低频负反馈电路噪声性能分析的En—In模型方法

本文提出了一种基于Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的负反馈电路噪声分析方法，针对不同形式负反馈电路噪声分析的需要，分别建立了四种分析模型与Ｅｎ－Ｉｎ模型之间的关系，仿真与测量结果的比较表明：由于本方法中充分考虑了Ｅｎ－Ｉｎ噪声的相关性，因此它在低电路噪声分析中准确的。     

低频负反馈电路噪声性能分析的E_n－I_n模型方法

本文提出了一种基于Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的负反馈电路噪声分析方法．针对不同形式负反馈电路噪声分析的需要，分别建立了四种分析模型与Ｅｎ－Ｉｎ模型之间的关系．仿真与测量结果的比较表明：由于本方法中充分考虑了Ｅｎ－Ｉｎ噪声的相关性，因此它在低频电路噪声分析中是准确的．     

放大器En-In噪声模型的完善及其与Rn-Gn噪声模型的关系

目前，微波低噪声放大器设计中采用的Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型只适用于高频、窄带和源导纳（Ｇｓ≠０）情况，其应用范围有限，特别是不适用于低频段的低噪声放大器设计。本文对文献［１］提出的Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型作了改进，使其不仅适用于高频、窄带，而且也适用于低频、宽带放大器的低噪声设计。进而推导出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型与Ｒｎ－Ｇｎ噪声模型的等价关系，给出放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的测量方法及实测结果。     

低噪声放大器模块化分析与设计的等效噪声模型法

本文以双端口网络的等效噪声模型为依托,通过采用精密测量所得的全参数Ｅｎ－Ｉｎ模型描述有源器件的噪声,以有效地提高低噪声放大器的设计精度;并通过研究Ｅｎ－Ｉｎ模型与其它六种等效噪声模型的谱关系实现噪声网络的模块化分析与设计,从而简化了噪声估算的过程。     

晶体管放大器三种组态的En—In噪声分析与比较

准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键。本文在晶体管三种组态Ｅｎ－Ｉｎ噪声分析等方面给出了若干新结果。     

声频放大器低噪声化的设计

本文首先从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）做了分析，并以实现放大器低噪声化为出发点，阐述了具体设计的几个过程，最后对级联放大器的低噪声设计进行探讨。本文并非从工程设计的角度全面论述低噪声设计的各个方面，而是仅就低噪声设计中需要考虑的一些问题做一概述，从而为一些有志于音响工作的人们研究低噪声系统的设计问题提供方便。     

集成运算放大器同相和反相形式的En—In噪声分析和比较

本文通过分析和比较同相和反相放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声的特点，给出了若干新结果，本文方法在低噪声运放电路设计和运放噪声参数提取中具有十分有重要的意义。     

晶体管放大器三种组态的En—In人噪声分析与比较

准确评价晶体管三种组态的噪声性能是低噪声放大器电路组态优化设计的关键．本文在晶体管三种组态Ｅｎ—Ｉｎ人噪声分析等方面给出了若干新结果．     

多级放大器噪声谱矩阵计算及在低噪声设计中应用

本文针对通信接收机噪声性能分析中广泛采用的弗里斯（Ｆｒｉｓ）公式在低噪声设计中的不足，提出了具有复相关系数的放大器Ｅｎ－Ｉｎ噪声模型的谱矩阵形式，推导了多级放大器的噪声谱矩阵计算公式。成功地解决了多级放大器噪声性能分析及低噪声设计必需的噪声参数（最佳源阻抗及最小噪声系数）计算。     

WSi_2栅和Si栅CMOS／BESOI的高温特性分析

用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

Pd／In／Pd等组分材料对n型GaAs欧姆接触的比较研究

Ｐｄ／Ｉｎ／Ｐｄ等组分材料对ｎ型ＧａＡｓ欧姆接触的比较研究《ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ》１９９５年第一期报导了Ｈ．Ｇ．Ｆｕ等对ｎ型ＧａＡｓ欧姆接触各种组分材料的比较研究，这些组分是Ｐｄ／Ｉｎ／Ｐｄ，Ｐｄ－Ｉｎ／Ｐｄ和Ｐｄ－Ｉｎ。其沉积...     

