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为研究面向可见光通信的多功能光子集成芯片,实现可见光信号发射、探测、传输和功率分配的一体化的复合功能,该文提出一种基于硅基InGaN/GaN多量子阱材料的微型发光二极管(LED)多口分路器结构的光子集成芯片,对集成芯片进行了形貌、光电特性和可见光通信测试等多方面表征,实现了对可见光信号的有效传输和不同比例的多口功率分路,并对分路器不同端口的出射光强进行量化处理,最后,利用信号发生器在微型LED光源发射端加载300 kHz的矩形波电信号,收集分路器末端发射的调制可见光信号,输入/接收信号的波形变化趋势一致,说明该光子集成芯片可实现有效的可见光通信。该研究的主要目的是尝试性将可见光波段的光源和光电探测器集成在氮化物晶圆上,为可见光通信的全光网络的可见光信号片上集成式处理提供新的研究思路和方案,为发展面向可见光通信网络需求的复合功能光子集成芯片终端提供了更多可能性。 相似文献
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InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对不同温度(120~363 K)下InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构蓝光发光二极管(LED)的电学特性进行了测试与深入的研究.发现对数坐标下I-V特性曲线斜率随温度变化不大.分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算,发现室温下其理想因子远大于2,并且随着温度的下降而升高;而隧穿能量参数随温度变化不大.这说明传统的扩散-复合载流子输运模型不再适用于InGaN/GaN MQW蓝光LED.分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约,外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度,导致其主要输运机制为载流子的隧穿. 相似文献
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用SiO2纳米图形层作为模板在以蓝宝石为衬底的n-GaN单晶层上制备了InGaN/GaN多量子阱纳米线,并成功实现了其发光二极管器件(LED).场发射扫描电子显微镜(FESEM)的测量结果表明,InGaN/GaN多量子阱纳米线具有光滑的表面形貌和三角形的剖面结构.室温下阴极射线荧光谱(CL)的测试发现了位于461 nm... 相似文献
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研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104 mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光. 相似文献
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研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104 mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光. 相似文献
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李嘉恒;余建国;李依桐;王任凡;罗飚 《光通信研究》2017,(3):1-4
随着微波光子技术的发展,在解决传统射频领域无法直接实现的功能方面已经有了很大的成就,同时大大促进了光电子通信技术的发展。然而,微波光子技术仍面临着新的挑战:现有的光通信系统由分立的光/电、电/光等元器件构成,在不断追求更高速率、更大带宽和更强处理能力的通信系统的现状下,要求器件和系统的尺寸更小、功耗更低及抗干扰能力更强。因此,通过硅基集成技术和微波光子技术的结合实现微波光子学系统芯片集成化,从而降低整个系统的成本、缩小尺寸、降低功耗,是微波光子学发展的必然趋势。文章总结了微波光子集成技术和硅基光子器件的发展现状,指出可调谐、可编程的硅基微波光子芯片必将成为军事领域和民用方面发展的关键技术。 相似文献
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运用基于三角函数展开的三维准矢量束传播法分析了由InGaAs/InAlAs多量子阱(MQW)构成的脊形光波导及其定向耦合器;获得了脊形光波导承载的模场分布及其有效折射率,并观察到了TM模的奇变;模拟了光波在定向耦合器件中的传输演变情况.所得结果为制作由此为基础的复杂器件奠定了基础. 相似文献
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设计了一种基于二维光子晶体的太赫兹定向耦合器,通过在2个平行的横向线缺陷中加入纵向线缺陷的方式,实现了良好的耦合结构,在太赫兹频段实现了较好的功率耦合特性。这种二维光子晶体带定向耦合器结构紧凑,可用于太赫兹系统中信号功率的检测与监控,具有良好的应用价值。 相似文献
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GaN-based LEDs with photonic crystal (PhC) patterns on an n- and a p-GaN layer by nano-imprint lithography (NIL) are fabricated and investigated. At a driving current of 20 mA on Transistor Outline (TO)-can package, the light output power of the GaN-based LED with PhC patterns on an n- and a p-GaN layer is enhanced by a factor of 1.30, and the wall-plug efficiency is increased by 24%. In addition, the higher output power of the LED with PhC patterns on the n- and p-GaN layer is due to better crystal quality on n-GaN and higher scattering effect on p-GaN surface using PhC pattern structure. 相似文献
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LED照明具有节能、可靠、使用寿命长等特点,被认为是下一代主流照明技术。基于LED比荧光灯和白炽灯切换速度快的特性,用室内照明的白光LED光源作为通信基站进行信息无线传输的技术,就是现在国内外研究的热点技术-可见光通信技术。文章简要介绍了白光LED可见光无线通信技术在的研究现状,分析了它的关键技术,并从应用角度出发阐述了LED可见光无线通信技术的发展趋势。 相似文献
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基于GaN肖特基二极管设计并实现了一款200 GHz高功率二倍频器。该倍频器采用高功率容量的氮化镓(GaN)肖特基二极管代替传统GaAs肖特基二极管,并结合高热导率的氮化铝(AlN)衬底,较大提升了倍频器的散热性能和输出功率;采用含有楔形膜片的悬置微带-波导过渡结构,通过插入标准矩形波导中的楔形膜片实现模式转换并使输入输出同向,实现倍频器的小型化。考虑到温度对二极管工作的影响,对传统二极管模型进行修正,并进行电热耦合仿真。实际测试结果表明,在500 mW连续波输入的情况下,该二倍频器在190~220 GHz频率范围内输出均高于20 mW,并在218 GHz实现了最大36 mW的功率输出,转换效率为7.2%。 相似文献
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荧光LED通信系统线性失真测量及其补偿 总被引:2,自引:2,他引:0
为了改善线性失真对荧光LED通信系统性能的影 响,首先建立了通信实验系统, 采用网络分析仪测量了通信系统的幅频响应,分析了线性失真特性。根据通信系统线性失真 的测量结果,设计了一、二、三阶高通滤波器作为线性失真补偿电路,将其与荧光LED通 信系统级联,分别测量了级联后系统的幅频响应。结果显示,采用三阶补偿电路后,荧光 LED通信系统的线性失真得到了明显改善,系统增益的衰减幅度由补偿前的50dB(0.3~6MHz)降低为三阶补偿后的20dB(0.3~45MHz)。为了确保通信系统具有相对平坦的增益 特性且要求系统增益的波动小于10dB时,系统的通频带宽度可从补 偿前的1.8MHz提高到 三阶补偿后的41MHz (范围为3~44MHz),增 大了约23倍,且在此频带范围内,系统具有 相对较大的增益(约为-30dB)。因此,补偿荧光LED通信系统的线 性失真,可以很好扩展通信系统所需的通频带宽度。本文的实验和分析可为进一步优化系 统参数及改进通信性能提供参考依据。 相似文献
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文章介绍了几种常见的LED芯片表面脏污类别以及预防对策,包括芯片制造商生产过程中产生和封装厂生产中带入的脏污,另外列举了几种与脏污容易混淆的芯片工艺异常规象。 相似文献
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发光二极管引线键合可靠性探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简要地描述发光二极管金丝引线键合过程,讨论分析了影响其键合可靠性的主要因素,说明了键合质量的评价方法,提出了增强键合可靠性的措施,以达到提高发光二极管寿命的目的. 相似文献