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基于器件结构特点和电学特性,研究了影响SiGe HBT(异质结双极晶体管)直流电流增益的主要因素,分析了不同的电流密度条件下,器件的物理参数、结构参数与集电极电流密度和中性基区复合电流的关系,建立了SiGe HBT集电极电流密度,空穴反注入电流密度、中性基区复合电流、SRH(Shockley-Read- Hall)复合电流密度、俄歇复合电流密度以及直流电流增益模型,对直流电流增益模型进行了模拟仿真,分析了器件物理、结构参数以及复合电流与直流电流增益的关系,得到了SiGe HBT直流电流增益特性的优化理论依据. 相似文献
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针对IMEC 0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25~125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25~125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数.在此基础上,为Mextram 504模型对0.13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案.提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进,优化了提取流程.对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论,为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数,提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度. 相似文献
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自从1960年第一块集成电路问世以来,集成电路工业飞速发展,不断遭遇新的要求和挑战。至今仍在应用的传统双极工艺,能够同时提供纵向NPN晶体管和横向PNP晶体管,在实际应用过程中,在遇到要求高输出电流,大驱动能力的电路时,横向PNP晶体管的性能成为电路设计的瓶颈。研究表明在传统的双极工艺中,由于基区浓度由外延本身决定,因此掺杂浓度相对较低。同时横向结构决定了基区的宽度相对于纵向结构而言,大大的增加。因此导致了PNP双极晶体管的输出性能差强人意。基于上述分析,在对传统的结构进行修改之后,以增加工艺复杂性为代价,在保证原有结构的情况下,能够得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。增加一个BLN2层次,以满足纵向PNP晶体管对于隔离的要求,增加NB层次,从而得到掺杂浓度远高于外延层的纵向PNP晶体管的基区。从而避免了横向PNP晶体管的缺陷。主要结论为:通过合理地安排工艺步骤,能够在对原有结构不产生影响的情况下,得到性能令人满意的纵向PNP晶体管。相比于原有的横向PNP晶体管,输出特性得到极大改善。 相似文献
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针对IMEC0.13μm准自对准SiGe BiCMOS工艺制成的基区Ge组分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管,在25~125℃温度范围内,对其进行了包括Early电压,Gummel图形等在内的完整双极晶体管特性曲线测量,提取了该器件在25~125℃范围内的温度可变Mextram 504模型参数.在此基础上,为Mextram 504模型对0.13μm基区Ge组分二阶分布SiGe异质结双极晶体管探索了完整的模型提取方案.提出了对Mextram 504模型温度参数提取方法的改进,优化了提取流程.对SiGe异质结双极晶体管雪崩电流受温度影响的特性进行了讨论,为Mextram模型提出了雪崩外延层的有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数,提高了Mextram模型对不同温度下SiGe双极型晶体管进行模拟仿真的精确度. 相似文献
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报道了一种用来制作自对准SiGe基区异质结双极晶体管降低热处理周期的磷发射极工艺,短的热处理周期导致极窄的基区宽度,并维持轻掺杂的隔离层不消失,这种隔离层是为了提高击穿特性而制作在发射极0基极和基极-集电极内的,已获得了35nm基区宽度的晶体管,其发射极-基极反向漏电小,峰值截止频率为73GHz,本征基区薄层电阻为16kΩ/□,用这些器件获得的最小NTL和ECL门延时分别为28和34ps。 相似文献