Sn—Zn—In软钎料合金初步研究

对Ｓｎ－Ｚｎ－Ｉｎ钎料合金的性能进行了研究，钎料铺展性和剪切强度试验结果表明，央Ｓｎ－９Ｚｎ－Ｉｎ软钎料合金中，随Ｉｎ含量增加，铺展面积增大，钎焊接头剪切强度降低。钎粒熔点和接头组织等性能的综合分析结果表明Ｓｎ－９Ｚｎ－１０Ｉｎ的性能已接近或超过传统的Ｓｎ－Ｐｂ共晶。     

MBE生长InSb外延层特性及红外探测器研究

本文报道了采用含有ＩｎＳｂ非晶过渡层的两步ＭＢＥ生长技术，在ＧａＡｓ（１００）衬底上异质外延生长的ＩｎＳｂ外延层材料特性及初步的器件性能。５μｍ厚的ｎ型本征ＩｎＳｂ外延层７７Ｋ时的电子浓度和迁移率分别为：ｎ～２．４×１０￣（１５）ｃｍ￣（－３），μ～５．１２×１０￣４ｃｍ￣２Ｖ￣９－１）ｓ￣（－１），高质量ＩｎＳｂ外延层的Ｘ射线双晶衍射半峰宽（ＦＷＨＭ）＜１５０″。ＩｎＳｂ表面的相衬显微形貌，ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ界面的ＴＥＭ形貌相和ＩｎＳｂ外延层的红外透射谱等测试结果都肯定了ＭＢＥＩｎＳｂ外延层的质量。研究结果已基本达到目前国外同类研究水平。用ＭＢＥ生长的ｎ型ＩｎＳｂ外延层薄膜首次制作了中波（３～５μｍ）多元光导线列器件，终测表明，器件的光导响应率较高Ｒ（Ｖ）～７８００Ｖ／Ｗ，均匀性很好ΔＲ（Ｖ）／Ｒ（Ｖ）＜７％，ＭＢＥＩｎＳｂ外延薄膜展示了良好的红外探测器应用前景。     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

Sn－Zn－In软钎料合金初步研究

对Ｓｎ－Ｚｎ－Ｉｎ钎料合金的性能进行了研究，钎料铺展性和剪切强度试验结果表明，在Ｓｎ－９Ｚｎ－Ｉｎ软钎料合金中，随Ｉｎ含量增加，铺展面积增大，钎焊接头剪切强度降低。钎料熔点和接头组织等性能的综合分析结果表明Ｓｎ－９Ｚｎ－１０Ｉｎ的性能已接近或超过传统的Ｓｎ－Ｐｂ共晶     

双极型运算放大器的En-In噪声矩阵建模

本文通过描述同相放大器等效输入噪声电压谱密度Ｅｎｉ＾２,导出了一种双极型运放Ｅｎ－Ｉｎ噪声矩阵参数的提取方法。并通过分析复相关系数的相对误差确定了提取准则。与现有方法相比,本文方法不仅可以完整的描述运放的噪声特性,而且还有利于不同运放电路（如宽带前置放大器,有源滤波器）的精确低噪声设计。最后,还充分验证了本文方法的可行性和正确性。     

用电化学C－V技术研究Ga In P／GaAs异质结界面特性

本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０１１ｃｍ－２，并推算出导带差△Ｅｃ为１２６ｍｅＶ，相应于△Ｅｃ＝０．２８△Ｅｇ。     

SOI高温电路—突破硅集成电路的高温应用限制

常规的体硅基础电路通常只能工作在２００℃以下，ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎ－ｓｕｌａｔｏｒ）电路的突出特点之一是可以工作在高温环境。简述了市场对高温电路的需求，并分析了ＳＯＩ电路在高温下的电学特性，讨论了为将ＳＯＩ高温电路商业化，应当解决的一些技术问题。     

高击穿电压InAIAs／n~＋－InGaAs HFET

高击穿电压ＩｎＡＩＡｓ／ｎ￣＋－ＩｎＧａＡｓＨＦＥＴ最近报道了一种适于高压应用的ＩｎＰ基ＨＦＥＴ，它采用的是双应变外延结构。为了提高器件的击穿电压，采用了如下方法：①采用量子阶沟道，以实现电子的量子化和提高有效沟道的带隙；②使用应变的Ｉｎ＿（０．４１...