一维硅纳米材料的研究进展

作为微电子领域最重要的半导体材料,硅的一维纳米结构在器件组装、纳米尺寸磁性器件、光电子等领域具有重要的作用,已经成为国际上材料科学研究的一个热点.从制备方法、应用前景等方面综述了国际上关于纳米硅丝和纳米硅管的研究进展,并提出今后的研究方向.     

日本半导体硅材料三十年的发展

日本的电子工业,自1955年以来,增长速度超过其他产业,继美国之后,成为电子工业国。电子工业国的显著特征是半导体化。半导体硅是半导体产业的主要支柱。估计,半导体硅这一主导地位,到本世纪末将不会改变。日本半导体硅材料的发展速度是十分惊人的。为此,当日本半导体硅材料发展至今,回顾其三十年走过的历程,了解硅业界的发展状况,展望未来,可能对我国半导体硅材料的发展有参考价值。     

加快太阳级硅制备新技术研发 促进硅资源可持续发展

随着光伏产业的迅速发展,太阳级硅原料供给不足已经成为光伏产业发展的最主要的瓶颈之一。为了满足太阳能电池工业健康发展,研发一个不依赖于半导体硅生产的低成本太阳能级硅供应体系是非常必要的。云南省硅资源及冶金级硅产品品质优良,水电资源也非常丰富,加快对太阳级硅制备新技术的研究开发不仅具有广阔的市场潜力,而且对促进云南省硅资源的可持续发展,提高云南的高新技术水平,加速半导体材料的发展都具有重要的意义和作用。     

日本2004年半导体硅供需情况及2005年预测

2004年，日本对半导体硅的需求为6751t，比2003年增长31％，达到历史最高水平。据WSTS(世界半导体市场统计)统计，2004年世界半导体市场销售额为2130亿美元，比2003年增长28％。WSTS预测，2005年世界半导体产业将比2004年增长1％，单晶产量及销售量将分别比2004年增长5％。2004年，日本半导体用多晶硅产量为6135t，     

半导体材料的发展及现状

1 引言 半导体材料的价值在于它的光学、电学特性可充分地应用于器件。自硅开始替代锗,直到现在,甚至以后很长一段时间里,硅仍将是大规模集成电路的主要材料。如在军事领域中应用的抗辐射硅单晶（NTD）、高效太阳能电池用硅单晶、红外CCD器件用硅单晶等。但在超高速集成电路和光电子领域,化合物半导体材料显示出了它不可替代的优势。 GaAs和InP基材料在10年前就应用到器件中了,成为化合物半导体基器件的主要支柱材料。随着微电子技术向高密度、高可靠性方向发展,对半导体材料的要求也越来越高。GaAs材料的异军突起,打破了Si材料一统天下的同     

多孔硅制备及在太阳能电池中的应用研究进展

多孔硅是通过对单晶硅片进行电化学腐蚀或适当的化学腐蚀而形成的一种纳米结构半导体材料。多孔硅纳米材料因其巨大的表面积、可调谐的光学性质和良好的相容性，被广泛应用于电子器件、生物传感、化学传感、药物传递、生物芯片等诸多领域。当前研究的挑战主要在于开发更简单高效的多孔硅纳米材料合成方法以及提高其在实际应用中的表现。综述了多孔硅纳米材料的制备方法及其光致发光在太阳能电池领域中的应用。     

简谈半导体硅材料的现状与发展趋势

综述了半导体硅的市场、生产及科技新进展,介绍了国内外的发展趋势,提出了加快我国半导体硅材料发展步伐的几点意见。     

硅基镓氮固态光源关键技术研究取得重要进展

我国“863”计划新材料领域课题“硅基镓氮固态光源关键技术研究”通过了验收。该课题在第一代半导体材料硅衬底上研制成功第三代半导体材料氮化镓基蓝色发光二极管，处于国际领先地位，并在全球率先实现了小批量生产。     

光电子领域中的纳米半导体材料

近年来，纳米半导体材料特别是纳米硅在光电子领域中的研究已经越来越引起人们的注意，由于纳米半导体材料的量子限域效应，尺寸效应等影响使得它们在光电转移，电子器件等方面有着优异的性能，必将在未来的微电子以及纳米电子发展中发挥令人鼓舞的作用，详细介绍了纳米半导体材料在光电子领域中的发展历史，研究情况以及存在的问题等。     

