半导体二极管

Y2000-62067-228 0012674采用0.8μm BiCMOS 技术的硅发光二极管光谱特性=Spectral characteristics of Si light emitting diodes in a0.8μm BiCMOS technology[会,英]/Plessis,M.du &Aharoni,H.//1998 IEEE International Conference onOptoelectronic and Microelectronic Materials and De-vices.—228～231(EC)     

半导体二极管

Y98-61380-312 99044904H-SiCP~+N 和6H-SiC 肖特基二极管的静态与动态特性=Static and dynamic characteristics of 4H-SiC P~+Nand 6H-SiC Schottky diodes[会,英]/Tolkkinen,L.E.& Ramalingam,M.L.//1997 IEEE 32nd Intersociety     

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Y2002-63084-137 0212677P 型 GaAs IMPATT 二极管大信号分析=Large-signalanalysis of P-type GaAs IMPATT diode[会,英]/EI-Sayed A.EI-Badawy & Said H.Ibrahim//ICM 2000Proceedings of the Twelfth International Conference onMicroelectronics.—137～141(PE)     

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Y2002-63067-989 0210603以SEBER实现的4H-SiC功率二极管用的以物理为基础的新电路模型=A new physics-based circuit model for4H-SiC power diodes implemented in SEBER〔会,英〕/Kolessar, R.& Nee.H.P.//Sixteenth Annual IEEEApplied Power Electronics Conference and Exposition,Volume 2.-989～994(PE)     

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0600434 双栅硅场致发射极=Double-gated silicon field emitters [刊,英]／L．Dvorson,I．Kymissis／／Journal of Vacuum Science & Technology B．-2003,21(1)．-486-494(E) 0600435 固态场控制平面发射极行为=Behavior of the solidstate field-controlled planar emitters under extreme working conditions[刊,英]／Vu Thien,Binh V．Semet／／Journal of Vacuum Science & Technology B．-2003,21 (1).-474-478(E)     

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Y2002-63318-27 0327766低功率损耗的12-19KV 4H-SiC针二极管=12-19KV4H-SiC pin diodes With low power loss[会,英]/Sug-awara,Y.＆Takayama,D.//2001 IEEE Proceedingsof the 13th International Symposium on Power Semicon-ductor Devices＆ICs.—27-30     

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Y2002-63196-384 0311952在软/硬开关转换应用中大电流碳化硅结势垒肖特基二极管的特性=High current SiC.JBS diode characteri-zation for hard-and soft-switching applications[会,英]/Lai,J.—S.& Huang,X.//2001 IEEE Industry Appli-cations Conference,Vol.1 of 4.—384～390(ME)Y2002-63196-391 0311953采用高压4HSiC和Si P-i-N二极管的软/硬开关反向转换器=Hard-and soft-switching buck converter perfor-mance of high-voltage 4H-SiC and P-i-N diode[会,     

半导体二极管

Y2002-63306-105 0305084气体源分子束外延生长的温度稳定波长 TlInGaAs/InP 双异质结构发光二极管=Temperature-stablewavelength TlInGaAs/InP DH LEDs grown by gassource MBE[会,英]/Lee,H.-J.& Konishi,K.//2001 IEEE International Conference on Indium Phos-phide and Rdated Materials.—105～108(E)     

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Y98-61304-113 99057802/10μs 浪涌电路用肖克莱二极管的物理模拟=Physi-cal modelling of Shockley diode used on 2/10 μsec surgecircuits[会,英]/Charitat,G.& Dilhac,J.-M.//1997Proceedings of the International Semiconductor Confer-ence,Vol.1.—113～118(UV)介绍了肖克莱二极管电特性的研究结果。对其静态和动态模拟与实验结果进行了比较。对于静态分析讲,其触发机理是雪崩产生的电流;而对动态分析来说,是浪涌信号。利用闪电浪涌信号实验研究了这种器件的工作情况。从物理的、模拟的和实验的观点,讨论了其瞬时特性。参8     

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0617068作为双光子吸收装置的Si雪崩光电二极管无背景强度自动相关器=Background-free intensity autocorrelatoremploying Si avalanche photodiode as two-photon ab-sorber〔刊,英〕/K.Taira,Y.Fukuchi//Electronics Let-ters.—2002,38(23).—1465(E)0617069高特性1500V4H-SiC结势垒Schottky二极管=Highperformance1500V4H-SiC junction barrier Schottkydiodes〔刊,英〕/J.H.Zhao,P.Alexandrov//ElectronicsLetters.—2002,38(22).—1389(E)0617070隧道再生双有源区AIGaInP发光二极管提取效率的计算〔刊,中〕/田咏桃//固…     

