IDM厂营收超越IC设计

研调机构IC Insights预计,2015年前10大整合器件制造(IDM)厂营收将持平,反观前10大IC设计厂则恐将衰退5%,这将是史上第2度IDM厂表现优于IC设计厂。IC Insights指出,2010年动态随机存取存储器(DRAM)与储存型快闪存储器(NAND Flash)市场分别大幅增长75%及44%,带动当年半导体IDM厂营收增长达35%。     

NAND flash大跃进 欲争存储器盟主地位

据iSuppli公司报道,2005年世界存储器市场为487亿美元,2006年将增长9%,达531亿美元,其中NAND将激增41%,达153亿美元,占存储器市场29%,2007年还将续增近50%,大有赶上并超过原盟主DRAM之势。2006年NORflash受NAND影响,仅增长12%,达88亿美元,与NAND相差几一倍。NAND的大发展主要是     

价格突破垄断应用更加广泛

据韩国的主要存储器厂商介绍:“在日本,许多电子词典制造厂家都开始在其产品中采用NAND型闪存替代掩膜ROM。而在韩国,几乎所有手机制造厂家的产品都已经将代码存储从N O R型转换为NAND型。”用于数据存储的闪存,通常适用于存储静态画面和音乐、动态画面以及PC数据等,其存储器的典型结构是NAND型与AG-AND型。同以NOR型为主的用于代码存储的闪存相比,易于增大容量,每位的成本低,而且写入速度快。NAND型闪存的用途正在发生巨大变化。目前主要是面向数码相机,用作存储卡的存储,最近,在嵌入式设备中正逐渐将其用于代码存储。今后几…     

NAND的增长重塑NOR市场 NOR供应商需寻求新的非易失性存储器技术

2005年第一季度NAND闪存收入首次超过NOR, iSuppli公司预测,尽管表面上消费类电子对于低成本固态存储器的巨大需求将推动NAND需求的增长,但NOR超越NAND的情况在未来几年将继续。如图所示,2005年NAND总收入将超越NOR,略高于整个闪存市场收入的一半。到2007年,NAND的收入将占据整个闪存市场收入的61%。     

闪存价格暴跌的背后——价格突破垄断应用更加广泛

据韩国的主要存储器厂商介绍：“在日本，许多电子词典制造厂家都开始在其产品中采用NAND型闪存替代掩膜ROM。而在韩国，几乎所有手机制造厂家的产品都已经将代码存储从NOR型转换为NAND型。”     

与非门型闪存的密度增加

制程工艺与单元结构上的进步为实现更大的存储容量和更快的读写操作作出保证。在NAND(与非门)型闪存领域中,创新的车轮正在以一种非常危险的速度飞速旋转着。这些存储器的存储容量已经几近16Gbit,它们所提供的存储容量对任何一种晶体管存储器制程而言都是密度最大的。这种存储器看似速度较快,但是由于在单元结构、电路架构和制程技术上的进一步改进,这个数字将很快成为历史,NAND型闪存的存储容量与性能将会迎来一个新纪元。     

100GB闪存将改写电子产品市场格局

目前,NAND闪存的批量价格为6.3美元/GB～8.5美元/GB.在此基础上,如果今后存储器生产厂商能够按照每年50%的速度降低闪存价格,到2010年,100GB NAND闪存的价格将会达到1万日元(约合630元人民币).     

NAND快闪存储器"三明治"可支持高性能应用

位于美国加州纽华克（Newark）的闪存磁盘制造商——M-Systems公司与日本东芝公司设在该州伊尔文（Irvine）的半导体制造商——东芝美国电子元件公司经过合作，开发出了一项创新性的技术，该技术使得标准的多级单元（MLC）NAND快闪存储器能够在通常被NOR型存储器所主宰的高速、高可靠性系统中得到应用，例如代码数据和局部数据存储器。这项被称为x2的创新技术改进了NAND操作规范，并可使同等的NOR存储器容量增加三倍，或使同等的二进制NAND存储器容量增加一倍。标准NOR允许直接根据存储器的指令执行软件，但操作速度低于NAND，…     

东芝公司开发高密度NAND型实用化的器件技术

日本东芝公司为了能使新一代的高密度NAND型存储器实用化，已研制成能大幅度缩小存储器单元面积的器件技术。NAND型存储器由于存储单元的结构简单，作为适合于大容量的半导体特别引人注目。为了使记忆媒体实用化，占芯片面积大部分的存储器单元面积缩小和低价格的技术是必要的．该公司所开发的新技术是EEPROM用的目调整STI单元技术和DRAM用的新存储器单元技术。由于采用这些技术，新一代的高密度半导体存储器的高集成度和低价格是可能的。前者的技术，在NAND型EEPROM的器件分离中采用浅沟道技术（STI），对于杨电极来说，用自…     

基于EPG3231和闪存的声音播放器设计

提出一种在单片机系统中比较简单地使用大容量NAND Flash存储器的方法.与一般方法相比,编写应用程序的程序员不需要掌握计算机文件系统的规范,只要按照NAND Flash的读、写、擦除等时序对其进行操作,把NAND Flash当成NOR Flash或SRAM来对待,这样存储器的物理地址对程序员而言是透明的,只需要在遇到坏块(BAD BLOCK)时跳过该块就可以了.该方法降低了使用NAND Flash存储器的难度和成本,且不仅适用于EPG3231,也可以推广到一般的8位单片机系统中使用.     

