10~(21)W/cm~2大口径钛宝石圆盘放大器

用做啁啾脉冲放大器最通常的两种增益介质是钕玻璃和钛宝石 ,里弗莫尔实验室的研究人员采用最大的钛宝石圆盘放大器 ( 10 cm直径 )做啁啾脉冲放大系统 ,使聚焦后的焦点强度超过 10 2 1W/ cm2。激光器与以前设计的用 532 nm波长、15J抽运的 3cm孔径宝石放大器啁啾脉冲放大系统非常相似 ,得到 3J能量。此设计是一个完全单独的设施 ,与 3cm孔径相同。起始的靶实验用于测量金的光核激励。产生的各种同位素分析为达到的峰值强度提供独立证据。10~(21)W/cm~2大口径钛宝石圆盘放大器…     

5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器

针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。     

基于GaAs PHEMT的6~10GHz多功能芯片

介绍了一种基于GaAs PHEMT工艺的多功能芯片(MFC)设计。该芯片主要用于双向放大,具有低噪声性能和中等功率能力。综合考虑噪声、功率、效率和有源器件的正常工艺波动,选取合适的器件及其工作点、电路拓扑结构,使电路性能达到最优。采用大信号模型、噪声模型和开关模型联合仿真完成该芯片设计,并对版图进行电磁场仿真。测试结果表明,在6~10GHz频带内:小信号增益大于18.5 dB,增益平坦度小于±0.2 dB,输入/输出电压驻波比小于1.4:1,噪声系数小于2.2 dB,1 dB压缩点输出功率大于14 dBm。芯片尺寸为2.4 mm×2.6 mm。     

脉冲玻璃激光器产生5~10×1012瓦

美帝散迪厄实验室报导了持续期为3~10×10^-12秒、峰值脉冲功率为10×10¹²瓦的结果。这能量足以将金属加热至华氏2千万度。     

3×10~(16)W/cm~2高反差亚皮秒激光脉冲照射凝聚态靶的辐射吸收机理

1　引言最近几年人们大力研究超强光场与固体的相互作用过程 ,研究是由物质在极限条件(固体密度的等离子体和 1～ 1 0 ke V温度 )下的可能性引起 ,它的应用关系到制造亚皮秒X射线辐射源。决定强亚皮秒激光脉冲与凝聚态靶相互作用的关键参数是脉冲的反差度峰值强度与预脉冲强度之比。例如 ,峰值强度为 1 0 1 7W/cm2脉冲的纳秒预脉冲强度不应超过靶物质烧蚀阈值～ 1 0 8W/cm2 ,即反差度应大于1 0 9。在相反情况下 ,主脉冲将与屏蔽靶面靶物质的低密度蒸气相互作用。现有亚皮秒激光系统 (λ～ 1μm)的反差度不超过 1 0 8,实际上唯一已知提高该…     

GaAs PHEMT材料电子迁移率的非接触测试

非接触迁移率测试是一种测试载流子浓度以及迁移率的新型方法,与传统的范德堡霍尔测试相比,具有无损测量和分层测试等诸多优点。分别采用传统的范德堡霍尔测试法和新型的非接触迁移率测试法对不同帽层厚度、不同掺杂浓度的GaAs PHEMT样品进行测试分析。结果表明,在盖帽层很薄的情况下,两种测试方法所测得的电子浓度以及迁移率一致,而在盖帽层较厚的情况下,由于受盖帽层重掺杂电子的影响,范德堡霍尔测试无法测得沟道内二维电子气(2DEG)浓度和迁移率,而非接触式迁移率测试法可以将盖帽层和沟道层分开,准确地测得沟道内2DEG浓度和迁移率。     

AlxGa1-xAs/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应

对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压力效应.结果显示:电子迁移率随温度、压力的增加而减小;且两种声子的散射作用均随压力增强,界面光学声子的变化幅度更大.因此,在讨论压力的情形下,界面光学声子的作用不容忽略.     

AlxGa1-xAs/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应

对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压力效应.结果显示:电子迁移率随温度、压力的增加而减小;且两种声子的散射作用均随压力增强,界面光学声子的变化幅度更大.因此,在讨论压力的情形下,界面光学声子的作用不容忽略.     

