可变增益的功率放大器单片微波集成电路

根据电压控制增益电路理论及放大器设计原理,设计制作了一种基于GaAs工艺的可变增益功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真,研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响。最终实现了在6~9 GHz频率范围内,1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时,放大器的增益在5~40dB之间变化,增益控制范围达到了35 dB。将功率放大器与增益控制电路制作在同一个单片集成电路上,面积仅为3.5 mm×2.3 mm,具有灵活易用、集成度高和成本低的特点,可广泛应用于卫星通信和数字微波通信等领域。     

C波段高增益微封装GaAs功率放大器

介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０￣６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ〉３６ｄＢｍ，Ｇｐ〉４０ｄＢ，ηａｄｄ〉３３％。     

微波高功率放大器的改造方案

1改造的必要性早在 1986年 10月 ,地球站正式开播以前 ,由于当时卫星发射失败 ,各省准备放弃模拟 ,采用数字压缩广播电视信号 ,五省共用一个卫星转发器传送广播电视信号。根据当时卫星转发器 EIRP值和我站 12米天线的增益计算 ,要求高功放发射功率应小于2 0 W,而瓦里安 VZJ 2 70 0 M微波高功率放大器末级采用大功率速调管 (VR936) ,最大输出功率为 3.35 k W,现输出功率 2 0 W,功率利用率不到 1% ,而速调管功耗特大 ,最小功耗 (0 W输出 )也大于 9k VA ,大功率风冷机 (380 V×2 .8A )噪声大。针对这种浪费现象 ,我们向瓦里安公司提出…     

高增益V波段异质结FETMMIC功率放大器

高增益Ｖ波段异质结ＦＥＴＭＭＩＣ功率放大器随着无线局域网络（ＬＡＮ）、轻便摄像机、遥感系统等先进设备的发展，人们对毫米波系统的需求在与日俱增。６０ＧＨＺ以上的宽带系统更具吸引力，因为它衰减量大，能够减小相互干扰。然而，由于缺乏高性能的ＭＭＩＣ，如大功...     

基于SiGe工艺的高增益射频功率放大器

基于0.13μm SiGe HBT工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g频段范围内的高增益射频功率放大器.该功放工作在AB类,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.仿真结果显示:功率增益高达30dB,1dB压缩点输出功率为24dBm,电路的S参数S11在1.5～4GHz大的频率范围内均小于-17dB,S21大于30dB,输出匹配S22小于-10dB,S12小于-90dB.最高效率可达42.7%,1dB压缩点效率为37%.     

AVGO推出一种高增益、高线性功率放大器

正通信、工业和消费类应用提供模拟接口零组件的领先供应商AvagoTechnologies(Nasdaq:AVGO)今天推出一种高增益、高线性功率放大器,可为700-800 MHz移动基础结构设备提供高数据率应用。这一新款高线性MGA-43128放大器可为LTE AP、CPE和Picocell设备提供出色的信号传输质量而且功耗较低,还可以被用作基站驱动放大器。     

高增益、高效率的UHF线性功率放大器

Motorola Semiconductor公司的MHW920功率放大器的运行频率为824至849MHz的UHF波段,可提供50Ω I/O阻抗、良好的线性和坚固性,谐波分量低。这种放大器规定的电源为6V,产生输入功率为0 dBm,     

一种SiGe BiCMOS 140 GHz高增益功率放大器

基于IHP 130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种中心频率为140 GHz 的三级Cascode结构的功率放大器。该放大器由两个驱动级和一个输出功率级组成,输入、输出和级间匹配均采用微带线实现。设计中,选用最佳尺寸的晶体管,通过分析得到最佳偏置电流和最佳偏置电压,从而获得最大的电压摆幅,以提高输出功率。仿真结果表明,在120~160 GHz的工作频带中,该放大器的最高增益为28 dB,饱和输出功率为16.2 dBm, 功率附加效率为20%,功耗为220 mW。     

