了解线性稳压器的电源抑制比

电源抑制比(Power Supply Ripple Rejection;PSRR)是专门衡量电路对于电源内各种频率纹波的抑制能力,这在许多射频和无线应用中非常重要。本文将针对提升电源抑制比为最好的应用状况提出具体分析。低压降稳压器(LDO)的电源抑制比是指输出纹波与输入纹波在一个频率范围内的比值(     

浅谈低压差线性稳压器输出噪声

低压差线性稳压器（LDO）的成本低、噪声低、静态电流小,外接元件也很少,通常只需要一两个旁路电容。但是为了满足精密电子设备的供电要求,还是要尽量减小LDO的输出噪声。     

适合高效能模拟应用的线性电压稳压器

描述多种线性稳压器架构的基本运作原则、最重要参数及针对特定规格选用适当线性稳压器的要点。     

凌力尔特公司线性稳压器

凌力尔特公司，（Linear Technology Corporation）推出新型、温度范围更宽的LT1763和LT1764A大电流、低噪声线性稳压器。新的“MP”级器件具有-55℃至＋125℃的工作温度范围，适用于航空电子设备、军事、工业、射频和电信等多种应用。LT1764A是一种3A LDO，在10Hz至100kHz带宽范围内具有40uVRMS的低输出噪声，适用于为射频电路供电。1mA的电源电流在停机模式时降至低干1uA。LT1764A可用2．7V至20V的输入电源工作，从而确保与多种输入电源兼容。输出电压在1．21V至20V之间是可调的。     

传感器的噪声及其抑制方法

详细分析了传感器电路的噪声源，给出了实际的解决方法如屏蔽、隔离等，以及滤波、检波等信息处理电路。     

噪声与低噪声设计的探讨（上篇）

噪声是许多信号处理系统的基本制约因素.同样,它是许多电子设计,特别是接口电路的主要制约条件.在测试与测量、医学成像和高速数据通信等方面的行业趋向都需要越来越高的信息密度.与此同时,半导体工艺的进步能实现更高的数据处理速度和功能密度,但却要降低工作电源电压,由此降低信号幅度.结果是,加大了系统设计对模拟前端噪声性能进行管理的压力.     

新型低电压输出的线性稳压器LP2983

<正> LP2983是一种微功耗、输出低电压(≤1.2V)线性稳压器(输出固定电压有0.9、1.0V及1.2V三种),输出电流可达150mA。该器件主要特点:输出电压精度可达±1％;能接受高的峰值电流(峰值输出电流典型值250mA,短路电流典型值400mA);低功耗(在150mA输出时典型地电流I_(GND)=825μA;空载时I_(GND)=65μA);输入电压范围宽(2.2～16V);有过热、过流保护电路;工作结温范围-40～+125℃; 小尺寸SOT-23封装;有关闭控制,关闭状态时,耗电<2μA。 LP2983有A级及标准级两种输出精度标准(A级的初始精度为±1％,标准级初始精度为±1.5％)。A级精度用后缀AIM5,标准级用后缀IM5。另外,三种不同输出电压分别用后缀-0.9、-1.0及-1.2表示0.9、1.0V及1.2V。     

20 nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析北大核心CSCD

传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声。实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFET的噪声主要为散粒噪声、热噪声和互相关噪声。其次,根据MOSFET的器件物理结构及特性推导了纳米MOSFET的互相关噪声公式。在此基础上,比较受抑制的散粒噪声、热噪声和互相关噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化关系,所得结论有助于提高MOSFET器件的工作效率、可靠性及寿命。     

凌特推出新款线性稳压器

凌特公司日前宣布推出输入电压可低至1.7V的300mA非常低压差(VLDO)线性稳压器LTC3035。该器件具有低内部基准电压以及从0.4V至3.6V的对应可调输出电压,而且在满负载电流时保持仅为45mV的极低压差电压。为允许在低输入电压时工作,LTC3035带有一个集成充电泵转换器,为内部LDO电路提供必要的空间。这种低输入电压能力可从锂离子电池或2xAA碱性电池、低输入至低输出电压转换系统应用中实现高性能。LTC3035严格的±2%输出电压准确度、分别为100uA和1uA的低静态电流和停机电流加上快速瞬态响应以及采用很少外部组件的小解决方案占板面积…     

低压差线性稳压器在射频中的应用

本文介绍了如何选取合适的电源抑制比(PSRR)降低外部电源噪声,并通过使用降噪电容器、前置电容器(C_FF)、输出电容器进一步降低电源噪声,最后通过两个案例论证了文中论述的几种降低电源噪声方法的有效性。     

