BSNBT系微波陶瓷性能研究

通过XRD、SEM等技术对Ba4[Sm1-x(Nd0.8Bi0.2)x]28/3Ti18O54(BSNBT,x=0.15⁰.9)系陶瓷的结构组成、显微形貌、烧结温度及介电性能进行综合表征和研究。当x=0.45时,在1 320℃烧结获得了高介电常数、高品质因数及近似零谐振频率温度系数的最优微波性能:εr=90.22,Q×f=7 192GHz,τf=-1.39μ℃-1。随着x增大,即Ba(Nd,Bi)2Ti4O12(BNBT)相增加,陶瓷烧结温度从1 450℃降低到1 300℃,烧结特性也随之改善并得到实际应用。     

MnCO3对BMT系陶瓷结构和微波特性的影响

研究了w(MnCO3)从0．5％～5％(质量分数)对复合钙钛矿Ba(Mg1／3Ta2/3)O3(BMT)系陶瓷结构和微波特性的影响。对于w(MnCO3)为0．5％的BMT系陶瓷,其主晶相为1：2有序六方超晶格和无序立方结构,相应于最大的品质因数与频率的积(Qf)值。随着w(MnCO3)的增加,其Qf值下降。介电常数ε随w(MnCO3)的增大而略有下降,这是由于附加相Ba0.5TaO3影响所致。     

微波单片陶瓷电路技术研究

微波单片陶瓷电路(MMCC)是一项新兴的薄膜集成技术,是将构成微波电路的要素尽可能采用薄膜电路的实现方式集成于陶瓷基片上,并采用微细实心金属孔及空气桥、介质跨接等工艺实现接地、跨接和互联,可大大提高集成度,改善微波产品的性能.对该项技术进行了简要的介绍,并对主要的工艺技术如微小实心孔及金属化、集成电容技术、介质桥技术进行了重点阐述,同时应用MMCC技术设计和制作了微波鉴相电路,达到了预期效果.     

片式多层三端陶瓷EMI滤波器的研究

利用电容器的阻抗特性,在传统的片式多层陶瓷电容器内部结构基础上进行重新设计,制成了滤波性能更优异的片式多层陶瓷三端EMI滤波器;这种EMI滤波器具有低的等效串联电阻和低的直流电阻。研究表明,等效串联电阻随着有效介质层厚度的降低而降低,直流电阻随着有效介质层数的增加而降低。     

CNT对BST陶瓷微波介电性能的影响

采用XRD及SEM研究(Ca0.61Nd0.26)TiO3对微波介质陶瓷Ba4Sm9.33Ti18O54的结构和微波介电性能的影响。获得了一些性能较好的微波介质陶瓷(1–x)Ba4Sm9.33Ti18O54-x(Ca0.61Nd0.26)TiO3,其微波介电性能如下:εr=75,Q·f为8985GHz,τf为–8.2×10–6℃–1(x?=0);εr为75,Q·f为9552GHz,τf为–14.4×10–6℃–1(x?=0.2)。     

铝聚合物电解电容器的特性及应用

本文主要介绍了铝聚合物电解电容器的电气性能及主要参数,重点阐述了其等效串联电阻(ESR)低、承载纹波电流能力强的优点,同时分析了铝聚合物电解电容器在电路中应用的特点。     

微波场中烧结BaTiO3系半导体陶瓷的研究

采用ＴＥ３１０３单模腔微波炉烧结ＢａＴｉＯ３系半导体陶瓷，对微波与陶瓷材料相互作用机制进行了探讨，分析了ＢａＴｉＯ３陶瓷微波结过程中各损耗随温度的变化规律；同时，分别在体系中引入受主杂质Ｃｒ＾３＋和施主杂质Ｎｂ＾５＋，研究微波场中杂质浓度对钛酸钡陶瓷晶粒生长的影响。     

ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的相结构及研究进展

对ZnO-TiO2体系相结构进行了分析,并从制备工艺、掺杂改性和低温烧结三个方面综述了ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的研究进展,提出ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的主要发展方向:①掺杂金属阳离子改性;②采用物理方法(包括半化学法)降低颗粒半径,在提高反应活性的基础上,掺杂适量助烧剂,实现陶瓷的低温烧结。     

高温结构陶瓷的微波快速烧结研究

研究了多模腔微波烧结系统对低损耗陶瓷材料快速烧结及其显微结构与性能。     

中温烧结BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5系微波瓷料

使用电子陶瓷工艺制备得到了掺杂Mn和Sn的BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5(BTZN)系陶瓷，XRD表明，其主晶相为Ba2Ti9O20、BaTi4O9，另外还有少量附加晶相：Ba4Ti13O30、Ba3Ti12Zn7O34、BaTi5O11等。少量Mn和Sn掺杂有利于系统Q值的提高，降低了烧结温度并提高了介电性能。文中主要对Mn和Sn掺杂的影响机理分析作了分析。Mn和Sn综合掺杂的结果，使得在中温1160℃得到了微波介电性能优良的BTZN陶瓷。同时，把此种瓷料制成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域。     

