ITO/PET衬底上掠射角溅射沉积WO3薄膜及其电致变色性能

采用直流磁控反应溅射法,以不同掠射角度在ITO/PET衬底上沉积WO3薄膜。利用场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）和能谱仪（EDS）对WO3薄膜表面和断面的形貌及化学组成进行表征;利用电化学工作站和紫外分光光度计对WO3薄膜的电化学性能和光学性能进行分析。结果表明,当掠射角60时,薄膜表面形成类似于山峰状形貌,断面为纳米斜柱状结构,该结构有利于离子和电子的迁移。当掠射角=80时,沉积的WO3薄膜具有最快离子扩散速率和最大光调制幅度,着色效率达到27.05cm2/C。同时,薄膜还表现出快速响应和良好循环稳定性。     

中频反应磁控溅射制备Al2O3:CeCl3薄膜及其光致发光特性

应用中频反应磁控溅射技术制备了Al2O3:CeCl3的非晶薄膜.Ce3+含量和薄膜的化学成分通过X射线散射能谱(EDS)测量.薄膜试样的晶体结构用x射线衍射分析.俄歇电子谱用于对薄膜材料的化学组分进行定性分析.薄膜的光致发光峰是在370 nm到405 nm范围内,它们来自于Ce3+离子的5d1激发态向基态4f1的两个劈裂能级的跃迁.发光强度强烈地依赖于薄膜中的掺杂浓度和沉积时的基片温度.薄膜发光来自于氯化铈分子中的发光中心,而不是其他的掺杂Ce3+离子.随铈含量增加,光致发光峰向低能方向移动,可能与薄膜中存在氯元素有关.     

不同溶胶-凝胶镀膜技术制备的电致变色WO3薄膜的影响

研究了不同溶胶-凝胶镀膜技术对电致变色WO3薄膜的影响.采用过氧化聚钨酸法配制溶胶,然后通过脉冲电泳沉积和浸渍提拉两种镀膜技术在ITO导电玻璃基底上分别制备WO3薄膜,对比研究了薄膜的微观形貌、结构、光学和电化学性能.结果表明,两种镀膜技术制备的薄膜均为非晶态且厚度相近,约为252 nm;在可见光范围内,脉冲电泳沉积制备的薄膜的光学调制幅度可达80％,比浸渍提拉制备的薄膜高25％;与浸渍提拉法相比,脉冲电泳沉积制备的薄膜具有更高的电化学活性、更快的响应时间和相对低的循环可逆性.     

磁控溅射WO3薄膜的电致变色机理研究

在不同氧分压条件下对WO3粉末靶进行磁控溅射,在ITO导电玻璃基底上沉积得到WO3薄膜.分析发现,当氧分压O2:Ar为1:10的时,WO3薄膜的显微组织均匀细密,薄膜原态的透光率可达88%.将WO3薄膜作为不同电极在LiClO4溶液中进行电色反应,发现着色态透光率在紫光区可达41%,在整个红外区透光率最高不过25%;而漂白态在紫光区可达85%,在整个红外区透光率在82%左右.采用XPS光电子能谱研究了WO3薄膜的电致变色机理,发现遵循典型的双离子注入模型.     

电致变色器件中WO3薄膜高温环境性能退化机理

目的研究ITO/WO_3/LiTaO_3/NiO_x/Al反射式无机全固态薄膜中WO_3薄膜在高温环境中的性能退化机理。方法采用直流反应磁控溅射法制备电致变色器件和WO_3单层薄膜,并进行高温加热试验。对电致变色整体器件进行反射率变化量的测试,对WO_3薄膜进行微观结构分析和电化学循环特性分析。结果电致变色器件经不同温度加热后,350℃以下,反射率变化量下降不明显,350℃以上反射率变化量明显降低,WO_3薄膜发生了非晶结构向晶体结构的转变。WO_3薄膜的电化学循环特性为:随着加热温度的升高,电致变色响应时间增大,350℃以上,响应时间急剧增大,电致变色性能降低明显,但电致变色循环稳定性更好。结论 WO_3薄膜疏松多孔的非晶结构能提供更多的离子(电子)注入和传输通道,电致变色性能更好,但疏松多孔结构循环稳定性较差。致密的晶体结构因通道闭合,离子(电子)不易注入和传输,电致变色性能较差,但致密结构循环稳定性较好。     

