介电函数及其在电子能量损失谱低能区分析的应用

一、前言:电子能量损失谱学(EELS或ELS)是研究电子激发的一次过程。一幅电子能量损失谱大致可分为三个区域:零损失区、低能损失区(5～50eV)和高能损失区(>50eV)。对各谱区进行细致的分析研究、可获得与样品化学成分或电子结构有关的信息。利用电子能量损失谱低能区研究固体的电子结构、引起物理和电子显微学界的关注。因为它不仅能提供固体的电子结构信息、还能在同一台仪器上研究固体的微区晶体结构、成分和形貌。但在电子能量损失谱5～50eV的低能区很难直接确定有关电子结构方面的信息。这是由于在该区等离子激发占主导地位、而外     

移动通信微小区化网路结构的电磁兼容性分析

未来个人通信的发展要求移动网采用微蜂窝式的网路结构,根据移动通信网的电磁兼容性基本理论进一步分析和论证了移动网微小区化的必要性,讨论了与微小区化有关的一些技术和经济问题。     

GaAlAs/GaAs DH激光器的发光位置研究

GaAlAs/GaAs DH激光器是一个微型的多层结构的发光器件。正常结构的发光区是在一个条形的发光区内。但是,由于工艺的改变、操作的失误等,许多器件的发光区不在理想部位。直接观察发光区的确切位置及其图样,对于了解器件性能,特别是对工艺的研究有着重要的意义。本文介绍发光区位置的确定,描述各种发光现象及其同工艺之间的可能联系。 实验结果表明:(1)全线发光有的主要与条形形成工艺有关(平面条形);有的则由外延工艺决定(沟槽衬底)。(2)带状发光,一类与外延有关,如⊿x偏小,作用区太薄等;另一类与条形形成工艺有关,如Zn的深度扩散等。(3)衬底发光主要与外延工艺有关。如沟槽衬底条形     

无线寻呼发射机场强覆盖的分析

介绍了有关电磁波场强和参数的定义和满足无线寻呼系统场强的条件, 以及在满足场强条件下无线寻呼系统覆盖区的确定方法。对覆盖重叠区如何克服同频不同步和同频干扰的技术也做了介绍     

交变电场展开铁电液晶螺旋结构的研究

本文从实验上和理论上对交变电场展开铁电液晶ＳｍＣ＊螺旋结构进行了仔细的研究。当场强小于展开临界场Ｅｃ时观察到四种不稳定性，实验表明相应的阈值和Ｅｃ均与频率有关．在低频区和高频区分别在不同温度和不同频率下测量了电场与螺距之间的关系．提出了两个理论模型分别解释了低频区和高频区的实验事实。     

弱场等离子体中电子注的传输

本文导得了充等离子合格同波管漂移空间弱场条件下电子运动轨迹方程，详细阐述了α区和β区电子注的运动特点，并通过数值计算推得了电子运动形态为围绕平衡半径在α区和β区交替波浪式前进，波纹的周期和幅度与等离子全参数及电压和场强有关，研究结果还表明，利用填充等离子体的弱场空间可实现长短距离的电子注无磁场聚束传输。     

激光颗粒计数器光敏区强度分布特性分析

提出了一种确定激光颗粒计数器光敏区强度分布的普遍方法。由于光敏区光强和颗粒在光敏区的位置有关,因此需要对其进行均匀化处理。对在激光焦平面内,照射面积作为光强的函数进行了分析,这对确定激光颗粒计数器的光学采样速率是重要的。     

分析扫描电子显微学对Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)系氧化物超导体的研究

对Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)系氧化物超导体进行了室温和液氮温区的形貌分析,初次应用LTSEM法识别样品的超导颗粒或晶粒区,获得超导颗粒的形貌象。对样品的微束分析表明,液氮温区Meissner效应的强弱直接与样品化学组分配比及其均匀性有关。     

马氏体不锈钢激光表面熔化处理后的表层残余应力

采用两种极端的多道顺序激光扫描工艺，证实了马氏体不锈钢激光表面熔化处理后表层残余应力并非都是压应力。残余应力性质与熔池尺寸和重叠区相对大小有关。表面重叠区宽度大于熔池表面宽度一半，才会有明显的表层压应力；重叠区过小，往往为拉应力。     

Fe-B合金激光熔凝形成非晶态机理探讨

本文对激光表面熔区的显微组织进行了热力学和动力分析，提出一个简化的熔池中温度分布的物理模型，分析了非晶态形成过程。用ＣＷＣＯ２激光扫描Ｆｅ—Ｂ合金表面，得到１３０μｍ～２００μｍ厚度的非晶层，并对激光低速扫描时熔区再结晶点阵常数变化的有关数据进行了对比，对激光非晶态形成的条件及有关工艺参数进行了分析和讨论。     

