11和14千兆赫低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

采用亚微米栅砷化镓场效应晶体管(NEC V-388)研制成11和14千兆赫低噪声放大器。两级放大器实现的最小噪声系数,在11.2千兆赫时为4.2分贝,14千兆赫时为5.7分贝。该放大器将用作接收机前置级。它由未封装的砷化镓场效应晶体管管芯与制作在兰宝石衬底上的薄膜微带输入和输出电路组成。本文介绍了这类放大器的设计、结构和性能。     

高增益微波低噪声微带集成化晶体管放大器

本文叙述2千兆赫波段、增益70分贝以上的微带集成化晶体管低噪声放大器的设计制作。实验测试结果:放大器噪声系数为4分贝上下,3分贝带宽为200兆赫。放大器具有体积小、耗电量低工作稳定的特点,对于改进微波技术工作是很有意义的。     

磷化铟耿效应器件在应用上取得新进展

美国瓦里安公司与海军电子实验中心和陆军电子指挥部订了合同,研制26千兆赫以上的高效率磷化铟功率源和宽带、低噪声放大器。瓦里安公司研制的磷化铟放大器,采用的是同轴-波导混合电路,器件阻抗水平和具有阴极凹槽结构的砷化镓器件相似。这种放大器,在27～32.6千兆赫的频率范围,小信号增益为6±0.6分贝;在34.5～38.5千兆赫范围,小信号增益为9±1分贝。图1表示     

微波低噪声砷化镓肖特基势垒场效应晶体管

概述在典型的4～8千兆赫倍频程带宽低噪声放大器中,目前主要采用隧道二极管、参量放大器以及行波管。但此三者各有其不足之处。隧道二极管噪声系数可以做得很低,但仅能处理低电平信号,于-20分贝毫瓦处便饱和;参量放大器噪声系数最低,但成本高,而且在倍频带宽应用时产生相当的畸变;行波管应用较广,一般具有低噪声放大器的大部分优点,如噪声低,信号处理能力强等,但遗憾的是行波管体积大,比如典型的     

微波低噪声放大器

关于微波低噪声放大器,本文以使晶体管放大器的低噪声化的设计方法为中心,介绍各种低功率放大器及功率放大器的现状。微波低噪声放大器的现状图1就目前的各种微波放大器表示了它们的噪声系数及频率特性。双极晶体管放大器、隧道二极管放大器和参量放大器等是过去人们已热知的低电平工作的低噪声放大器,近几年来晶体管的性能惊人地提高,已出现了在4千兆赫下噪声系数3分贝左     

微波晶体管放大器

本文介绍了新研制的微波晶体管放大器的设计及性能。LD4085和它的高增益改进型 LD4085A 为2～4千兆赫的低噪声放大器。LD4024A 为一种对过于高的输入信号具有保护电路的 S 波段低噪声放大器。LD4093和 LD4094为1千兆赫频段的功率放大器。     

4～5千兆赫低噪声晶体管放大器的初步研制

利用研制中的硅双极晶体管设计制作了4～5千兆赫频段低噪声晶体管混合集成放大器。实验结果表明,利用这种晶体管制作C波段放大器其性能可满足一定的使用要求。初步结果为:4千兆赫频段两级放大器噪声系数4.5分贝左右,增益10分贝(±1分贝),带宽>500兆赫;5千兆赫频段两级放大器噪声系数6分贝左右。增益10分贝±1分贝),带宽>400兆赫。实验分别是在氧化铝陶瓷衬底和聚四氟乙烯玻璃纤维敷铜板上采用微带电路制作的。     

微波晶体管放大器匹配与有损级间网络的图解设计

本文介绍了无损和有损增益补偿网络的图解设计方法,讨论了运用这种方法设计微波晶体管放大器的优点。此法以使用在史密斯图上设置的一组等|S_(ii)|值圆为基础,它易于通过个人计算机自动进行运算。文中介绍了两个使用实例:个是频带为100～1100兆赫、增益为20分贝的两级放大器,另一个是频带为从直流至16千兆赫、增益为4分贝的超宽带有损匹配放大级。     

2～4千兆赫倍频程微波集成晶体管放大器

本文采用了简单的电路结构,并运用单向化设计技术完成了共发射极电路设计计算。为提高放大器的集成性,增加可靠性,做了用电阻直接馈电及采用高频损耗小的间隙电容的尝试工作。放大器设计的准则是:让频带高端共轭匹配,控制频带低端失配量,以求获得带内平坦幅频特性。本着这样的准则,初步试制了2～4千兆赫倍频程微波集成晶体管放大器。放大器单级增益为5.1分贝(最小),双级增益10分贝(最小)。放大器噪声系数4千兆赫下测量为5.8分贝,3千兆赫下测量为3.9分贝,2.4千兆赫下测量为5分贝。通带起伏±1分贝,输入、输出采用L_8密封接头,驻波比小于1.9。     

5～6.5千兆赫砷化镓场效应晶体管放大器

本文介绍5～6.5千兆赫带宽的微波低噪声GaAs场效应晶管放大器。采用聚四氟乙烯玻璃纤维板作衬底。三级放大器的增益为20分贝,6千兆赫下测得的噪声系数最好为4.6分贝,带内平坦度在±1分贝以内。本文给出了放大器结构设计和测试结果。     

