用VYNS胶体溶液制备4πβ薄膜源

在制备4πβ薄膜源的过程中,将硅胶溶液与放射性溶液混合可以明显地改善源的均匀性。J.S.Merritt等用新鲜配制的1:10~4硅胶水溶液制备了~(60)Co等源,得到了较好的结果。我们向VYNS丙酮溶液加入适量的酒精(或水),制备了VYNS胶体溶液。在放射性液滴中加入这件胶体溶液,制得了计数效率高,重复性好的4πβ薄膜源。     

电喷涂离子交换树脂薄衬垫层制备4π薄膜源

本文把两根医用皮下注射针头锡焊在普通的圆珠笔铜头上,加上几千伏直流高压,使阴、阳离子交换树脂酒精悬浮液在圆珠笔铜头中混合,并喷涂在金属化的VYNS薄膜上、形成树脂的薄衬垫层,制备了高计数效率、重复性较好的4π薄膜源。在电喷涂时,将喷头垂直向上,克服了最初一滴液体喷到薄膜上引起的树脂堆叠现象,从而改善了树脂分布的均匀性。用此法制备了~(60)Co、~(95)Zr、~(95)Nb、~(99)Mo、~(144)Ce-~(144)Pr、~(147)Nd和~(153)Sm薄膜源,均能满足高准确度的绝对测量的要求。     

电喷硅溶胶衬垫制备4π薄膜源

前言为了制备4πβ-γ绝对测量用的薄膜源,许多科学工作者在金属化的VYNS膜上制备一个亲水性好、能使放射性离子均匀分布、自吸收小的源衬垫方面做了很多工作。胰岛素,抗静电剂,硅胶,聚四氟乙烯粉或真空喷镀一氧化硅,都曾被选用作为源衬垫材料。1973年洛温撤尔(G.C.Lowenthal)等人采用双针头高压电喷阴、阳离子交换树脂悬浮液,制备了β计数效率高,重现性好的4π薄膜源。我们采用低压单针头电喷     

电喷涂制备薄靶

用一简易的电喷装置制备了各种粉末材料靶,靶衬为薄的金、铝和碳膜,靶的厚度范围为0.03—2 mg/cm~2。靶的均匀性用α测厚仪测量,在多数情况下,它小于8%。制备粉末材料靶的关键是选择针头尺寸、针头电压和准直板电压。     

一个简便的电喷射制备4π薄膜源的装置

一、前言为了制备自吸收小、吸附均匀、β粒子计数效率高的4π薄膜源,电喷射制源技术近二十多年发展很快。但迄今为止,所看到的都是采用10000伏高压电源装置电喷射制源,因此,电喷射制源技术受到了很大限制。能否在普通的高压电源(3500伏或3000伏)     

4πβ-γ符合装置微机在线处理

本文着重叙述了拟定联机接口方案的基本方法,并在设计中采用了一些必要的技术措施,满意地建立了4πβ-γ符合装置微型计算机在线处理系统,进一步完善了4πβ-γ符合装置的性能,改善了实验条件,显著地提高了工作效率和测量结果的准确度。     

A 4πβ-γAnti-coincidence System for Absolute Radioactivity Measurement

A4πβ-γanti-coincidencesystemhasbeendevelopedforabsoluteradioactivitymeasurement.Inthissystem,adualADClive-timeHPGeγ-spectroscopyisusedastheγ-raydetec-tor,anda4πβproportionalcounterisemployedfortheβdetector.TheactivityofCo-60,Cs-134andHo-166mhavebe     

4πβ-γ符合测量198Au活度方法研究

金箔活化法是中子注量率绝对测量常用方法之一,通过测量活化生成的198^Au核数目,可以获知辐照场热中子注量率信息。本文分析了利用4πβ-γ符合装置测量198^Au薄膜源活度的原理,提出了不制源情况下直接测量198^Au箔片活度命题,理论上证明了该方法的可行性,并提出了具体实现方案。     

制备~(22)Na薄膜源的一种方法

正电子湮没技术中最常用的放射源是~(22)Na 薄膜源。通常把~(22)Na的溶液滴在Ni箔或Mylar膜上。由于正电子在Mylar膜上的湮没,在寿命谱中往往有一个百分之几的长寿命成份,这对含有长寿命成份的样品的测试分析甚为不利。用1—2μm左右厚度的Ni箔作为~(22)Na的衬底是比较理想的,但由于国内制造Ni膜受净化环境及其它条件的限制,制备的1—2μm的镍箱中存在很多针孔,用它作衬底制备~(22)Na薄膜源就有一定的困难,也不安全。为此,我们摸索了制备~(22)Na薄膜源的一种方法:利用有针孔的1.7μm的Ni箔,涂上一层-0.5μm左右的塑料薄膜作为衬底,比较安全可靠,用有无塑料膜保护的薄膜源对同一样品作了寿命谱的对比测试(见表)。     