能显示4×10~6个象素的阴极射线管

多电子束技术可避免带宽涌塞并可用以制成分辨率超过4×10~6个象素的阴极射线管。用多电子束扫描光栅可使荧光屏无闪烁现象,对象素的寻址与单束扫描相同。美国 Azuray 生产的多电子束扫描直视显示器有2048×2048个象素。这种显示器正应用于医疗诊断图象显示,据说它“填补了放射线学的空白”。它可以对 X 射线片进行连续的或交替对照的分析,而传统的放射线学不具备应用电子学系统分析信息的能力。     

AlxGa1-xAs/GaAs异质结中电子迁移率的压力效应

对Al_xGa_1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势，同时计入电子对异质结势垒的隧穿，利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下，异质结界面附近电子迁移率随温度的变化关系及其压力效应.结果显示：电子迁移率随温度、压力的增加而减小；且两种声子的散射作用均随压力增强，界面光学声子的变化幅度更大.因此，在讨论压力的情形下，界面光学声子的作用不容忽略.     

5×10-6/℃的带隙基准电压源设计

在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-40～115℃范围内,达到平均低于5×10-6/℃的温度系数.整个电路采用Chartered 0.35μm CMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真.仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数.     

多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关分析

提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计.结果表明,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极,器件可实现交叉态、直通态及3dB耦合器功能,并有较大的制作容差、较宽的工作带宽,只须一个多模波导,器件结构紧凑.采用深刻蚀脊形光波导能够满足多模干涉型器件的精确自镜像要求,并使输入/输出光波导在单模工作下有较大的横截面,较低的弯曲损耗及较小的耦合串扰.通道末端引入的模斑转换器可方便地与单模光纤连接耦合.     

LPE生长有源层厚(1.5～5)×10~(-6)cm InGaAsP异质结构

据报导,苏联科学院伊奥夫物理技术研究所采用改进液相外延(LPE)技术,制作出超薄有源区的InGaAsP激光异质结构,有源层厚达几百埃,异质结区不超过100A。该所研究人员认为,虽然分子束外延和金属有机汽相淀积比液相外延有许多优点,但设备昂贵,工艺复杂,对源材料纯度要求高。并且,初期采用这些方法制作超薄有源区的InGaAsP/InP红外激光器的成效暂时甚少。实践证明,对于制作低阈值、高效率的异质结构激光器,液相外延方法远未过时。     

50W2000×2000线40×40cm~2TFEL显示的可行性

本文提出了2000×2000线40×40cm~2AC TFEL 矩阵显示的理论可行性。令介质层电容为60nF/cm~2、发光层厚为1.3μm、发光效率为2.5lm/W,理论上可实现60cd/m~2、功耗50W 的大型 TFEL 显示板。     

6H-SiC反型层电子迁移率的MonteCarlo模拟

用单电子Monte Carlo方法对6H-SiC反型层的电子迁移率进行了模拟,在模拟中采用了一种新的综合的库仑散射的模型,该模型考虑了栅氧化层电荷、界面态电荷、沟道电离杂质电荷的作用以及它们之间的相关性.Monte Carlo模拟的结果表明,当表面有效横向电场高于1.5×10⁵V/cm时,表面粗糙散射在SiC反型层中起主要作用,而当有效横向电场小于该值时,沟道散射以库仑散射为主.     

GaAs/AlGaAs多量子阱结构中的电子干涉

由电子波干涉的观点出发,理论分析指出:多量子阱结构势垒以上的电子存在一些分立的弱干涉非定域态.通过红外光激发,量子阱中基态电子可以跃迁到这些态上形成一些吸收峰.理论计算出的吸收峰位置与实验测量到的结果相当一致,并且理论估计的吸收峰强弱也与实验结果一致.     

高电子迁移率GaAs／AlxGa1—xAs二维电子气（2DEG）异质结结构参数优…

本文采用三角阱近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移主经与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果。     

低压下5×10-6/℃的带隙基准电压源设计

为了减小高精度Pipeline/ADC中基准源的温漂特性,从而保证系统的整体性能,通过对传统一阶温度补偿电路进行改进,采用二阶温度系数补偿,获得了低于5×10-6/℃温度系数的基准电压源.整个电路采用成熟先进的Cht0.35μmCMOS工艺,使用Hspice进行仿真.仿真结果证明此基准电压源的温度系数极低,平均温度系数低于5×10-6/℃.     

D_2~ 轰击隔离条形(GaAl)As/GaAs双异质结构激光器

在室温至600℃退火D_2~ 轰击过的GaAs单晶片,只要退火温度低于200℃,得到的电阻率可达(1～2)×10~8欧姆·厘米。用D_2~ 轰击(GaAl)As/GaAs双异质结构片,制成的隔离条形激光器,近场、光谱、频率响应及退火等特性都与H~ 轰击激光器差不多。     

效率达20%的AlGaAs/GaAs

虽然串联AlGaAs/GaAs太阳电池可提供高于30%的潜在效率,但以前的试验却停滞在16%左右的效率.