圆柱形衬底上高质量金刚石薄膜制备工艺研究

本文以丙酮和氢气为气源，采用优化钽丝排列分布的偏压增强热丝CVD装置对钨丝衬底进行了金刚石薄膜沉积研究。采用扫描电镜(SEM)、拉曼(Raman)光谱等方法检测了金刚石薄膜的质量，分析了沉积工艺对金刚石形核和生长的影响。研究结果分析表明，当直径为1mm的钨丝与热丝之间的最佳距离为4—6mm且反应压力为4665．5Pa、碳源浓度为1．8％时可得到涂层厚度均匀又能覆盖整个钨丝外表面的高质量金刚石薄膜，为以后的自支撑的金刚石薄膜管的制备和回转体刀具的外表面金刚石涂层打下基础。     

微型反应器法纳米WO3粉体的合成及表征

采用微型反应器法,以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)/正丁醇/正辛烷/水构成微乳体系、以钨酸钠和浓盐酸为原料,合成了粒径大小为25～50 nm的WO3粉体,用X射线衍射仪、透射电子显微镜对WO3粉体的性能进行了表征.实验结果表明微乳液体系中含水量大小、煅烧温度和反应物种类都会影响WO3粉体的粒径、形貌和物相结构;随着含水量的增加,煅烧温度的升高,WO3粉体的粒径都逐渐增大,形貌也发生了变化;以钨酸铵为反应物合成的WO3粉体颗粒粒径更小.     

热处理温度对WO_3薄膜微观结构和光致变色性能的影响

以溶胶-凝胶浸渍提拉法制备WO3光致变色薄膜。用色差计表征了材料的光致变色特性,并结合XRD、AFM、SEM、TEM、UV-Vis等手段,研究了热处理温度变化对其微观结构及光致变色性能的影响。结果表明,WO3薄膜光致变色性能随热处理温度升高而增强。当温度为350℃时,色差达到最大值2.2462,这是因为传导电子浓度随温度的升高而增大,有利于光生电子和空穴的产生,且此时禁带宽度最窄,电子易被激发到导带。当温度为400℃时,晶粒粗大,比表面积减小,光致变色性能降低。温度升至450℃时,晶格发生畸变,不利于电子空穴对分离,光致变色性能进一步降低。     

陶瓷衬底材料对多晶硅薄膜沉积质量的影响

通过对不同陶瓷衬底材料上沉积多晶硅薄膜性能的研究,分析了陶瓷材料本身的性质和热力学参数、晶体学参数等性能对多晶硅薄膜沉积质量的影响,在SiC衬底上制备了择优定向生长晶粒直径达190μm的多晶硅薄膜.     

Er3+掺杂位置对Er3+:BaTiO3薄膜上转换发光的影响

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备Er3+掺杂BaTiO3薄膜.通过XRD、AFM和PL图谱分别研究薄膜的晶体结构、形貌以及上转换发光性能.结果表明,薄膜的微观结构和发光性能与Er3+掺杂晶格的位置有关.A位掺杂薄膜较B位掺杂薄膜具有较小的晶格常数和较好的结晶.PL光谱表明:A位掺杂的薄膜和B位掺杂的薄膜都于528 nm和548nm处获得较强的绿色上转换发光以及在673 nm处获得较弱的红光,分别对应Er3+离子的2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2能级跃迁.相对于B位掺杂的薄膜,A位掺杂样品有较强的绿光发射积分强度以及较弱的红光发射相对强度.这种差异可以通过薄膜的结晶状况和交叉弛豫机制来进行解释.     

New technique of VAR investigations of thin films on thick substrates

A new technique of variable angle reflectometry (VAR) investigations of thin films on thick, transparent, parallel-sided substrates is presented. This technique uses spatial distribution of intensity of reflected radiation of a sample illuminated with a light beam of finite diameter. The experimental results obtained for amorphous silicon (a-Si) were fitted with theoretical dependencies taking into account the optical inhomogeneity over the film thickness. This inhomogeneity was described by values n_f, α_f, n_b and α_b of the real part of the refractive index and absorption coefficient at the surfaces of the film. The investigated film was also characterized by the average over its thickness values of the real part of the refractive index and absorption coefficient . For the investigated a-Si

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. It can be suggested that the presented investigations of optical inhomogeneity of thin films of a-Si should be taken into serious consideration for optimized technological conditions.     

