FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip—Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

FC装配技术

器件的小型化高密度封装形式越来越多，如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC，Flip—Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑，随着小型化高密度封装的出现，对高速与高精度装配的要求变得更加关键，相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

FC装配技术

前言 器件的小型化高密度封装形式越来越多。如多模块封装（MCM）、系统封装（SiP）、倒装芯片（FC,Flip—Chip）等应用得越来越多。这些技术的出现更加模糊了一级封装与二级装配之间的界线。毋庸置疑,随着小型化高密度封装的出现,对高速与高精度装配的要求变得更加关键,相关的组装设备和工艺也更具先进性与高灵活性。     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

需求攀升 南亚电Flip Chip等产能利用率提高

在近来SonyPS3的绘图芯片Flip Chip、原先XBOX的出货增温带动下,南亚电的Flip Chip产能利用率得以有效提升,预计第三季可达95％。     

在SMT工艺中实现FC的组装

随着技术的发展。越来越多电子产品供应商在设计中采用倒装芯片(Flip—Chip)技术。为了成功地使用这项技术，制造商必须对其SMT组装设备，材料(如助焊剂和底部填充胶)和工艺进行一些改进，并解决包括产量和质量等在内的其它与制造相关的问题。     

激光小孔加工技术的动向

1、印制电路板的动向近年来,移动电话、笔记本式电脑等产品向轻、薄、短、小化方向发展,内藏之印制电路板也相应地必须薄、小型化,印制电路板积层法(Build Up)就是为此而开发出来的。积层式印制电路板(Build Up板)作为BGA、CSP、MCM等安装时的互连电路(Interpose)应用正在得到迅速普及,并且最近被用于倒装芯片(Flip Chip)的安装而引人注目,从而使印制     

MCM—L基板的动向和制造安装技术——随着高性能化、低价格化迅速发展

随着电子设备的高速化、小型化、低价格化的发展,正在开发着新的组装方法,其中,多芯片模块(MCM)技术对完成计算机、通讯机的变革是必不可少的器件。 MCM就是在一个模块中装入数个LSI芯片和部件的产品。由于RISC芯片等高速运算处理、IC、LSI更加复合化和复合运算处理等的必要性,所以MCM的需要急骤增长。随着专用压模、基材、基板加工、检验和组装技术等的配备,从军用大型计算机到工作站、微型计算机、通讯机等正在扩大它的用途。MCM的组装方式也从过去的QFP扩展到BGA等新的组装方式,并极力追求低价格、高可靠     

多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。MCM是实现电子装备小型化、轻量化、高速度、高可靠、低成本电路集成不可缺少的关键技术,它与传统的混合IC主要区别在于MCM是采用“多块裸芯片”与“多层布线基板”,并实现“高密度互连”。     

一种更薄更简洁的芯片卡封装技术

英飞凌科技公司和捷德公司联合研制出一种专用于芯片卡应用的创新芯片封装工艺。FCOS(Flip Chip on Substrate，板上倒装芯片)技术首次将芯片卡集成电路“倒装”在芯片卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料。新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

FCOS技术被引入智能卡制造

FCOS（Flip Chip on Substrate板上倒装芯片)技术是英飞凌科技公司(Infineon)与捷德(Giesecke&Devrient)公司联合研制开发的一种专用于IC卡应用的创新芯片封装工艺。它融合了最新芯片倒装工艺和革新的材料技术，首次将集成电路“倒装”在IC卡外壳中。芯片的功能面通过传导触点直接连接至模块，不再需要传统的金线和人造树脂等封装材料，新型连接技术不仅节省了模块内的空间，而且比常规接线方式更为牢固。     

倒装芯片集成电力电子模块寄生参数的建模

采用球栅阵列芯片尺寸封装技术和倒装芯片(Flip Chip,FC)技术构建了半桥集成电力电子模块(Integrated Power Electronics Module,IPEM),半桥FC-IPEM实现三维封装结构。采用阻抗测量法提取模块寄生电感和寄生电容,建立模块的寄生参数模型,对模块进行电气性能测试。结果表明:半桥FC-IPEM构成的同步整流Buck变换器输出滤波电感中的电流波动幅度小于0.6A。     

多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。     

SAW器件封装技术概述

小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史,介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点,详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装(Chip Sized SAW Package,CSSP)技术,将通用芯片倒装技术(Flip Chip Bonding,FCB)和SAW封装的特点结合,使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。     

SiP技术现状与发展趋势

SiP是近些年盛行的词汇，它的定义较多，这里是指把多个半导体芯片组装在一个封装体中的半导体回路，统称SiP，即系统级封装。过去所说的MCM是指在一块基板上组装多个半导体芯片和元器件的作法。而且，它们大多数是从半导体制造商手中购买裸芯片，并根据用户的需求进行制作的。但是，裸芯片的购买受到限制，而且芯片的测试有困难。所以不能说MCM已经普及了。相对来说，近几年半导体制造商开始供应组装了多个芯片的存储器，以半导体制造商的视角，开始供给组装有多个芯片的SiP。     

倒装芯片集成电力电子模块的热设计

将倒装芯片(Flip Chip, FC)技术引入三维集成电力电子模块(Integrated Power Electronic Module,IPEM)的封装,可构建FC-IPEM.在实验室完成了由两只球栅阵列芯片尺寸封装MOSFET和驱动、保护等电路构成的半桥FC-IPEM.针对半桥FC-IPEM,建立半桥FC-IPEM的一维热阻模型,分析模块主要的热阻来源.运用FLOTHERM软件进行三维仿真,得到模块温度分布结果,给出优化模块热性能的依据.     

IC封装基板市场蓬勃发展

目前IC封装技术的发展主流是:倒装芯片(Flip Chip,FC)、晶片级(Wafer Level)封装及铜制程相关的封装技术。其中,倒装芯片技术近几年在国外已得到很大发展,许多企业已相继投入开发。而晶片级封装技术因具有短小轻薄、高的电气特性及低廉的制造成本等优点,预计在未     

积层板用激光钻孔

1 前言 随着以BGA(CSP)为代表的半导体封装的高密度化或者倒芯片(FC,Flip Chip)安装技术的兴起,PCB已经发展到高密度化。以携带电话等为中心的电子机器正在迅速     

MCM器件的热设计方法

在当今的电子产品中,多芯片模块(Multichip Modules简称MCM)的应用正愈来愈广泛。它在缩小电子产品体积,提高产品性能方面起到了重要作用。但对组装设计师而言,却提出了严酷的热设计问题。因为在与常规的单芯片相同的面积上,MCM内封装了许多集成电路。MCM器件中的热应力来自于两方面,即来自MCM模块内部和MCM模块所处的外部环境所形成的热应力,这些热应力会影响到器件的电性能、工作频率、机械强度和     

3cm-T/R组件的研制

介绍了一种3cm-T/R组件的设计与制作,该组件基于LTCC技术,运用两只功率放大器裸芯片和一个Wilkinson功分合成器设计出了一个平衡放大器,并且作为3cm-T/R组件发射通道的末级功放.文章分析了收发组件的原理方案,详细讨论了电磁兼容问题和装配工艺,充分利用了混合集成电路(HMIC)和多芯片组装(MCM)相结合...