电场辅助离子扩散过程中玻璃基片的电导变化

实验研究了玻璃基片在电场辅助离子扩散过程中的电导变化规律。结果发现,由于直流电场在玻璃基片中产生的焦耳热效应,离子扩散过程中玻璃基片的温度会明显升高,玻璃基片的电导也按照相应的规律变化;在通常的离子扩散制备掩埋式光波导的过程中,玻璃基片电导值可以增加到初始值的数倍;这种玻璃基片温度及伴随的电导变化,会给玻璃基离子交换光波导制备工艺带来不可忽略的影响。     

高热传导率的氮化铝基片已商品化

<正> 热传导率比氧化铝基片大约高8倍的氮化铝基片由日本东北金属工业公司研制成功,并已经商品化,正在进入半导体基片市场,预计在1989年初就可以实现月生产50万个散热器的生产能力。 在热传导率优良的氮化铝基片上,采用薄膜技术,镀上Ti-Pt-Au金属合金,制成     

新型聚合物厚膜材料的应用

<正> 四年前,西德西门子公司开发了一种SICUFOX电路制造技术。这种技术与一般的厚薄膜电路制造技术的区别,在于摆脱了采用传统的陶瓷基片,用塑料基片来代替。它具有下列好处:在基片上打孔容易,     

信息报道

<正>世界领先的AOI系统供应商EPPEPP的自动光学检测(AOI)系统,STRATUSII型,可用于检测陶瓷混合基片、低温共烧陶瓷基片(LTCC)、     

基片集成波导带通滤波器的设计与实现

基片集成波导技术使得包括平面电路、接头和矩形波导在内的完整电路可以以平面形式集成在印刷电路板上;首先简要介绍基片集成波导这一新技术,然后把矩形波导带通滤波器的设计方法引入基片集成波导中,设计了一个中心频率为35 GHz,相对带宽为2.7%的基片集成波导带通滤波器,CST的数值计算结果显示该途径是成功的。     

射频溅射法生长ZnO薄膜的参数研究

以ZnO陶瓷为溅射靶材,通入纯氩气,使用射频溅射法在玻璃基片上制备ZnO薄膜,研究了气体压强、基片温度、溅射功率等对薄膜性质的影响。通过XRD及原子力显微镜(AFM)等检测得出制备C轴(002)ZAO薄膜的最佳工艺条件为:溅射压强0.4Pa;溅射功率200W;基片温度300℃。     

利用总积分散射仪研究不同清洗技术下的基片表面粗糙度

为了探讨不同清洗工艺对基片表面微观粗糙度的影响,利用总积分散射(TIS)仪分别对不同条件下超声清洗的K9玻璃基片,End-hall离子源清洗的K9玻璃基片和Kaufmann离子源清洗的熔石英基片的表面均方根(RMS)粗糙度进行了系统表征.结果表明,K9玻璃基片经不同条件下的超声波清洗后,由于清洗过程中表面受到损伤,其RMS粗糙度均有所增加;而对于End-hall离子源和Kaufmann离子源清洗的基片,其表面RMS粗糙度的变化受清洗过程中离子束流、清洗时间和离子束能量等实验参量的影响较为明显,选择合适的实验参量可以降低基片表面粗糙度.     

基于双压电基片油包微液滴微反应器研究

提出了以声表面波为能量源的微反应器.它由两个128°YX-LiNbO3压电基片和弧形聚合物组成,基片A中反应物Ⅰ由其上声表面波驱动经弧形聚合物输运到基片B,并与基片B中的反应物Ⅱ混合,混合反应物在基片B中的声表面波作用下实现反应.实验结果表明,油包封反应物可减少反应物的蒸发速率;声表面波可提高化学反应速率,并随之增大而增大.     

脉冲激光溅射沉积YBCO超导薄膜

从激光与材料相互作用理论出发,分析了激光烧蚀材料等离子体羽辉的空间运动特征和成分分布;以YBCO/SrTiO_3为对象,从实验上系统研究了脉冲激光溅射沉积薄膜过程中薄膜质量与基片温度、基片-靶材距离、气体压强、激光脉冲能量以及重复频率等参数的关系;总结出在SrTiO_3(100)单晶基片上溅射沉积YBCO高温超导薄膜的最佳实验参数。     

流延法制作AlN陶瓷基片工艺

研究出一种用流延法制作ＡＩＮ陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的ＡＩＮ基片。经１６５０℃，保温２ｈ无压烧结制得的基片，其热导率达１３０Ｗ／（ｍ·Ｋ）、密度为３．３４ｇ／ｃｍ￣３，表面光滑平整，瓷体结构均匀，性能达到用干压法制备的同类基片的性能。     

压电陶瓷表面金属化工艺的改进

分别采用磁控溅射技术及真空蒸发技术对压电陶瓷基片进行表面金属化处理,比较了该两种工艺对压电陶瓷基片表面金属电极的银层结合力、耐焊接热特性的影响.结果表明,较之真空蒸发技术,磁控溅射技术可使压电陶瓷基片表面金属电极的银层结合力提高103％,耐焊接热时间大于30 s;该技术还可提高压电陶瓷基片表面金属化的处理效率,使贵金属...     