4πβ+4πγ计数相加法绝对测量182Ta溶液的放射性比活度

182Ta发射低能和高能两组γ射线,半衰期适中,是HPGe探测器效率刻度的合适标准源之一。用4πβ 4πγ计数相加法绝对测量了182Ta溶液的放射性比活度1。82Ta通过反应堆活化得到,4πβ 4πγ计数相加装置对182Ta的总探测效率高达99%以上,182Ta溶液比活度测量的相对合成标准不确定度为0.2%。     

CHN薄膜的制备

文章简要描述了空心阴极等离子体化学气相沉积(HPCVD)的原理，以及用HPCVD方法制备CHN薄膜的工艺和实验结果。用XPS和AFM分别分析了CHN薄膜中C和N的成分及表面形貌，并得到了一定条件下的薄膜沉积速率。     

电沉积法制备镅、钚和镎的α源

以０．１ｍｏｌ／Ｌ硫酸铵为电沉积液,在铁阳极与不锈钢阴极之间施加约１５Ｖ直流电压,控制电流密度为０．６５Ａ／ｃｍ＾２,沉积４０ｍｉｎ,镅、钚和镎可以定量地沉积在阴极上,其收率均≥９８％。探讨了１８种有代表性的共存物对电沉积率的影响,结果表明,多数阳离子（碱金属、碱土金属除外）影响电沉积率或分辨率;少量ＮＯ＾－３、Ｃｌ＾－、磷酸三丁酯（ＴＢＰ）、三烷基氧（ＴＲＰＯ）、煤油或草酸不影响沉积结果。当电解     

125I薄膜源的研制

通过各种实验条件研究了耐辐射高分子固化工艺制备＾１２５Ｉ薄膜源的方法,并利用此方法制成了＾１２５Ｉ眼巩膜敷贴器的源芯。     

中频磁控溅射制备GaN薄膜

采用中频磁控溅射技术,以金属Ga为靶材料,在si(111)衬底上形成了GaN薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响.发现沉积气压为0.4～1.0 Pa时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0 Pa和小于0.4 Pa时,用X射线衍射方法难以观察到GaN(002)的衍射峰.X射线能谱分析表明在最佳实验条件下制备的GaN薄膜的元素比Ga∶N为1∶1.     

电沉积法制备226Ra α样品源的优化研究

α能谱法是一种直接测量α衰变的方法,具有探测限低、分析时间相对较短等优点。电沉积法制备的α样品源均匀且厚度可忽略,是目前最理想的制备²²⁶Ra的α样品源的方法。为制得较高电沉积率的²²⁶Ra的α样品源,本文对草酸氨/盐酸电沉积液中氯铂酸用量、电流密度、电沉积时间、草酸氨溶液的初始pH值和浓度等条件对²²⁶Ra电沉积率的影响进行了优化研究。结果表明,在氯铂酸用量为700 μg、电流密度为0.225 A/cm²、电沉积时间为60 min、草酸氨溶液浓度为0.05~0.13 mol/L、草酸氨溶液的初始pH值为1.0~2.5等电沉积条件下,²²⁶Ra电沉积样品源的电沉积率大于95%。     

4πβ(pc)-γ(HPGe)符合法测量166mHo活度

用4πβ（pc)-γ（HPGe)符合法测量了^166mHo比活度，实验选择与两β分支分别级联的752keVγ射线和712keVγ射线，这两条γ跃迁终态是同一能级，通过测量γ谱和符合γ谱得到β探测器对166mHo两β分支的探测效率，根据实验测量的对^166Er7能级以下内转换电子的探测效率，用能级效率的方法确定了内转换电子效率等于1的能量阈。     

硝酸纤维薄膜的制备方法

本文介绍了在实验室制备纯净硝酸纤维薄膜的工艺过程。制成的硝酸纤维薄膜可用作固体径迹探测器。适用于低计数测量和自动测量。     

CN-8022型薄膜的制备

目前,我国用于α径迹找矿的固体径迹探测器材料是灵敏度较低的CA-7801。为了提高探测灵敏度和α径迹找矿效果,研制了较高灵敏度的CN-8022型薄膜。它特别适合于弱氡地区使用。 1.薄膜结构和材料选择 该薄膜采用多层复合膜结构。由表面向底层顺序为保护膜、灵敏层和片基。为使薄膜具有一定的强度,片基采用75℃时老化的涤纶片基,用粘合剂粘接灵     

水溶液中Np、Pu、Am和Cm同时电沉积制备α测量源

为制备高分辨率Np、Pu、Am和Cm的α混合测量源,研究了电沉积液介质浓度、pH值、电流密度、电沉积时间等条件对电沉积效率及沉积源质量的影响。结果表明,在pH为2.0~2.5的0.2mol/L硫酸铵介质中,电流密度为0.40~0.50A/cm2,室温条件下电沉积60min,~(237)Np、~(238)Pu、~(243)Am和~(244)Cm在阴极不锈钢片上的电沉积效率均大于96%,制备的α测量源能量分辨率较好。