大动态范围有源上变频混频器可取代无源混频器

凌力尔特公司（Linear）新推出的大动态范围有源上变频混频器LT5579可取代目前市场上最好的无源混频器。该器件1．5GHz～3．8GHz的宽频率范围覆盖了1．9GHz蜂窝频带以及2．6GHz和3．5GHz WiMAX频带。在2．14GHz时，该器件具有27．3dBm输出IP3线性度和9．9dB噪声指数，实现了较大的发送器动态范围。另外，该混频器具有2．6dB变频增益，这是同类器件中最好的。LT5579集成了本机振荡器（LO）缓冲器，     

＋36dBmIIP3下变频混频器

凌力尔特公司（LinearTechnologyCorporation）推出超高动态范围RF下变频混频器LTC5551。该器件适用于需要最佳性能的应用。LTC5551提供非常高的＋36dBmIIP3（输入三阶截取）线性度、以及可与最高的IIP3可用无源混频器相媲关的9．7dB低噪声指数。与一般具7~9dB转换损耗的无源混频器不同,LTC5551具有2．4dB转换增益．从而极大地改善了接收器的动态范围。该器件还能提供很宽的RF频率范围,可工作在300MHz-3．5GHz。     

GaAs MMIC MESFET混频器性能比较

给出了几种 Ga As MESFET单片混频器结构与芯片测试结果比较。实验表明 ,在相同本振功率激励下 Ga As MMIC双栅混频器具有良好变频特性 ,栅混频器指标次之 ,漏混频器结构最简单 ,但变频特性不如前两种。另外 ,单片巴仑双平衡混频器具有高的动态范围和宽频段工作特点。     

一种高线性度混频器设计

高线性度混频器是大动态接收系统的关键器件,其线性度的提高有利于扩展接收系统动态范围。通过对二极管混频器的非线性分析,从理论上推导出增加二极管数量可以提高混频器线性度。基于理论分析结果,采用Ga As p HEMT工艺,设计了一款高线性度双平衡混频器,射频频率0.03~3 GHz,对应本振频率3.95~6.92 GHz,中频输出频率3.92 GHz,输入三阶截点大于25 d Bm,本振到中频、本振到射频的隔离度均大于37 d B,单片面积1.5 mm×1.1 mm。     

X波段砷化镓金属-半导体场效应晶体管混频器的性能

提出了砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)混频器的信号特性的理论分析和实验证明。描述了估计某些混频器参数的实验技术。在X波段下,对砷化镓MESFET混频器进行的实验表明:它有良好的噪声性能,并可得到大的动态范围以及变频增益。在7.8千兆赫下测得变频增益大于6分贝。在8千兆赫下,平衡的MESFET混频器的噪声系数低至7.4分贝,输出三阶互调截止点为+18分贝毫瓦。     

多载波互调干扰的分析和对抗

对放大器、混频器、调制／解调器三种非线性器件的互调干扰进行了综合分析。据此，提出了频率设计，大动态范围电平接收，带发阻滤波新型场效、窄带滤波，合理增益分配，高电平双平衡混频器等对抗互调干扰的措施。     

差分放大器作为混频器的负载

在频率变换系统中混频器是关键性的非线性元件。随着最近集成电路的进展,大量的混频器产品已可使用在不同的频率范围中。一个双平衡混频器能很好地隔离RF,LO和IF口。     

ADL5360：高线性RF混频方案

ADI公司的ADL5360利用两个高线性度双平衡无源混频器内核与集成的RF和本振（LO）平衡电路实现了单端工作。ADL5360内置两个RF巴伦（Balun）,能够通过低端LO注入,在700MHz到1000MHz的RF输入频率范围内实现最佳的主混频器和分集混频器性能。平衡无源混频器提供良好的本振至射频泄漏（典型值优于-25dBm）,以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5360的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求苛刻的手机应用。高线性度IF缓冲放大器与无源混频器可提供9．5dB（典型值）的功率转换增益。     

三大技术进步成就无源混频器高线性度、低噪声和宽带

目前,在混频器市场,要选择一款带宽较宽、高线性度和低噪声的混频器,电子设计工程师往往需要在有源混频器与无源混频器之间作出选择,前者在宽带性能方面表现优秀,但无杂散动态范围却表现一般。后者虽然在无杂散动态范围性能方面表现较佳,但工作带宽却不如前者。因此,在现有的接收机设计中,为了满足     