基片表面的倾斜度对光学势阱的影响

为了研究原子光刻实验中基片对汇聚激光场的影响,基于几何光学,采用数值仿真的方法,研究了基片表面的倾斜度对光学势阱的影响。结果表明,当基片表面相对于激光驻波中轴线正倾斜时,基片表面会形成一个无光场区,使光学势阱为0,且在z方向上光学势阱会发生一个零值突变;当基片表面相对于驻波中轴线负倾斜时,基片表面永远存在光场,在z方向上光学势阱不会发生零值突变,且光学势阱相对于z=0会出现对称现象。该研究结果对激光汇聚原子沉积实验具有指导意义。     

用直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电性能研究

用直流磁控溅射法将ＩＴＯ薄膜制备在玻璃基片上以作为太阳电池的透明电极。通过改变溅射功率、基片温度和工作气压来研究它们对所沉积的ITO薄膜的透过率和电导率的影响。实验结果表明：当溅射功率从30W增加到90W时,薄膜的透过率和电阻率都将减小;当基片温度从25℃ 增加到 150℃时,透过率稍微有点增大但电阻率减小;当工作气压从0.4Pa 增大到2.0Pa时,透过率减小,但电阻率增大。因此,在溅射功率为30W、基片温度为150℃、工作气压为0.4Pa 时,ITO薄膜有比较好的光电性能,其电阻率小于10-4 Ω•cm ,在可见光波段的透过率大于80%,适合于作为太阳电池的透明电极。     

BeO陶瓷基片表面平整化改性工艺研究

采用在BeO陶瓷基片表面被覆玻璃釉的方法实现基片表面的平整化改性,并利用台阶测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等手段研究不同烧结制度对被釉基片表面粗糙度的影响。实验结果表明,相较于抛光处理的BeO陶瓷基片的轮廓平均偏差和算数均方根偏差值分别为62.8nm和141.9nm,被釉平整化改性的BeO陶瓷基片的参数值可分别降至18.2nm和24.9nm,可实现高效率、低成本的BeO陶瓷基片平整化改性。     

陶瓷多层布线基片和厚膜多层布线基片

<正> 为谋求电子电路的小型化、高速化,人们一直在研究各种新的组装技术。引人注目的方法之一就是将许多IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)芯片直接装配到多层布线基片上。这种高密度组装技术已进入实用化阶段。 氧化铝陶瓷基片     

基片减薄结构的薄膜环行器的仿真设计

利用三维电磁仿真软件HFSS研究了基片减薄结构对微带薄膜环行器性能的影响。提出了一种减薄非磁性介质基片的结构:首先将基片进行减薄处理,再与具有孔洞的硅基片结合,组合成复合基片。研究了复合基片结构对薄膜环行器S参数的影响。研究结果显示这种基片处理过的环行器能显著改善环行器的性能,尤其在器件的工作带宽方面,从原有的435 MHz提高到745 MHz。这为制备出宽带薄膜环行器取代块材环行器,为器件的小型化、轻量化、集成化提供一定的参考。     

九十年代基片加工技术展望

我们可以期望先进的基片加工设备不断地快速更新,但是,由于基片加工设备的成本日益高涨而延长其使用期(现在购买一套设备大约需要2百万美元),这是其一;另一方面,基片加工设备技术的领先优势还需要继续改进和革新。在1993年,全世界的半导     

单层陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法研究

为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的升温速率进行烧结,得到的基片平整度高,制得的单层陶瓷电容器电性能好。     

定向离子清洗对基片表面性质的影响

为提高高功率激光薄膜的抗激光损伤能力，研究了定向离子清洗对玻璃基片表面性质的影响。用End-Hall型离子源在不同清洗参数下对K9玻璃基片进行了清洗，用光学显微镜验证了基片的二次污染和离子的清洗效果，用静滴接触角仪测量了基片在离子清洗前后对水滴的接触角，用原子力显微镜和轮廓仪分别观测了不同参数的离子清洗前后的基片表面形貌和粗糙度，分析了基片清洗后表面性质如清洁、表面能、接触角、表面粗糙度、表面形貌的变化机理。研究表明定向离子清洗可有效去除二次污染、增加基片表面能、控制基片表面粗糙度和表面形貌，是一种有效改善基片表面性质的处理方法。     

半模基片集成波导(HMSIW)三分贝功率分配器

基片集成波导(SIW)具有损耗低、性能好、易于集成等优点,作为一种新型的导波技术已经被广泛地用于微波与毫米波电路.但是对于微波低频段,基片集成波导器件的尺寸偏大.最近,一种新的导波结构--半模基片集成波导(HMSIW)被提出.与基片集成波导相比,半模基片集成波导保留了基片集成波导的优点,同时在尺寸上缩小近一半,损耗也更低.本文提出了两种结合半模基片集成波导与基片集成波导技术的三分贝功率分配器,仿真结果与实验结果一致.