一种新颖的LDO线性稳压器

设计了一种新颖的LDO线性稳压器.该LDO工作于负电源,具有微功耗、自身固定-5 V输出、外接反馈电阻可实现可调输出等特点.基于0.6 μm SOI CMOS工艺进行流片.测试结果表明,该电路输入电源电压VIN为-2～-18 V,可调输出电压为-1.3 V～VIN+0.5 V@Iour=15mA.该LDO功耗低,室温下空载静态电流约4.8μA,并且几乎不随VIN变化.内部带隙电压基准采用β二阶补偿,结构简单,温度系数为1.28×10-5/℃.线性调整率为0.015％,负载调整率为0.85 Ω.     

用于汽车的全新可调输出低压降稳压器

NCV47700和DNCV47701LDO稳压器产品具有一个CSO输出诊断引脚,可用于检测空载和短时负荷。将电阻器与CSO相连提供了介于10mA和350mA之间的可调输出电流等级,精度为±10％。     

提供恒定电流的低压差线性稳压器

通过在稳压器输出和地节点之间连接一支固定电阻器,线性稳压器就可以提供一种产生恒定电流的简单方法。稳压器恒定的输出电压通过电阻器产生一个恒定的电流。这个基本电路可以用作高侧或低侧电流     

新型开关型三端稳压器K78XX-500及K78XX-1000系列

从78XX系列说起 搞过稳压电源的人一般都熟悉78XX系列三端线性稳压器.由于该系列输出5～24V各种标准电压,输出电流有100mA、500mA及1000mA三种品种,并且电路简单、保护功能完善及价格便宜,因此得到及其广泛地应用.     

一种低噪声高电源抑制比CMOS低压差线性稳压器

提出了一款基于标准0.18μm CMOS工艺的低噪声高电源抑制比(PSRR)CMOS低压差线性稳压器(LDO),其中包括了带隙基准电路。对LDO和带隙基准电路的噪声和电源抑制进行了建模分析,并得出了电路设计原则。根据设计原则使用两级误差放大器实现了低噪声高电源抑制性能,并且通过合理的频率补偿保证了电路稳定。测试结果显示,LDO输出在-40¹20℃温度范围内的温度系数约为48×10-6/℃;在1120℃温度范围内的温度系数约为48×10-6/℃;在1¹00kHz频率范围内输出噪声电压约为37.3μV;在1kHz和1MHz处的PSRR分别大于60dB和35dB;芯片总面积约为0.27mm2,无负载电流约为169μA。     

使用线性稳压器实现低噪声、低纹波、高PSRR电源

音频电路、PLL、RF收发器、DAC以及其它许多器件都对噪声非常敏感,因此如果采用开关电源进行供电的话,可能难以保持正常工作。线性稳压器理想适用于为上述电路供电。本文是相关文章的简化版,探讨了通过大带宽范围实现具备低噪声与静态电流特性的高电源抑制比（PSRR）所需的相关设计因素。     

LDO低输出噪声的分析与优化设计

为了降低一款LDO芯片的输出噪声,对LDO的噪声特性进行分析,根据其噪声特点,提出了三种降低LDO输出噪声的方法,分别是改变LDO的电路结构,对带隙基准进行滤波,设计低噪声带隙基准。在综合考虑芯片的面积和功耗后,采用第三种方法对一款LDO芯片输出噪声进行优化,设计了一个低噪声带隙基准（Bandgap reference）,在TSMC0.35μm工艺下仿真表明,10Hz到100kHz之间的集成输出噪声（Integrated output noise）从原来的808μV,降低到280μV。采用低噪声带隙基准可以有效的降低LDO芯片的输出噪声。     

高电源抑制无输出电容NMOS低压差线性稳压器设计

为了提高电源抑制能力以便降低输入电压的噪声影响,提出了一种适用于无输出电容NMOS低压差线性稳压器的 电源抑制PSR(Power SDupply Rejection)增强方法,针对直流PSR和带宽增强?设计了相应的直流PSR补偿电路和电容消除电路, 使用 0.18μｍ CMOS技术进行了具体实现,模拟和测量结果验证了提出PSR增强技术的有效性,实验结果显示,相比于传统的低压差线性稳压器,提出的稳压器具有更好的PSR性能,可使PSR达到－84.3ｄＢ 并始终小于-75.2ｄＢ,同时能够提供25ｍＡ,的输出电流和1.2Ｖ的输出电压。