WAG（无线网关）在中国电信C＋W统一认证系统中的应用分析

随着数据业务市场机会激增,国内运营商纷纷将WLAN作为3G数据业务的主要承载。目前,中国电信提出了“C＋W”的“互联网手机”战略,中国移动将“TD＋WLAN”确定为无线宽带网络建设的重点战略,中国联通也开始借助WLAN促进固网宽带和移动数据业务的发展。文章阐述了3G＋WLAN内外现状、水平和发展趋势,并进一步说明了中国电信的C＋W统一认证系统的目的、作用和技术水平及市场前号,最后结合笔者的实际工作,分析了WAG（无线网关）在C＋W统一认证系统在应用和总结了具体的实施经验。     

WAG（无线网关）在中国电信C＋W统一认证系统中的应用分析

随着数据业务市场机会激增,国内运营商纷纷将WLAN作为3G数据业务的主要承载。目前,中国电信提出了“C＋W”的“互联网手机”战略,中国移动将“TD＋WLAN”确定为无线宽带网络建设的重点战略,中国联通也开始借助WLAN促进固网宽带和移动数据业务的发展。文章阐述了3G＋WLAN内外现状、水平和发展趋势,并进一步说明了中国...     

具有紫外-可见光催化性能的片状SnO_2/ZnO复合物的制备（英文）

以氯化锌、氯化锡和氢氧化钠为反应物,通过前驱体煅烧法成功制得了片状单分散SnO_2/ZnO复合物。用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等多种手段对产物进行表征。以甲基橙(MO)和亚甲基蓝(MB)为目标降解物,研究了紫外-可见光照下所制SnO_2/ZnO复合物的光催化活性。实验结果显示,SnO_2/ZnO复合物较纯ZnO表现出了更高的光催化活性。SnO_2与ZnO的摩尔比为1∶3时,复合物光催化降解甲基橙的活性最高;SnO_2与ZnO的摩尔比为1∶4时,复合物光催化降解亚甲基蓝的效果最好。同时,SnO_2/ZnO复合光催化剂还具有良好的循环使用稳定性。SnO_2/ZnO复合物的优异性能主要归因于SnO_2与ZnO间的协同效应。     

400 Gbit/s WDM技术方案及应用场景分析

宽带业务、数据中心及云计算业务的飞速发展,使传送网面临业务流量爆炸式增长带来的巨大压力,超高速、超大容量和动态灵活成为光传输技术未来发展趋势。文章介绍超100 Gbit/s WDM(波分复用)技术发展方向及相关标准的最新研究进展。结合影响WDM线路侧速率的关键因素,考虑频谱效率与传输距离的平衡,着重分析提升WDM传输速率的主要途径,重点分析400 Gbit/s WDM的技术实现方案、性能特点及适用场景。     

N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管（英文）北大核心CSCD

由于晶格的反转和随之而来的极化场的反转,N极性面氮化物材料已经成为微波功率器件应用的理想材料之一。在2英寸(1英寸=2.54cm)偏角度4H-SiC衬底上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的方法生长了N极性面GaN/AlGaN异质结材料,使用X射线衍射仪(HR-XRD)、原子力显微镜(AFM)、Raman光谱仪和扫描电子显微镜(SEM)等对材料进行了表征。结果表明,N极性面GaN/AlGaN异质结材料的二维电子气面密度和迁移率分别为0.92×1013cm^(-2)和1035cm^2/(V·s)。制备了N极性GaN/AlGaN异质结场效应晶体管(HFET)。测试结果表明,1μm栅长的n极性面GaN/AlGa NHFET器件峰值跨导为88.9mS/mm,峰值电流为128mA/mm。     

（英）磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

本文中,采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。     

Sip协调设计和P1分析（5）

概述了Sip协调设计和PI解析：（1）电源供给电路（PND）与协调设计;（2）今后的SOC和封装开发。     

Ba（Zn1/3Nb2/3）O3-BaWO4复相陶瓷的合成与性能研究

以Ba（Zn1/3Nb2/3）O3和BaWO4复合的方式,利用固相合成法,制备了（1-x）Ba（Zn1/3Nb2/3）O3-xBaWO4复合陶瓷（x=0.1-0.4）,XRD表明上述两相能在烧结样品中共存。当x=0.3-0.4,在1 225℃烧结时,可以获得近零温度系数的性能优异的微波介质陶瓷,其介电性能为：εr=27.4-24.0,Q×f=53 800-65 300 GHz,τf=5.0--2.1 ppm/℃。     

全耗尽SOI器件源/漏区抬升结构的形成（英文）

介绍了在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)结构上,通过在SOI表面外延生长形成金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)源/漏区抬升结构的方法。研究了不同的工艺参数对外延生长的影响,从而在合适的掺杂浓度下得到均匀的外延生长形貌。提出了两种新的途径来控制SOI的厚度:采用一种新的方法生长垫氧层,以及在源漏区外延生长前,在衬底外延生长硅薄膜层,从而补偿工艺导致的SOI损耗。这两种新的方法使SOI厚度增加了约5 nm。工艺优化后的FDSOI器件沟道厚度约为6 nm,源漏外延层厚度为20～30 nm。最后,阐述了外延成分对器件电学性能的影响。     

超薄Si3N4/SiO2（N/O）stack栅介质及器件

成功制备了EOT(equivalent oxide thickness)为2.1nm的Si3N4/SiO2(N/O) stack栅介质,并对其性质进行了研究．结果表明，同样EOT的Si3N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2栅介质比较，前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者．在此基础上,采用Si3N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为0.12μｍ的CMOS器件，器件很好地抑制了短沟道效应．在Vds=Vgs=±1.5V下，nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为584.3μA/μｍ和－281.3μA/μｍ，对应Ioff分别是8.3nA/μｍ和－1.3nA/μｍ．     

沉浸式汽车音响技术发展现状及应用（上） ——以Bang & Olufsen公司汽车音响设计为例

在汽车产业蓬勃发展的今天,用户对于汽车的消费体验已不再仅仅局限于汽车的基础功能使用上,针对汽车的娱乐功能体验因素越来越多地决定着大众的消费趋向.而汽车音响在音响技术不断进步的潮流当中,也在紧随着大环境,不断跟进自身的发展步伐.旨在通过对当下中高档车型中的沉浸式汽车音响技术进行研究,以了解国内外的汽车3D环绕声的现状.通过浅析代表性汽车音响设计品牌的核心技术以及汽车音响设计案例,将汽车环绕声技术理论与现实车型的音响设置相结合,进一步探究沉浸式汽车音响技术的发展现状和应用.