum规则确定.结果表明,如此确定的有效硬球密度可用于任意外势情形.作为代表性的例子,我们将该普适性理论方案与一个最近提出的桥密度泛函近似结合,用以预言硬核吸引汤川势流体在几个不同的外场影响下的密度分布.此理论与相应的计算机模拟数据符合很好,或至少与以前的几个密度泛函近似相当.并讨论了该方法相比于以前的几个方法所具有的优点.     

从硬球密度泛函近似到非硬球密度泛函近似的普适性理论方案:可应用于超临界与亚临界区域(I)(英文)

提出了一个普适性的理论方案,该方案使一切硬球密度泛函近似能被扩展到非硬球流体的情形。将该普适性理论方案与任意硬球密度泛函近似结合所形成的非硬球密度泛函近似,仅仅需要共存体相流体的二阶直接相关函数作为输入,因而能用于超临界与亚临界区域的情形。其中的有效硬球密度可由硬墙Sum规则确定。结果表明,如此确定的有效硬球密度可用于任意外势情形。作为代表性的例子,我们将该普适性理论方案与一个最近提出的桥密度泛函近似结合,用以预言硬核吸引汤川势流体在几个不同的外场影响下的密度分布。此理论与相应的计算机模拟数据符合很好,或至少与以前的几个密度泛函近似相当。并讨论了该方法相比于以前的几个方法所具有的优点。