一种高可靠大容量星载存储器的设计与研究

凭借着存储密度大和存储速率高的特点,基于NANDFlash的大容量存储器在星载存储领域得到了广泛的应用,由于NAND Flash本身存在缺陷,基于NAND Flash的大容量存储器在恶劣环境下的可靠性难以保证.提出了通过FPGA设计SRAM对关键数据三模冗余读取和缓冲、NAND Flash阵列热备份和数据的回放校验以及合理的坏块管理等措施,实现了高可靠性的大容量存储器.实验说明该系统不会因为外在偶然因素而造成数据的不完整,而且整个存储系统的成本开销相对于目前的星载存储器也非常低.     

信息通讯应用质变重逆存储器市场与技术

根据Gartner数据显示,2002年全球存储器市场销售值达284亿美元,其中只有DRAM与NAND型Flash呈现正成长的趋势,其它市场如S RAM、NOR型Flash、EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)、Mask ROM (Mask Read-OnlyMemory)与其它存储器都呈现不同程度的衰退.     

一种含BCH编解码器的SLC／MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计

为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器.为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应NAND类型存储器的随机错误特点.该控制器可支持多种类型的NAND FLASH.另外,对一种基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH编解码器VLSI结构进行了研究,采用一种简化伯利坎普-梅西算法实现的低复杂度的关键方程解算机消除其速度瓶颈.芯片采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺.测试结果证明,设计电路完全符合系统规范,性能表现优良.     

移动存储器成为存储器的成长主力

在智能手机和平板电脑市场稳好增长的驱动下,包括NAND和NOR闪存、NAND嵌入式多媒体卡(eMMC-embedded multimedia card)和移动DRAM在内的移动存储器近年已成为存储器市场的增长引擎,如果消费者对智能手机和平板电脑等移动设备的热情不减,那么移动存储器未来几年的发展更被看好.     

基于内建自测试电路的NAND Flash测试方法

随着NAND Flash在存储器市场中的占比与日俱增,对NAND Flash的测试需求也越来越大。针对NAND Flash存储器中存在的故障类型进行讨论,并对现有测试算法进行分析,为提高故障覆盖率以及降低测试时间,对现有的March-like测试算法做出改进,改进算法比March-like算法的故障覆盖率提高了16.7%,测试时间减少了30%。完成存储器内建自测试（MBIST）电路设计,设计了FPGA最小系统板并进行板级验证,结果验证了MBIST电路以及改进的测试算法的可行性。     

NSC和东芝签订合作协议共同发展连续存储器技术

美国国家半导体公司(NSC)最近宣布和东芝签订合作协议,联手进军速闪存储器市场,根据协议,两家公司将开展一项为期十年的合作计划,包括开发、设计、生产以及取得许可证,经营业务。 基于此项协议,NSC准备向市场推出一系列元件。该公司将于一九九三年第三季推出1M、4M和16M的工程样本,其中1M和4M元件属于NOR类型,而16M则属于NAND类型。NSC的设计中心目前正在开发512K、2M以及8M NOR型的速闪存储器元件。 “NSC的策略是集中设计专门应用系统,而速闪存储器在这类系统中是决定性的技术,更是整个解决方案中极为重要的一环”。NSC的存储器产品部的副总裁兼总经理Bami Bastani博士说。NSC会专注发展16M以上密度的NAND型元件,因为NAND元件在高密度生产时的成本效益较高,而且能够在单一5V电源下工作。     

浅析闪速存储器接口的类型与应用

本文主要对闪速存储器(闪存)的接口类型和应用进行浅析。通过对闪速存储器的NOR型和NAND型所涉及到的各种接口分类、接口应用的时序和传输方式的比较,进一步的阐明了闪速存储器接口的特性和应用的趋势。     

Micron：MCP技术拓宽NAND应用空间

2006年下半年以来NANDFlash价格暴跌,在使产业上、下游厂商获利难度增加的同时,也在驱动大容量NAND Flash存储卡需求量暴增,特别是内置式、嵌入式存储器市场更是得到了蓬勃发展.随着NAND Flash成本越来越低,叠加NAND与DRAM的MCP(多芯片封装)技术不断成熟,NAND产品的应用范围正不断扩大着.     

三星电子公司批量生产16Mb闪光存储器

韩国三星电子公司从1994年11月起已开始批量生产NAND16Mb闪光存储器，采用0．6Pm工艺，生产规模为月产10万枚。三星电子公司1992年与日本东芝合作进行NAND型闪光存储器的开发。世界闪光存储器市场，1995年为20亿美元，2000年为80亿美元，三星电子公司正在加快研究步伐。三星电子公司批量生产16Mb闪光存储器@一凡     

AND的增长重塑NOR市场——NOR供应商需寻求新的非易失性存储器技术

2005年第一季度NAND闪存收入首次超过NOR，iSuppli公司预测，尽管表面上消费类电子对于低成本固态存储器的巨大需求将推动NAND需求的增长，但NOR超越NAND的情况在未来几年将继续。