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0611531 采用双二极管开关元件的单层相位开关屏=Single layer phsse-switched screen using double-diode switching elements[刊,英]／B．Chambers and A．Tennant／／Electronics Letters．-2003,39(15)．-1150-1151(E)     

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0101968可编程器件实现片上系统[刊]/孟宪元//测控技术.—2000,19(10).—43～46(E)在介绍 CPLD 和 FPGA 等可编程器件的结构和现状的基础上,介绍新一代 FPGA 如何在系统集成、系统存储、系统时钟和系统接口等几方面来满足实现片上系统的要求.并预测其今后的发展趋势。Y2000-62185-254 0101969应用筛选印刷工艺制作光电二极管=Fabrication ofphotodiode by screen printing technique[会,英]/Ya-haya,M.& Salleh,M.M.//1998 IEEE InternationalCorgerence on Semiconductor Electronics.—254～259(E)     

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Y99-61799-613 0007497在倍频器应用性能研究中的双势垒谐振隧道二极管=Double barrier resonant tunneling diodes in frequencymultiplier applications performance study[会,英]/Necu-loiu,D.& Dobrescu,D.//Proceedings of 1998 Interna-tional Semiconductor Conference.Vol.2.—613～616(UG)     

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发展了一种红外发光二极管(IRED)辐射波长和强度的积分式(非分光)测试技术。它采用两只不同光谱响应的光电探测器,一只探测器的相对光谱响应在足够宽光谱范围内修正成常数,另一只探测器电按要求用滤光器修正。辐射强度可由相对光谱响应为常数的探测器测量;通过对测得的两个光探测器光电流之比与波长关系的数据进行处理,可以快速获得 IRED的辐射波长。以 MCS-51单片机和上述两个光电探测器及它们的有关电路组成了一台样机实现这个原理。仪器具有高速实时,稳定性好及智能化的优点。参5     

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SPIE-Vol.4278 0314234SPIE 会议录,卷4278:发光二极管:研究、制造与应用=Proceedings of SPIE,Vol.4278:Light-emittingNodes:research,manufacturing and applications[会.     

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0603317 提取MOSFETs界面态分布的子带隙光栅极二极管方法=Sub-bandgap photonic gated-diode method for extracting distributions of interface states in MOSFETs[刊, 英]／S．S．Chi,H．T．Kim／／Electronics Letters．-2003, 39(24)．-1761-1762(E)     

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0608832p型半导体量子阱的有效计算方法〔刊,中〕/薛舫时//固体电子学研究与进展.—2005,25(4).—427-431,436(D)0608833可见光谱发光二极管光子数缩减=Photon-numbersqueezing in visible-spectrum light-emitting diodes〔刊,英〕/P.Lynam I.Mahboob A.J.Parnell A.M.Fox//Electronics Letters.—2003,39(1).—110-1110608834采用点矩阵单输运光电二极管的短毫米波辐射产生=Generation of short milli metre-wave radiation using dot-matrix uni-travelling-carrier photodiode〔刊,英〕/Y.ItohT.Nozokido//Electronics Letters…     

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200200如何解决 LED 应用中的一些难题[刊]/崔晓燕//电子技术应用.—1999,25(9).—58～59(D)LED 应用中存在着一些难题,如发光效率低和使用寿命短等闯题。深入了解 LED 的特性,精心设计硬件和驱动信号,加上细心的安装和维护,这些问题即可得到解决。参4     

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Y2000-62067-98 0009260非晶 SiC:H/非晶 Si:H/晶体硅异质结光电二极管光电流放大=A valanche photocurrent multiplication in anamorphous SiC:H/amorphous Si:H/crystalline Si hetero-junction photodiode[会,英]/Ohtake,H.& Hirano,     

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Y2000-62028-1140 0005664低成本光学组件的自对准硅开槽工艺平台=Self-aligning silicon groove technology platform for the lowcost optical module[会,英]/Choi,M.H.& Koh,H.J.//1999 IEEE 49th Electronic Components and Tech-nology Conference.—1140～1144(UC)