外刊题录

1.半绝缘GaAs中表面电导的机理Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.9,P.869,19842.GaAs MOCVD中一种新的硅掺杂源——乙硅烷Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.10,P.986,19843.用超掺杂结构开发新半导体材料(制作超高速器件)Vol.29,No.8,P.7,19844.乳胶掩模材料电子材料,Vol.23,No.8,P.42,19845.光致抗蚀剂材料电子材料,Vol.23,No.8,P.51,19846.GaAs MESFET跨导和衬底特性之间的相互关系IEEE Electron Dev.Lett.,Vol.5,No.6,     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

外刊题录

1.半导体中离子注入杂质结构的计算机模拟模型S.S.Commun.,Vol.47,No.4,P.259,1983,72.具有SiO_2图形的硅衬底上无定形硅膜的横向固相外延Appl.Phys.Lett.,Vol.43,No.11,P.1028,1983,123.新MRS型负性抗蚀剂组分的最佳化IEEE Trans.ED,Vol.30,No.12,P.1780,1983,124.环境气体对未掺杂LEC GaAs晶体的影响Jap.J.Appl.Phys.Pt.1,Vol.22,No.11,p.1652,1983,115.InP中磷析出与时间和温度的关系J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.1,No.3,P.825,1983,7～9     

外刊题录

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984.7     

外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

印制电路与集成电路

Y2002-63121-414 02196633维集成的功率趋势和性能特性=Power trends andperformance characterization of 3-dimensional integration[会,英]/Zhang,R.& Roy,K.//The IEEE Interna-tional Symposium on Circuits and Systems Vol.4 of 5.—414～417(HE)Y2002-63233 02196642001年 IEEE 砷化镓集成电路会议录,摘要=2001IEEE GaAs IC symposium,technical digest[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—2001.—279P.(E)本会议录收集了于2001年10月21～24日在马里兰州 Baltimore 召开的 GaAs 集成电路会议上发表的61篇论文,内容涉及无线收发信机技术,集成电路计算机辅助设计,单/多信道光电子学,异质结双极晶体管放大器,10～40GB/秒光通信物理层 IC,功率放大器应用,低噪声场效应晶体管。     

外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

资料简介索引

红外器件11001 Hg_(0.6)Cd_(0.4)Te液相外延层富Te、富Hg和富HgTe生长法的比较Comparison of HgCdTe LPE layer growthfrom Te-,Hg-and HgTe-rich solutions,T.E.Bowers,Honeywell,IEEE Trans.on ElectronDevices,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.24-8.介绍不同组份过量的三种液相外延法。富碲法外延层成份有梯度的厚度范围为3微米,横向和纵向成份不均匀性小于±1％(克分子)CdTe;系在常压下生长,但只能生长p型层。富HgTe法是种闭管生长法,在原理上可以生长p或n型,纵向成份有梯度的范围为20微米。11002 三靶射频溅射的HgCdTe薄膜RF triode-sputtered MCT thin films,R.N.Cornely,Bell,IEEE Trans.on Electron Devi-ces,1980,Vol.ED-27,No.1,pp.29-32.     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

半导体器件

Y2002-63011 0212673IEEE GaAs 集成电路会议录=IEEE GaAs IC sympo-sium[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—266P.(E)本会议录收集了在华盛顿州 Seattle 召开的 GaAs集成电路会议上发表的56篇论文,内容涉及     

基本电路

Y2000-62085-227 000763512GHz 共平面伪单片振荡器=12GHz Coplanar quasi-monolithic oscillator[会,英]/Wamge,E.& Kompa,G.//1999 IEEE MTT-S International Microwave Sym-posium,Vol.1.—227～228(U)Y2000-62085-243 0007636利用 GaAs/InGaP 异质结双极晶体管技术的单片式毫米波平衡双相调幅器=Monolithic millimeter-wave bal-anced bi-phflse amplitude modulator in GaAs/InGaP HBT     

国外最新通信保密资料目录(五)

一、一般问题1.密码在电子数据处理中的作用(参考文献26篇) Ma ty:一55。M。 Da tenehut:und Datensieherung。Heft。3,PF。174一180,June 19吕!.2.当代密码的安全及传输问题(参考文献12篇) Muel]erK。H。 F requenz。Vol。35,No。2,PP。41一46,Feb。l仑81。3.采用密码文件的系统设计(参考文献23篇) GudesE- IEEE Trans。Vol。SE一6,No。5,PP。411一420,1980.毒.信息保密间题 Roos H. Information and Management。Vol。4,No。1,PP。17一21, Ma reh 1981。5.交界数据流:保密保护(参考文献45篇) Tt之rnR。 Jnformation Pri…     

文摘选辑

(一) 声表面波技术 157 GaAs上的新型掠面体波(SSBW)——(Henaff J.)《Electron. Lett.》17 12(1981) 427—9 介绍一种在<110>切GaAs基片上(110)面传播的新型SAW模式。尽管这一分支仍不甚完善,但它提供良好的机电耦合系数(0.1％)和相当高的波速(3240m/s),这些结果与理论上计算的数据相符合。     

光互连用光电集成接收机

据《IEEE Transactions on Electron Devices》1993,40:(8)报道:美国伊利诺斯大学设计研制了0.85μm用于光互连的单片集成光电接收机。这种结构的接收机采用InGaAs/GaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)与金属-半导体-金属(MSM)光电探测器进行集成。ft=90Hz的0.25μm MODFET用于二级互阻抗放大器。通过使用氮化硅钝化层或Al-     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

电子工艺

Y2002-63033 02081712000年 IEEE 国际半导体会议录.卷2=2000 IEEEinternational semiconductor conference,Vol.2[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—2000.—166P.(E)本会议录共分2卷.本书为第2卷,收集了在会上发表的38篇论文,内容涉及传感器、微米与纳米技术,     

其它电路与技术

Y2000-62085-329 0009541利用 GaAs PIN 二极管设计高功率限幅电路的方法=Designing high-power limiters circuits with GaAs PINdiodes[会,英]/Smith,D.G.& Heston,D.D.//1999IEEE MTT-S International Microwave Symposium,Vol.1.—329～332(UC)     

化合物半导体

Y98-61383-201 9904263声-电应用的准单片 GaAs/LiNbO_3混合体=Quasi-monolithic GaAs/LiNbO_3-hybrids for acoustoelectric ap-plications[会,英]/Rotter.M.& Wixforth,A.//1997IEEE Ultrasonics Symposium,Vol.1.—201～204(YG)     

晶体管、MOS器件

Y2002-63196-365 03119594H碳化硅结型场效应晶体管的断路与短路电路状态=Turn-off and short circuit behavior of 4H SiC JFETs[会,英]/Weis,B.＆ Braun,M.//2001 IEEE IndustryAppbcations Conference,Vol.1 of 4.—365～369(ME)Y2002-63196-376 0311960SiC肖特基二极管CoolMOS~(TM)晶体管配对使用的优点=Matched Pair of CoolMOS~(TM) transistor with SiC-schor-tky diode-advantages in applieation[会,英]/Lorenz,L.＆ Deboy,G.//2001 IEEE Industry Applications Con-ference,Vol.1 of 4.—376～383(ME)