TiO2—V2O5—Li2O系湿敏陶瓷材料的改性研究

研究了掺杂ＺｎＯ对ＴｉＯ２－Ｖ２Ｏ－Ｌｉ２Ｏ系湿敏材料结构及性能的影响。结果表明：参杂ＺｎＯ改善了材料微结构，提高了材料的硬度，烧结温度，湿度灵敏度及稳定性，改性材料以ＴｉＯ２为主相，粒界生成ＬｉＺｎＶＯ４感湿玻璃，其中低Ｖ２Ｏ５掺杂的材料Ａ孔隙度及灵敏度较高，高Ｖ２Ｏ５掺杂的材料Ｂ固有阻值低。     

Ti2O5-V2O5-K2O系湿敏陶瓷 材料的改性研究

研究了添加正硅酸稽对一一湿敬陶瓷材料性能 的影响结果表明材料是以金红石型为主相, 粗界生成含离子的硅玻璃 相其中添加聚合度为或的。, 经℃烧结的材料具有较完善的 微结构、较高的湿度灵敏度和稳定性     

SnO_2-LiZnVO_4系纳米湿敏陶瓷湿敏特性研究

采用共沉淀法制备出SnO2-L iZnVO4系纳米湿敏粉体,考察了液相掺杂L iZnVO4对材料湿敏特性的影响,并从氧化物表面的吸附理论出发,给出了反映湿敏特性的微观参数n值,湿敏线性越好的材料其微观参数n值与0.5越靠近。实验结果表明:适当的L iZnVO4液相掺杂可使材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的特性。理论计算得到的阻湿特性参数与实验结果符合得很好。     

TiO2系湿敏材料的国内外研究进展

概述了ＴｉＯ２湿敏材料的种类及特点，介绍了ＴｉＯ２系７种湿敏材料的国内外研究动向及进展情况，给出了制作工艺要点及材料的性能。     

碱金属氧化物掺杂 对TiO2-V2O5系湿敏陶瓷的影响 ’

本文研究了碱金属氧化物掺杂对TiO2-V2O5系湿敏陶瓷的影响．结果表明：掺入碱金属氧化物和烧结温度等将影响材料的微结构及湿敏性能，其中含K2O材料有较高的湿敏性能．元件经聚合正硅酸酯溶液浸泡在50℃，85％RH下老化50h，提高了元件的湿度灵敏度和稳定性。     

TiO2-V2O5系材料感湿特性与微结构的研究

本文研究了不同晶型TiO2材料、烧结温度及烧结时间对TiO2-V2O5系多孔陶瓷湿敏材料的微结构及温敏性能的影响。实验表明：采用TiCl4水解法制得TiO2具有很高的湿度灵敏度。材料在900-1200℃下烧结1-2h，易获得颗粒大小及气孔一定分布的湿敏材料。     

Ti2O5-V2O5-Li2O系湿敏陶瓷材料的改性研究

研究了接杂对一刃一系湿敏材料结构及性能的影响结果表明接 杂改善了材杆徽结构, 提高了材料的硬度、烧结温度、湿度灵敏度及稳定性改性材 杆以为主相, 粗界生成‘ 感湿玻瑞, 其中低。掺杂的材料孔隙率及灵 敏度较高, 高接杂的材料固有阻值低接杂材抖的烧结温度为一℃     

K2O-SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷特性的研究

采用共沉淀法制备出K2O-SnO2-LiZnVO4系湿敏陶瓷材料,考察了液相掺杂K 对材料湿敏特性的影响,研究了材料的灵敏度、电容特性、阻抗特性等湿敏性能.实验结果表明: K 液相掺杂为10 mol%时可使材料具有低湿电阻小,灵敏度适中的特性.测试频率对试样的阻抗-相对湿度特性曲线影响较大,100 Hz时曲线的线性度最好.试样的电容在低频范围随相对湿度的升高而增大,但高频范围几乎不随相对湿度变化.     

高分子湿敏材料功能设计

本文介绍了高分子湿敏材料的特点,分类,并从敏感材料功能设计的基点出发,较详细地叙述了胀缩型、电阻型、电容型高分子湿敏材料的感湿机理和感湿材料设计方法,同时以应用示例给予说明。     

TiO_2-V_2O_5-K_2O系湿敏陶瓷材料的改性研究

研究了添加正硅酸酯[Si(OC_2H_s)_4]对TiO_2-V-2O_5-K_2O(Na_2O)湿敏陶瓷材料性能的影响.结果表明:材料是以金红石型TiO_2为主相,粒界生成含K~+(Na~+)离子的硅玻璃相.其中添加聚合度为3.0或2.5的Si(OC_2H_5)_4,经900℃烧结2h的材料具有较完善的微结构、较高的湿度灵敏度和稳定性.     

用复阻抗法分析 MgCr2O4-TiO2 湿敏陶瓷感湿机理

本文研究了不同湿度条件下MgCr_2O_4-TiO_2的复阻抗平面图及其对应的等效电路图.根据介质极化理论,分析了不同湿度范围内的极化机制,得出结论:相对湿度大于25%RH时,主要是质子(H_3O)~+的电导起作用;相对湿度小于33%RH时,主要是电子电导起作用;两者之间是质子和电子共同起作用.     

Fe_2O_3-MgO(K_2O)陶瓷湿敏特性的研究

报导了不同含量的MgO、K_2O掺杂对Fe_2O_3为基的陶瓷材料湿敏特性影响的研究结果.确定了使材料湿敏特性得到很大改善的掺杂含量.并通过XRD、SEM的分析,对其感湿机理进行了讨论。还报导了环境温度变化对材料湿敏特性的影响情况.     

氧化铟纳米材料的制备及其在气体传感器中的应用

评述了氧化铟纳米材料的各种制备方法的优缺点,包括溅射法、激光烧蚀法、溶胶凝胶法、化学气相沉积法、均匀沉淀法、微乳液法、模板法等.对氧化铟半导体材料在气体传感器中的应用做了简单介绍,包括它作为CO、NO2、O3、H2等气体传感器的应用现状.     

NiFe2O4纳米材料的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和NiCl2*6H2O为原料,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2O4粉体,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性.NiFe2O4是一种新型的P型半导体气敏材料.以NiFe2O4纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性,并对气敏机理给予了解释.     

纳米ZnFe2O4的制备及其气敏性能研究

采用柠檬酸盐热解法制备出纳米ZnFe2O4粉末,其物相纯净,颗粒分散性好,尺寸小于50 nm.实验结果表明,ZnFe2O4晶粒生长随焙烧温度升高存在两个生长阶段,即快速生长I区和正常生长II区.随着烧结温度的升高,厚膜元件电阻快速下降.ZnFe2O4厚膜元件对苯及其衍生物蒸汽有较高的敏感度,且存在最佳工作温度和最佳烧结温度,分别为360℃和500℃.     

Nb2对TiO2响应TMA气敏特性的改善

在金属氧化物TiO2中,掺入另一种金属氧化物Nb2O5,使得原响应三甲胺（TMA）气体灵敏度和降低器件阻值等方面,均有突破性进展.