Er~(3+)掺杂位置对Er~(3+):BaTiO_3薄膜上转换发光的影响(英文)

采用溶胶-凝胶法在LaNiO3/Si衬底上制备Er3+掺杂BaTiO3薄膜。通过XRD、AFM和PL图谱分别研究薄膜的晶体结构、形貌以及上转换发光性能。结果表明,薄膜的微观结构和发光性能与Er3+掺杂晶格的位置有关。A位掺杂薄膜较B位掺杂薄膜具有较小的晶格常数和较好的结晶。PL光谱表明:A位掺杂的薄膜和B位掺杂的薄膜都于528nm和548nm处获得较强的绿色上转换发光以及在673nm处获得较弱的红光,分别对应Er3+离子的2H11/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2能级跃迁。相对于B位掺杂的薄膜,A位掺杂样品有较强的绿光发射积分强度以及较弱的红光发射相对强度。这种差异可以通过薄膜的结晶状况和交叉弛豫机制来进行解释。     

Photoluminescence properties of ZnSe/SiO2 composite thin films prepared by sol-gel method

ZnSe/SiO2 composite thin films was prepared by sol-gel method. XRD results indicate the phase structure of ZnSe particles embedded in ZnSe/SiO2 composite thin films is sphalerite （cubic ZnS）. Spectroscopic ellipsometers were used to investigated the dependences of ellipsometric angle with wavelength of ZnSe/SiO2 composite thin films. The optical constant, thickness, porosity and the concentration of ZnSe of ZnSe/SiO2 thin composite films were fitted according to Maxwell-Garnett effective medium theory. The thickness of ZnSe/SiO2 composite thin thin films was also measured through surface profile. The photoluminescence properties of ZnSe/SiO2 thin composite thin films was investigated through fluorescence spectrometer. The photoluminescence results show that the emission peak at 487 nm （2.5 eV） is excited at 395 nm corresponds to the band-to-band emission of sphalerite ZnSe crystal（2.58 eV）. The strength free exciton emission and other emission peaks correlating to ZnSe lattice defect were also observed.     

退火处理对SnO2：Sb薄膜结构和光致发光性质的影响

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2：Sb薄膜，研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄，晶粒生长的择优取向为（110）。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射，并对SnO2：Sb的光致发光机制进行了探索性研究。     

WO3对TiO2粉体晶型转变的影响

以TiO2为原料,通过引入WO3添加剂,经不同温度煅烧后得到钨掺杂的TiO2粉体.利用XRD和SEM等测试手段,研究煅烧温度、WO3引入量对TiO2粉体晶型转变的影响,并对其机制进行探讨.结果表明:WO3促进了TiO2从锐钛矿向金红石的转变,降低了TiO2的晶型转变温度,随着WO3引入量的增加,促进作用增强.引入的WO3以两种形式促进TiO2的晶型转变:一种是Wn+进入TiO2晶格置换Ti4+而促进了晶型转变;另一种是WO3和TiO2发生氧化还原反应,促进了TiO2的晶型转变.     

Density Measurements of Na2WO4-WO3-ZnO Melts

1ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｕｎｇｓｔｅｎｈａｓｔｈｅｈｉｇｈｅｓｔｍｅｌｔｉｎｇｐｏｉｎｔ(3683±20Ｋ)ａｍｏｎｇｍｅｔａｌｓａｎｄｅｘｃｅｌｌｅｎｔｃｈｅｍｉｃａｌｓｔａｂｉｌｉｔｙｉｎｓｏｍｅｅｘｔｒｅｍｅｌｙｃｏｒｒｏｓｉｖｅｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｓｓｕｃｈａｓｍｅｔａｌｌｉｃｍｅｌｔｓａｎｄｓｕｌｆｕｒｃｏｎｔａｉｎｉｎｇｍｏｌｔｅｎｓａｌｔｓ.Ｉｔｃａｎｂｅｕｓｅｄａｓｈｅａｔｒｅｓｉｓｔａｎｔ,ｃｏｒｒｏｓｉｏｎａｎｄ/ｏｒｗｅａｒｒｅｓｉｓｔａｎｔｍａｔｅｒｉａｌｓ.Ｈｏｗｅｖｅｒ,ｔｕ…     

采用溶胶-凝胶法在多孔氧化铝模板上制备立方相WO3纳米线

采用溶胶-凝胶法在纳米孔氧化铝模板上成功制备形貌各异的WO3纳米线.X射线衍射分析表明所制备的WO3纳米线为立方相结构.经扫描电子显微镜观察发现产物多数为菊花状WO3纳米线,其直径约10～80 nm,长约几微米.与空气气氛相比,氩气气氛更有助于WCl6三嵌段共聚物溶胶在多孔氧化铝模板上形成形貌各异的WO3纳米线.