混频器设计中主要技术指标的研究

文章从混频器的基本概念出发,分析其主要技术指标,如噪声系数、变频损耗变频增益、动态范围、隔离度等对混频器性能的影响。分析其设计中对系统造成的干扰并提出解决办法。     

Ka波段单片砷化镓平衡混频器

用于毫米波平衡混频器的单片集成电路已在半绝缘砷化镓衬底上研制成功。在交叉混频器中,砷化镓基片作为一根悬浮的带线。在30到32GHz整个频率范围上,应用一个单片砷化镓平衡混频滤波器片就可获得4.5dB的双边带噪声系数。单片砷化镓平衡混频器已最优化,并且以平面组件的形式与混合式微波集成前置放大器相接,因而大大改善了射频带宽并减小了尺寸。在从31到39GHz频率范围内,应用仅为0.5×0.43平方英寸的一块砷化镓片,就可获得低于6dB的双边带噪声系数。这个噪声系数包括了前置中频放大器(5～500MHz)的1.5dB噪声系数。     

高动态范围有源上变频混频器

凌力尔特公司推出新型宽带有源上变频混频器LT5578，该器件在400MHz至2．7GHz的频段内提供了高动态范围性能．并支持所有的分配型LTE（长期演进）宽带无线业务。在900MHz时，该混频器提供了27dBm的输出IP3线性度和同类最佳的-160．5dBm／Hz噪声层（在-5dBm的输出电平条件下），从而实现了绝佳的发送器动态范围。     

高线性度双通道下变频混频器

LTC559x系列由4个高动态范围、双通道下变频混频器组成的,涵盖600MHZ～4．5GHz无线基础设施频率范围。LTC5559x双通道混频器系列具有超过26dBm的IIP3（输入3阶截取）、低于10dB的低噪声指数和8．5dB的高转换增益,从而可为MIMO（多输入、     

混频器设计中的关键技术研究

混频器已经在诸多领域中得到了广泛的应用,其技术指标的好坏直接影响到整机性能的发挥。从混频器的基本概念出发,分析了混频器设计中的关键技术,如噪声系数、变频损耗、动态范围、隔离度、混频失真等对接收机性能的影响,并从工程角度出发,指出在工程设计中应注意的要点。本文所得结论在工程应用中得到了验证。     

LTC559x系列：下变频混频器

凌力尔特公司推出由4个高动态范围、双通道下变频混频器组成的LTC559x系列，该系列器件涵盖600MHz-4．5GHz无线基础设施频率范围。     

R＆S推出用于快速、精确地进行多端口分析的四端口网络分析仪

罗德与施瓦茨的新一代的网络分析仪现已推出4个测试端口和第二内置信号源的选件。它具有的宽动态范围、测量时间短和便利的操作会使需要进行多端口被测件、混频器和放大器特性测量的用户受益。     

R&S公司推出用于快速、精确地进行多端口分析的四端口网络分析仪

罗德与施瓦茨的新一代的网络分析仪现已推出四个测试端口和第二内置信号源的选件。它具有的宽动态范围、测量时间短和便利的操作会使需要进行多端口被测件、混频器和放大器特性测量的用户受益     

常阻抗中频带通滤波器改善电路性能

本文论述常阻扰带通滤波器对混频器变频损耗和互调的影响通常,双平衡混频器具有很宽的宽带。当用作下变频器时,和、差频率的幅度相等。消去和频率的滤波是必需的。通常用1—通道上的10—dB 衰减器测量变频损耗,其后是抑制和频率的低通或带通滤波器(图1)。在此装置中用低通滤波器抑制和频率,并使其反射回到混频器中。由于采用10—dB 衰减器,反射回到混频器中的和频率电平至少比离开1—通道时低20—dB。1—通道上的10dB 衰减器的用途是在宽频带的1通道上提供50—ohm 终端负载,以防反     

基于ADS的微波混频器设计与仿真

随着射频通信技术和微电子技术的迅速发展,微波混频器正广泛应用于移动通信、雷达、电子对抗及射频和微波电路等领域,其性能好坏直接影响到整个系统的性能。根据微波混频器设计理论,在分析微波混频器原理的基础上,设计中心频率为5GHz单平衡微波混频器,完成单平衡混频器中3dB定向耦合器、低通滤波器、二极管和匹配网络电路设计。阐述利...     

Be One（比韵）MC-20前级、MF-220单声道功率放大器

MC-20系列前级放大器采用超对称线路和平衡单端式设计,纯A类放大,输入至输出直接交连,令失真大幅降低,动态范围更加宽阔。MF-220单声道功率放大器超对称线路由完全对称的正相及倒相放大部分组成,以特殊的交叉补正交叉连接使两部分的失真和噪音在输出时互相抵消,使共模排斥率优于负60dB,由于超对称平衡放大器中的二组放大线路从零件到线路布局都达到精确配对,故此噪音和失真降低了20dB：超对称线路在输入级后面采用了特殊的交叉补正线路连接两组放大器,这使紧接着的平衡放大线路可顺利地将这些噪音和失真剔除,