宽带高增益微波固态限幅放大器

本文介绍了供研制宽开截获接收机用的一种宽带高增益微波固态限幅放大器的研制结果。     

S波段小型管壳封装高增益高可靠功率放大器的设计

基于功率放大器模块化、小型化的发展需求,设计了一种S波段小型管壳封装、高增益、高可靠线性功率放大器,采用微波薄膜混合集成电路工艺,双电源供电,将三级放大电路一体化集成到全密封金属管壳,阐述了功率放大器的高增益、高可靠、小体积设计.测试结果表明放大器功率增益29 dB,1 dB输出功率大于34 dBm,功率附加效率大于38%,70℃壳温功率管芯结温101℃,外形尺寸13mm×21mm×5.5mm.技术指标满足设计要求,可靠性满足Ⅰ级降额设计.     

一种65 nm CMOS 60 GHz高增益功率放大器

设计了一种基于65 nm CMOS工艺的60 GHz功率放大器。采用共源共栅结构与电容中和共源级结构相结合的方式来提高功率放大器的增益,并采用两路差分结构来提高输出功率。采用片上变压器作为输入/输出匹配及级间匹配,以减小芯片的面积,从而降低成本。采用Cadence、ADS和Momentum等软件进行联合仿真。后仿真结果表明,在工作频段为60 GHz时,最大小信号增益为26 dB,最大功率附加效率为18.6%,饱和输出功率为15.2 dBm。该功率放大器具有高增益、高效率、低成本等优点。     

微波电视高增益圆极化天线的设计

本文介绍了采用低剖面螺旋天线作为馈源来设计并最终获得微波电视用的高增益圆极化天线。     

高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2千兆赫波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果:放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200兆赫。放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

小型化高增益微波发射组件电磁兼容设计

本文主要介绍了高增益微波发射组件的电磁兼容设计.根据理论和EDA仿真软件对微波组件内的场分布进行分析.结合工程对微波腔体进行优化设计,有效的减少辐射干扰和提高了组件的稳定性.     

基于GaAs HBT工艺的高增益宽带Doherty功率放大器设计

在传统Doherty功率放大器的基础上,采用砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)工艺,设计了一款可应用于5G通信N79频段(4.4~5 GHz)的高回退效率MMIC Doherty功率放大器(DPA)。通过在Doherty电路中采用共射-共基结构,并在共射-共基结构中加入共基极接地电容,大幅提升了DPA的增益和输出功率。使用集总元件参与匹配,减小了芯片的面积。仿真结果表明,在目标频段内,增益大于28 dB,饱和输出功率约为38 dBm,饱和附加效率(PAE)为63%,7 dB回退处的效率达到43%。     

一种30 MHz～3 GHz宽带高增益功率放大器

基于0.25 μm GaAs PHEMT 工艺,设计了一种可应用于甚高频和超高频的宽带高增益功率放大器。该功率放大器采用两级级联结构来克服功率增益的不足,采用堆栈结构来实现平坦的增益和输出功率。仿真结果表明,该功率放大器的工作带宽为30 MHz~3 GHz,小信号增益为(38.2±1.6)dB,输入输出回路损耗在-10 dB以下。在连续波测量模式下,输出1 dB压缩点为(35.3±1.0)dBm,功率附加效率为16.8%~11.0%。     

微波功率放大器非线性分析

本文介绍的是微波功率放大器非线性的分析方法，此方法对放大器的非线性性能进行有效的分析、计算，并通过实验对分析、计算结果给以验证，同时也为工程设计提供依据。     

基于GaN工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器

本文报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器.该功率放大器采用GaN功率单片集成电路工艺与微波混合集成电路工艺相结合的电路形式,采用两级放大电路拓扑,正负电源结构设计.模块采用铜-钼-铜(CMC)载板实现,有效实现了模块的高效率、小型化和低成本.铜-钼-铜(CMC)载板尺寸8...