两段式双稳半导体激光器上跳时参量的变化

考虑到实际的物理过程，本文在通常采用的两段式双稳半导体激光器的速率方程经且中增加了描述两区增益的线型函数，同时考虑到由于受吸收区的影响，ＴＡＢＬ的输出波长不仅与增益区的增益有关，而且与吸收区也有关，因而应是两区共同作用的结果，因此根据物理事实我们增添了一个方程来反映这个特征，在此基础上，利用修正后的速率方程组。数据模拟了两段式双稳半导体激光器上跳时某些重要参量的变化。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔 (氢 )硅片经退火后在近表面形成洁净区 ,在硅片内部形成体内微缺陷 .微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关 ,还与后续退火条件有关 .第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响 ,中低温要比高温所形成的微缺陷小 .在退火过程中微缺陷有一个生长过程 ,110 0℃退火 2 h微缺陷已达最大 .硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成 ,洁净区出现在未抛光面 ,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

双周期光量子阱中的共振透射谱

用传输矩阵法研究了一维双周期光量子阱中的共振透射谱,揭示了光子隧穿双周期光量子阱时共振透射谱线的规律.研究发现,该结构拓宽了光子禁带区域,同时禁带中出现了多个共振透射谱,光子晶体的垒区通带频率范围内共振透射谱线的个数主要与光量子阱中垒区的周期数有关,而光子晶体的阱区通带频率范围内共振透射谱线的个数主要与光量子阱中阱区的周期数有关.同时也发现当双周期光量子阱结构的周期数为N时,适当调节垒区和阱区的周期数,可使每个共振透射谱分裂为N-1条,且各分裂谱线互不交叠,这样在有限的禁带区域可以成倍增加光子束缚态,使信道密度增大,能有效地优化光波带宽的使用,有望在光通信超密集波分复用和光学精密测量中获得广泛应用.     

对制药洁净室空气洁净度等要求的分析

从洁净室设计的角度,对有代表性的有关世界组织及国家的药品生产质量管理规范（ＧＭＰ）或其指南中有关设计灭菌药品生产的洁净室（区）空气洁净度要求及气流形式、风速和换气次数等规定的差异进行对比分析。     

规则十四 互联网对信息服务利润区的影响

足够大的利润区才能支持一定规模的企业,因此寻找利润区成为企业定位的依据。利润区大小会与用户愿意支付的信息服务价格及潜在的用户群大小有关。我们要讨论的是互联网的出现对于信息服务业的利润区分布有什么影响?以及信息服务企业应采取的对     

红外焦平面器件微扫描技术的发展

红外焦平面器件的像元由光敏区和非光敏区（亦称为死区）构成。死区对应的场景成为探测盲区,落在死区上的场景光子属于无效光子,对信号没有贡献。利用微扫描动作将死区光子转移到光敏区,可以提高红外成像系统的空间分辨率。基于有关基本概念,介绍了红外成像系统中微扫描技术的原理、实现方法和发展趋势。     

会议纪要

苏鲁皖暨浙赣闽地区高校电子技术教学研究会2006年联合年会于2006年8月14日至8月18日在烟台大学于维练学术交流中心举行。出席这次会议的有两地区的高校电子技术教学研究会名誉理事长、正副理事长、常务理事、理事及秘书长，两地区各高校老师代表和浙江、上海、台北等多个友好企业的代表，多家出版社的代表共70多人。大会共收到教学和科研等有关论文，多家出版社的代表共70多人。大会共收到教学和科研等有关论文、资料等几十篇，经认真评审遴选出其中近二十篇编辑出版了两地区2006年联合年会《论文集》。     

曲靖非相干散射雷达电离层E-F谷区电子密度日间变化特征初步分析

电离层E-F谷区是电离层探测和研究的薄弱环节之一.文中利用曲靖非相干散射雷达日间120～200 km的电子密度观测数据,初步分析了曲靖地区电离层E-F谷区的变化特征.发现E-F谷区结构依赖于地方时与季节,相对于正午存在对称性,同时表现为两种形态：一种在120～160 km存在明显谷区结构,谷底位于134～144 km;另一种的谷区很宽,谷底位于约130 m,在120～150 km电子密度随高度缓慢变化,160 km以上电子密度快速单调增加.一次耀斑爆发后129 km以下电子密度迅速增加,D层电子密度突然增强,而134 km以上变化不明显,可能与X射线增强有关.一次磁暴期间139～158 km电子密度变化不明显,177～196 km的电子密度出现了增强现象,可能与氧原子含量增加有关.