用于4千兆赫无线电设备的低噪声砷化镓场效应晶体管放大器

4千兆赫无线电设备用的低噪声放大器已设计成功,并投入生产。其噪声系数≤2分贝,典型增益值是10分贝,输入和输出回波损耗≥25分贝。当电源或低噪声晶体管任何一个失效时,其插入损耗通常为5～8分贝。该放大器采用了把一个砷化镓场效应晶体管与一个利用环型器的无源可靠旁路网络相连接的方法。这种方法可以使噪声系数和增益平坦度对每一个放大器都是最佳状态,而无须对输入和输出匹配进行折衷考虑。可以断定,这种单级晶体管放大器的设计与平衡放大器的设计相比,在性能和简单化方面都具有显著的优点。     

X 波段砷化镓场效应晶体管

做出了10千兆赫微波频率下低噪声放大砷化镓场效应晶体管,使固体放大器频率范围比使用硅晶体管提高2～3倍。GaAs FET 最高振荡频率达30千兆赫,8千兆赫和16千兆赫下测得的功率增益分别为8分贝和3分贝,见图1。4千兆赫下噪声3分贝,低于迄今为止报导的晶体管噪声水平。此外,场效应晶体管噪声随频率的变化较小,8千兆赫下仅为5分贝,见图2。器件制于半绝缘 GaAs 衬底上的10~(17)厘米~(-3)掺硫外延薄膜上。外延层必须很薄(约0.3     

4～8千兆赫7分贝噪声系数场效应晶体管放大器的设计

场效应晶体管正在迅速地成为低噪声放大器(特别在 C 波段以上)的“首席候选者”。本文介绍4～8千兆赫6分贝增益平衡放大器的设计。     

WFB65型1～1.5千兆赫双栅场效应放大器

<正>随着卫星通讯、卫星直播电视、微波接力通讯、射电天文、微波遥感等接收技术的发展,研制在常温下获得低噪声的宽频带高频放大器,作为高频放大和高中频前置放大是很重要的.WFB65型双栅场效应放大器,采用三只本所研制的WC54型双栅场效应晶体管,由聚四氟乙烯玻璃纤维介质衬底的微带线电路与分立元件构成,因而它造价低,电路调试技术简单.放大器工作频率为1～1.5千兆赫.噪声系数小于1.5分贝,典型值1.2分贝,最佳值达0.8分贝.小信号增益大于30分贝,带内增益起伏±0.5分贝.1分贝增益压缩点的输出电平大于+6分贝毫瓦.噪声、增益、温度特性的典型曲线见图1和图2.     

微波器件的新进展

用于低噪声放大器和高效率功率放大器以及振荡器的微波器件的研制工作正继续迅速的发展。本文评述了几种类型的微波器件在器件设计及性能方面的新进展。其中包括低噪声场效应晶体管、功率场效应晶体管、磷化锢电子转移振荡器和砷化镓崩越二极管。小功率放大器件在8千兆赫下的噪声系数小于2分贝,功率器件在8～18千兆赫频段内有大于20%的转换效率。比较了微波器件在15千兆赫下的连续波功率极限。     

在Ka波段上全波段参差增益耿效应放大

使用参差增益放大方法已经证明了在 Ka 波段上全波段低噪声瞬时放大的可能性。利用对这两级放大器总增益变化的简化分析计算了满足最大允许波纹所需的最小隔离电平。用这个方法,已经得到26.6～39.4千兆赫、10±2.2分贝增益。     

4千兆赫频段微波低噪声集成晶体管放大器

研制了用于卫星通讯接收设备的微波低噪声集成晶体管放大器。在3.7～4.2千兆赫的频带范围内,放大器的增益≥24±0.5分贝,噪声系数<5.5分贝。经过连续两批抽样考核表明,这种放大器可满足一般地面设备的可靠性要求。放大器采用CG40型硅双极晶体管,电路元件混合集成于高纯氧化铝陶瓷基片上。装配方法上采用了微带基片的“面焊接”技术。为了便于使用,在放大器内部加有集成微带隔离器。本文叙述了放大器的设计、制作和性能结果。     

低噪声S波段集成放大器

为了低噪声的应用,研制了一种具有亚微米发射极宽度的微波双极晶体管的新型结构。叙述了这种晶体管的噪声和增益性能,并与以前的低噪声晶体管进行了比较。这种晶体管用于单级和三级的集成S波段放大器时,其最小噪声系数分别为1.9分贝和3.0分贝。介绍了这些放大器的设计和性能。三级放大器是为工作于3.1～3.5千兆赫的S     

为毫米波中继器设计的80千兆赫IMPATT放大器

日本富士实验室由X波段IMPATT放大器的换算,设计和研制了环行器耦合的80千兆赫IMPATT放大器,在700兆赫1分贝带宽内输出功率为13.4分贝毫瓦。据该公司报导,电路包括片型二极管支持器和用于二极管和负载之间的阻抗匹配的一个可动波导短路器。     

用于W波段接收机的宽带单片低噪声中频放大器

设计和制造了频率覆盖范围8～18GHz的宽带单片低噪声放大器。通频带内,其噪声系数小于4.3dB,相关增益8.5dB。新设计的低噪声放大器用于W波段(75～110GHz)接收机作为中频放大器。该放大器的射频性能适用范围宽,并且可以作为廉价的增益功能块。