溅射方位对IBS沉积TbDy-Fe薄膜性质的影响

本文采用铸造合金靶材和离子束溅射(IBS)技术制备TbDy-Fe超磁致伸缩薄膜(GMFs),研究了不同溅射方位(α角)对冷基片成膜过程和薄膜性质的影响.结果表明,在给定的溅射角范围内,薄膜表面平整光滑,组织致密,膜厚均匀且与基片结合良好,膜的结构均为非晶态;成膜生长速率、膜层成份以及λ值随α角的改变均呈现规律性的变化,当α角为α6左右时,沉积速率最大;在α角为α5左右范围内,膜层的成份最接近于靶材成份;α角在α4附近时用Tam 法试验测定在Hmax＝0.57 T下的磁伸值λ∥可达970×10-6,在中低场强H=0.25 T下,λ∥值达到710×10-6.     

Fe-Al-N薄膜的制备和磁性能

用双离子束溅射法在(100)硅片和NaCl单晶基片上制备出FeAlN薄膜，研究了主源气氛和基片温度对FeAlN薄膜的结构及磁性能的影响。在基片温度较高或主源中氮的含量较低时，FeAlN薄膜有较高的饱和磁化强度Ms．加入Al使薄膜的晶粒细化，也使其矫顽力下降，热稳定性提高．在500℃退火后，A1的原子分数为10．0％的FeAlN薄膜仍具有较好的软磁性能，饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc分别为2.02T和0．96kA／m．     

离子束溅射作用下聚四氟乙烯薄膜的制备方法

在多功能离子束辅助沉积装置上采用交替溅射和冷却聚四氟乙烯靶材的方法制备了薄膜。由ＸＰＳ的结果可知，所得薄膜主要由ＣＦ２结构组成；ＦＴ－ＩＲ的结果表明，所得薄膜由Ｃ－Ｆ的最强吸收峰和聚四氟乙烯的特征吸收峰构成。所得薄膜的这些结构特征与聚四氟乙烯的结构是一致的。     

SiOx薄膜的制备及发光特性研究

本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜，XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内；在波长为240nm紫外光的激发下，室温及1000℃退火后SiOx薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm，410nm，560nm，630nm四个相互分离的峰，其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷（≡Si—O—O—Si≡）、双配位硅悬挂键（O-Si-O）、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心。     

离子束溅射法制备YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜

采用 YBa_2Cu_3O_(7-x)靶材,用离子束溅射法在多种衬底上得到了接近化学计量的YBa_2Cu_3O_(7-x)单相超导薄膜。     

离子束溅射制备CdS多晶薄膜及性能研究

采用离子束溅射的方法在玻璃衬底上制备CdS多晶薄膜,研究了沉积过程中基底温度(100～400℃)与薄膜厚度(35～200nm)对其微结构与光电性能的影响。结果表明,不同基底温度下制备的CdS薄膜均属于六方相多晶结构且具有(002)择优取向生长特征;随着基底温度的升高,(002)特征衍射峰强度增加,半高宽变小相应薄膜结晶度增大,有利于颗粒的生长;分析CdS薄膜的光谱图线可知,薄膜在可见光区平均透射率高于75%,光学带隙值随着基底温度升高而增大(2.33～2.42eV)且薄膜电阻高达109Ω;在基底温度为400℃条件下制备不同厚度的CdS薄膜,发现(50～100nm)较薄的CdS薄膜具有较为明显的六方相CdS多晶薄膜结构、较优光学性能和高电阻值,满足CIS基太阳电池中缓冲层材料的基本要求。     

离子束溅射制备CuInSe_2薄膜的研究

利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe_2(CIS)薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计检测在不同衬底温度和退火温度条件下制备的CIS薄膜的微结构、表面形貌和光学性能.实验结果表明:使用离子束溅射沉积技术制备的CIS薄膜具有黄铜矿结构,在一定的条件下,适当温度的热处理可以制备结构紧密、颗粒均匀、致密性和结晶性良好的CIS薄膜,具有强烈的单一晶向生长现象.     

离子束溅射BST薄膜的制备及结构分析

本文采用离子束溅射的方法制备了不同衬底温度下的BST薄膜,用X射线、Raman、SPM等技术对晶体结构及微观形貌进行表征,研究了离子束溅射制备BST的工艺.     

离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长

采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.     

离子束溅射铜钨薄膜的结构

为了进一步探讨离子束溅射铜钨薄膜的结构,在铁片上离子束溅射铜钨薄膜,研究了轰击离子束能量及低能辅助轰击方式对薄膜相结构和厚度的影响.结果表明:随轰击铜靶离子束能量增加,钨由近似非晶亚稳态转变成晶态;由于溅射粒子落到基片前的反射效应,薄膜中间比边缘薄,且随轰击铜靶离子束能量增加,薄膜变薄到一定程度时开始增厚;当使用低能辅...     

薄膜型电致发蓝光材料的研究

通过对无机、有机薄膜型电致发蓝光材料的综述,表明在大面积平板显示方面,有机高分子薄膜型电致发蓝光材料具有独特的技术优势;纳米级电致发蓝光材料有着巨大的发展潜力.     