镍包硅导电纳米导线

美国哈佛大学制成了用于计算机电路的导电纳米线，这是一种直径20m的硅线外包以镍在550℃加热制成的。这种硅化镍线的电导率非常高。如果仅将部分硅线包上镍，则可制成一部分是硅，而另一部分是镍一硅的导线。这种导线可用于当前半导体硅器件的连线。     

电子材料

半导体硅晶圆库存2011年6月将见底据报道,受到日本地震影响,半导体硅晶圆供应缺口将逐渐在2011年6月份半导体业者库存见底之际,产生明显的缺料危机,再加上日本拟关闭核电厂,接下来的电力短缺恐将进一步影响上游硅晶圆的供料吃紧。据半导体业者表示,以     

PIN型快速恢复二极管的研究与应用

剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案.探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术.比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用.     

2011年第二季度全球硅晶圆出货量增加

据国际半导体设备与材料协会(SEMI)的硅产品制造商组织(SMG)最近发布的硅晶圆行业季度报告,2011年第二季度的全球硅晶圆面积出货量较第一季度增长了5%。本季度硅晶圆的总面积出货量为23.92亿平方英寸,与前一季度22.87亿平方英寸的出货量相比增长了5%。新季度的总面积出货量较2010年第二季度的出货量也增长了1%。硅晶圆的出货量在本季度有所增加,SEMISMG的主     

8英寸薄层硅外延片的均匀性控制方法

作为半导体硅器件和集成电路中经常会使用的一种基础功能的材料,硅外延片的性能非常优越,是我国电子信息技术产业发展过程中经常会用到的材料。半导体器件薄层硅外延片在半导体中的应用范围非常广泛,其在半导体器件中担任的主要是电路功能。该文就8英寸薄层硅外延片的均匀性控制进行研究,希望能够在一定程度上提高8英寸薄层硅外延片的质量。     

二氯二氢硅的制备

一、前言四氯化硅在半导体工业中作为外延淀积硅源,虽然工艺早已趋于完善,但至今存在无法克服的技术问题,如外延淀积膜不均匀等。有人从硅源的原料进行改革,即以二氯二氢硅来代替四氯化硅,经试验,有如下特点。     

电子材料

2014年全球硅晶圆出货面积增11%全球硅晶圆出货再攀高峰。根据国际半导体设备材料产业协会(SEMI)最新统计,2014年半导体硅晶圆出货面积总计达到100亿9 800万平方英寸,较2013年增长11%,并创下自2010年以来新高纪录。不过,硅晶圆产值则未有同样幅度的表现,仅较2013年略升1%,达76亿美元(。中国半导体行业协会)2015年将成为FHD手机面板上量元年2014年12月,TCL及魅族发布的"千元机"为2015年千元机定下了基调。值得     

飞秒激光过饱和掺杂硅材料的研究及发展

飞秒激光利用其超快的作用时间、超强的峰值功率的特性,可以与半导体材料表面发生瞬态光化学反应,从而对材料进行有效的掺杂,且可以实现超过材料固溶度极限的过饱和掺杂,同时能在材料表面形成准周期的微纳结构。导致半导体表面性质发生改变,产生超宽光谱高吸收的特性,从而突破传统物理限制,并由此产生了一系列全新的应用。本文总结了飞秒激光与硅相互作用的基本理论和几种物理模型,介绍了其在相关领域的应用,并对飞秒激光过饱和掺杂及改性硅的发展前景作出展望。

     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

太阳能级硅制备新技术研究进展

硅原料已经成为光伏产业发展最主要的瓶颈之一，为了满足太阳能电池工业的迅速发展，研究开发不依赖于半导体硅生产的低成本太阳能级硅制备方法是非常必要的。近几年来在制备太阳能电池用多晶硅新工艺、新设备和新技术等方面的研究开发非常活跃，并出现了众多的研究新成果和技术上的新突破，这也预示着世界多晶硅工业化生产技术一个新的飞跃即将到来。[编按]     

日本半导体硅市场

2003年日本半导体硅单晶产量为4875t，比上年增加13％。需求为5162t，比上年增加16％。需求的增长得益于世界半导体市场从2003年2月开始的复苏和之后的顺利增长，增长率为17．4％。其中，起主要拉动作用的是半导体器件中的闪存、动态随机存取存储器、电荷耦合器、CMOS传感器，以及最终产品中的个人电脑关联产品、手机、液晶和等离子薄型显示器、数码相机、DVD录像机等数码家电。