共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
《激光与光电子学进展》2000,(9)
用做啁啾脉冲放大器最通常的两种增益介质是钕玻璃和钛宝石 ,里弗莫尔实验室的研究人员采用最大的钛宝石圆盘放大器 ( 10 cm直径 )做啁啾脉冲放大系统 ,使聚焦后的焦点强度超过 10 2 1W/ cm2。激光器与以前设计的用 532 nm波长、15J抽运的 3cm孔径宝石放大器啁啾脉冲放大系统非常相似 ,得到 3J能量。此设计是一个完全单独的设施 ,与 3cm孔径相同。起始的靶实验用于测量金的光核激励。产生的各种同位素分析为达到的峰值强度提供独立证据。10~(21)W/cm~2大口径钛宝石圆盘放大器… 相似文献
2.
针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。 相似文献
3.
介绍了一种基于GaAs PHEMT工艺的多功能芯片(MFC)设计。该芯片主要用于双向放大,具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动,选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构,使电路性能达到最优。采用大信号模型、噪声模型和开关模型联合仿真完成该芯片设计,并对版图进行电磁场仿真。测试结果表明,在6~10GHz频带内:小信号增益大于18.5 dB,增益平坦度小于±0.2 dB,输入/输出电压驻波比小于1.4:1,噪声系数小于2.2 dB,1 dB压缩点输出功率大于14 dBm。芯片尺寸为2.4 mm×2.6 mm。 相似文献
4.
5.
白光 《激光与光电子学进展》2001,(6)
1 引言最近几年人们大力研究超强光场与固体的相互作用过程 ,研究是由物质在极限条件(固体密度的等离子体和 1~ 1 0 ke V温度 )下的可能性引起 ,它的应用关系到制造亚皮秒X射线辐射源。决定强亚皮秒激光脉冲与凝聚态靶相互作用的关键参数是脉冲的反差度峰值强度与预脉冲强度之比。例如 ,峰值强度为 1 0 1 7W/cm2脉冲的纳秒预脉冲强度不应超过靶物质烧蚀阈值~ 1 0 8W/cm2 ,即反差度应大于1 0 9。在相反情况下 ,主脉冲将与屏蔽靶面靶物质的低密度蒸气相互作用。现有亚皮秒激光系统 (λ~ 1μm)的反差度不超过 1 0 8,实际上唯一已知提高该… 相似文献
6.
非接触迁移率测试是一种测试载流子浓度以及迁移率的新型方法,与传统的范德堡霍尔测试相比,具有无损测量和分层测试等诸多优点。分别采用传统的范德堡霍尔测试法和新型的非接触迁移率测试法对不同帽层厚度、不同掺杂浓度的GaAs PHEMT样品进行测试分析。结果表明,在盖帽层很薄的情况下,两种测试方法所测得的电子浓度以及迁移率一致,而在盖帽层较厚的情况下,由于受盖帽层重掺杂电子的影响,范德堡霍尔测试无法测得沟道内二维电子气(2DEG)浓度和迁移率,而非接触式迁移率测试法可以将盖帽层和沟道层分开,准确地测得沟道内2DEG浓度和迁移率。 相似文献
7.
对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压力效应.结果显示:电子迁移率随温度、压力的增加而减小;且两种声子的散射作用均随压力增强,界面光学声子的变化幅度更大.因此,在讨论压力的情形下,界面光学声子的作用不容忽略. 相似文献
8.
对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压力效应.结果显示:电子迁移率随温度、压力的增加而减小;且两种声子的散射作用均随压力增强,界面光学声子的变化幅度更大.因此,在讨论压力的情形下,界面光学声子的作用不容忽略. 相似文献
9.
10.
对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压力效应.结果显示:电子迁移率随温度、压力的增加而减小;且两种声子的散射作用均随压力增强,界面光学声子的变化幅度更大.因此,在讨论压力的情形下,界面光学声子的作用不容忽略. 相似文献
11.
12.
提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计.结果表明,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极,器件可实现交叉态、直通态及3dB耦合器功能,并有较大的制作容差、较宽的工作带宽,只须一个多模波导,器件结构紧凑.采用深刻蚀脊形光波导能够满足多模干涉型器件的精确自镜像要求,并使输入/输出光波导在单模工作下有较大的横截面,较低的弯曲损耗及较小的耦合串扰.通道末端引入的模斑转换器可方便地与单模光纤连接耦合. 相似文献
13.
据报导,苏联科学院伊奥夫物理技术研究所采用改进液相外延(LPE)技术,制作出超薄有源区的InGaAsP激光异质结构,有源层厚达几百埃,异质结区不超过100A。该所研究人员认为,虽然分子束外延和金属有机汽相淀积比液相外延有许多优点,但设备昂贵,工艺复杂,对源材料纯度要求高。并且,初期采用这些方法制作超薄有源区的InGaAsP/InP红外激光器的成效暂时甚少。实践证明,对于制作低阈值、高效率的异质结构激光器,液相外延方法远未过时。 相似文献
14.
本文提出了2000×2000线40×40cm~2AC TFEL 矩阵显示的理论可行性。令介质层电容为60nF/cm~2、发光层厚为1.3μm、发光效率为2.5lm/W,理论上可实现60cd/m~2、功耗50W 的大型 TFEL 显示板。 相似文献
15.
16.
17.
本文采用三角阱近似,考虑了GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移主经与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/AlxGa1-xAs异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,本文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。 相似文献
18.
19.
20.
虽然串联AlGaAs/GaAs太阳电池可提供高于30%的潜在效率,但以前的试验却停滞在16%左右的效率. 相似文献