低温烧结Ba3Ti5Nb6O28陶瓷及其微波介电性能

研究了CuO助剂对Ba3Ti5Nb6O28陶瓷的烧结特性、微结构以及介电性能的影响。研究表明,适量CuO助剂能使Ba3Ti5Nb6O28陶瓷的烧结温度从1 300℃降到950℃以下。部分CuO会固溶于Ba3Ti5Nb6O28并改变其晶粒形状,出现少量长条状晶粒。随着CuO含量增加,介电常数(rε)无明显变化,品质因数与频率之乘(Q×f)值因固溶物的产生而下降,频率温度系数(τf)向负频率温度系数方向移动。w(CuO)为1%的Ba3Ti5Nb6O28样品,在920℃、2 h下,获得了介电性能较好的低温共烧陶瓷,其介电常数rε为41,Q×f=6 500 GHz,τf=4×10-6/℃。     

SnO2掺杂ZnO-Nb2O5-TiO2微波介质陶瓷

研究了 SnO_2对 ZnO-Nb_2O-5-TiO_2陶瓷相结构和微波介电性能的影响。随 Sn 添加量的增加,晶相组成逐步从(Zn_(0.15)Nb_(0.30)Ti_(0.55))O2相转变为 ZnTiNb_2O_8相,相对介电常数 ?r减少,?f向负频率温度系数方向移动, 当 Sn 含量增加到0.20,?f可降至 9.8×10–6℃–1。当 SnO2的摩尔比 y 为 0~<0.08 时,形成完全固溶体,提高 Q·f 值;当 y>0.08,部分Sn 形成第 2 相,降低其 Q·f 值。当 y 为 0.08,在 1 150℃烧结,具有很好的微波介电性能,其 ?r为 50.3,Q·f 为 14 892GHz,?f为 25.12×10-6℃–1。     

Bi2O3添加剂对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5介电性能的影响

以Bi2O3为添加剂，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5(ANT)系统介电性能的影响。用XRD衍射和SEM扫描作为技术手段，研究其不同质量比对Ag2O-Nb2O5-Ta2O5系统微观结构的影响。     

微波基板用陶瓷材料Li_2Mg_(1-x)Zn_xTi_3O_8微波性能研究

通过传统固相反应法制得三元系尖晶石结构的Zn掺杂的Li_2Mg_(1-x)Zn_xTi_3O_8(LMT)陶瓷。讨论了Zn掺杂对Li_2MgTi_3O_8陶瓷试样的相结构、显微结构及微波介电性能的影响。当Zn掺杂量为0.06时,Li_2Mg_(0.94)Zn_(0.06)Ti_3O_8陶瓷试样在1 075℃烧结4h可获得良好的显微结构与微波性能,其中介电常数适中(ε_r≈26.58),品质因数较高((Q×f)≈44 800GHz),谐振频率温度系数趋近于0(τ_f≈1.9μ℃~(-1))。该研究得到的陶瓷材料具有良好的微波介电性能,可作为无机填充材料运用于微波复合介质基板材料的研制中。     

添加物对Ag2O-Na2O-Nb2O5-Ta2O5介电性能的影响

添加物对改善(Ag1-xNax)(Nb1-yTay)O3陶瓷系统的各项介电性能起重要的作用.该文着重讨论了改性添加物Sb2O5和矿化剂MnO2的含量对本系统性能的影响.实验表明,w(Sb2O5)对本系统损耗的影响较复杂,应控制在2.5%,而矿化剂MnO2的加入能有效改善本系统的烧结性能,w(MnO2)应控制在2.0%,这样才能将本系统的损耗有效降低至6.0×10-4.     

还原气氛对表面层陶瓷电容器介电性能的影响

在材料组成、烧结工艺不变的情况下，系统研究了还原气氛对Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器瓷片半导化电阻率、瓷片介电性能的影响。研究结果表明，半导体陶瓷电容器的容量变化率强烈依赖其还原气氛，无论是Y5V、Y5u还是Y5P瓷片均有类似的变化规律。氧分压降低，电容器的电容量温度变化率△C／C变小，当H2：N2比例大于20：100时，瓷片的△C／C不再变化，大约为空气烧结瓷片△C／C的88％。在不改变瓷料组成、烧结温度的情况下，通过还原气氛的适当控制，可改善Y5V、Y5u、Y5P型表面层半导体陶瓷电容器的电容温度特性，而其他介电性能基本不变。     

V2O5的引入方式对锂铌钛微波陶瓷性能的影响

研究了Li_(1+x-y)Nb_(1-x-3y)Ti_(x+4y)微波介质陶瓷以V_2O_5作为烧结助剂的烧结机理,V_2O_5不同的引入方式对材料主晶相预合成度、钒在粉体中的分散性能、烧结性能和微波性能的温度稳定性等的影响。研究表明,该体系属于液相烧结,对V_2O_5进行热处理有利于提高预合成度,有利于制备均匀的陶瓷粉料,有利于提高烧结性能和微波性能的稳定性。