钛精铸陶瓷型壳的新耐火材料研究

对ＨＲＥＭＯ新型耐火材料的初步研究作了介绍，指出该材料作为一种较廉价的新型耐火材料将有广阔的应用前景。     

高熵合金基复合材料研究进展

高熵合金基复合材料以其结构简单、性能优异以及较大的应用潜力在材料表面工程方面日益受到人们的关注。综述了块状高熵合金基复合材料及高熵合金基复合材料涂层的研究现状,并着重介绍了上述复合材料的制备工艺及性能特点。     

铝合金表面液相沉积抗菌层的性能研究

银可用作金属表面抗菌功能层的有效成分,从而拓宽金属材料在日用家电产品中的使用范围.为此,通过液相沉积的方法在铝合金表面制备出金属银的颗粒膜层,对沉积工艺、沉积膜层抗菌性能以及沉积层与基体结合力等进行了初步的探讨和研究.结果表明,通过液相沉积法在含1.0×10-3 mol/L硝酸银、1.0 mol/L己二胺配位剂、1.5×10-3 mol/L硼氢化钾、pH值为13的溶液中,在300 r/min搅拌下沉积1 min,可在铝合金表面沉积出粒度为1 μm以下的银颗粒,沉积层与铝合金基体有良好的结合力,蒸煮试验表明抗菌层无鼓泡、无脱落现象发生;铝合金抗菌层的表面抗菌测试结果表明,抗菌沉积层对大肠杆菌的杀菌率可达到96%以上.     

铝合金表面耐磨复合膜的制备及其性能

针对在特殊场合对铝合金耐磨性、耐腐蚀性的高要求,结合铝合金阳极氧化工艺以及阳极氧化膜多孔的特点,在阳极氧化电解液中添加耐磨性物质n-SiC,使之进入到多孔铝合金阳极氧化膜中,达到提高耐磨性和耐腐蚀性的要求;运用正交试验法得到了添加n-SiC复合阳极氧化最佳工艺方案为:温度20℃,n-SiC添加量20mg/L,电流密度2A/dm2,氧化总时间40min。扫描电镜和X射线能谱分析结果证实n-SiC进入了氧化膜中;通过磨损试验机、盐雾腐蚀试验箱对复合阳极氧化膜的性能进行了检测,表明添加n-SiC可以提高复合阳极氧化膜的耐磨性。     

镁合金表面钝化膜微观组织分析及可镀性研究

采用氢氟酸对AZ61镁合金进行钝化处理，对钝化处理得到的转化膜的物相、厚度、耐蚀性进行测定，着重对微观组织及可镀性进行了分析。结果表明，氢氟酸处理得到的氟化镁转化膜对镁合金基体有较好的保护作用，在氟化镁钝化膜上电镀铝是可行的。     

镁合金表面有机纳米薄膜的功能特性

采用有机镀膜技术和三嗪硫醇类有机单体在Mg-Mn-Ce镁合金表面生成了具有疏水特性的有机纳米薄膜。选取循环伏安法曲线中不同特征点研究了有机镀膜的反应机理,借助傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪、椭圆偏振光谱仪和接触角测量仪表征了有机镀膜后镁合金表面薄膜的特性.结果表明,有机镀膜过程分为电化学反应成膜和膜层层间聚合反应增厚两个阶段;镁合金与有机物单体通过化学键发生结合;随着有机镀膜反应过程的进行薄膜的厚度由9.14 nm逐渐增加到64.51 nm,形成稳定的纳米薄膜;有机镀膜后镁合金表面的蒸馏水接触角从未镀膜的45.8°上升到117.9°,实现了由亲水到疏水的功能特性转换。     

聚苯胺膜在AZ91镁合金表面的生长过程

用SEM研究了碱性溶液中聚苯胺膜在AZ91镁合金表面的生长过程，并用红外光谱和极化曲线法初步研究了聚苯胺的结构和防腐特点。结果表明，聚苯胺膜首先在某一部位吸附，然后向四周延伸扩展生长，最后膜覆盖镁合金表面并形成类似晶界的交界面。交界线为显微裂缝。在碱性溶液中在镁合金表面制备的聚苯胺膜与在酸性溶液中制备的聚苯胺膜结构不同。聚苯胺膜能够改善AZ91镁合金的耐蚀性。     

铝合金锻件氧化膜的金相形貌特征

本文研究了飞机发动机的压气机叶轮和冷却风扇叶轮模锻件中氧化膜的几种形貌特征。它们是无规则形状的氧化膜，沿变形方向延伸呈带状，放射状，网络状，裂纹状，毛发状等。     

TiNi合金表面轧制氧化膜激光清洗工艺研究

目的针对焊前去除TiNi合金表面致密氧化膜过程中,传统方法会造成环境污染的问题,运用激光清洗这一绿色清洗方法去除TiNi形状记忆合金表面轧制氧化膜,并对其清洗工艺进行研究。方法运用OM和XRD等分析测试手段对激光清洗后TiNi合金表面进行测试,研究激光清洗工艺对TiNi合金表面氧化膜及其组织的影响。结果激光清洗参数对激光清洗效率影响较大,扫描次数对TiNi合金激光清洗效率具有饱和性;激光清洗过后的TiNi合金表面仍存在一定含量的TiO,TiO_2,Ti_3O_5等氧化物。结论激光清洗可得到表面明亮且均匀的TiNi合金,但不能完全清除TiNi合金表面氧化膜。