keV量级的N＋注入引起的氨基酸 分子损伤

利用电子顺磁共振和红外光谱研究了keV级N     

keV量级的N+注入引起的氨基酸分子损伤

利用电子顺磁共振和红外光谱研究了ｋｅＶ级Ｎ＾＋注入到几种固态氨基酸样品中引起的分子结构损伤。结果表明,这一注入导致了分子的严重损伤：分子结构解体,红外吸收普遍降低;产生了大量的碎片,其中自由基碎片的类型和数量随注入离子的剂量发生显著变化;损伤碎片重组,形成了新的化学组合,表现出新的红外吸收峰。     

低能As^＋注入Si（100）产生缺陷的研究

介绍了用慢正电子束探针研究Ａｓ＾＋以不同角度注入Ｓｉ（１００）产生的缺陷以及退火后缺陷消除效应的结果，用正电子Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽湮没技术对样品作无损检测，采用一维的扩散方程进行拟合，对缺陷分布求解，获得缺陷的各种信息，实验结果表明，１５°小角度注入产生的缺陷浓度比６０°注入要大，而且两者的缺陷类型也不同，对于１５°注入产生的缺陷可用快速热退火很好地消除。     

V＋C共注入对不锈钢表面机械性能改善的研究

采用改进的MEVVA源阴极对不锈钢进行了V +C共注入 ,并做了X射线衍射分析 ,硬度和磨损实验。V +C共注入剂量为 1× 10 17— 8× 10 17cm- 2 ,能量为 80keV。实验结果表明 ,V +C共注入后不锈钢表面的机械性能得到了改善 ,表面硬度增加了 16%— 82 % ,而耐磨性则是未注入样品的 1.4— 2 .2倍 ,最好的结果均从剂量为 4× 10 17cm- 2 的样品中得到。X射线分析表明 ,V +C共注入后在不锈钢表面形成了新相FeV ,Cr2 VC2 ,VC ,Cr2 3 C6 和Fe5C2 。这些新相在提高表面硬度和耐磨性方面起了重要作用。这些结果与V +C双注入同种不锈钢所得结果进行了比较 ,比较结果表明共注入方法对材料表面改性比双注入方法更有效。     

硅中注入BF^＋2辐射损伤的反常行为

借助离子束背散射和沟道技术结合透射电子显微镜分析，研究了在３００Ｋ和７７Ｋ下硅中注入ＢＦ＾＋２辐射损的反常行国。结果发现ＢＦ＾＋２注入在硅中产生的损伤层或无定形层情况区别于其它较重离子注入。在３００Ｋ下注入时，硅中引入的两个损伤峰，其中一个位于离子入射的平均投影射程附近，另一个则在近表面，在７７Ｋ下注入时，硅中引入的损伤层或无定形层首先出现在表面，随注入剂量的增加，地锭形层向硅体内延伸。     

低能重离子注入麦胚引起深层细胞损伤的一种可能机制

讨论了低能重离子注入麦胚造成深层细胞损伤主要是注入离子与小麦组成各元素发生相互作用后的次级过程中产生了特征Ｘ射线。以能量较高（３。５８９ｋｅＶ），强度相对贡献较大的钾元素为例，当强度减弱至原来的２＾－＾１＾０时，其穿越麦胚深度可达３７０μｍ，可谓是“长射程”。小麦种子在深层能受到低能离子注入的影响，可能正是由于这种次级过程的“长射效应”。     

X射线衍射法研究刚玉注入层的结构

用Ｘ射线衍射法和ＰＯＷＤ１２理论计算程序探讨了多晶刚玉Ｆｅ离子注入层的结构变化。     

蒙特卡罗模拟Si^＋注入Si3N4／GaAs的射程分布和损伤分布

用蒙特卡罗方法模拟Ｓｉ＾＋注入Ｓｉ３Ｎ４／ＧａＡｓ的力学运动，以考察沉积在ＧａＡｓ材料表面的无定形Ｓｉ３Ｎ４阻挡层对Ｓｉ＾＋射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明，Ｓｉ３Ｎ４阻挡层能够有效地削减Ｓｉ＾＋在ＧａＡｓ衬底中的射程，避免沟道效应，得到浅结。但是阻挡层中也有相当数量的Ｓｉ、Ｎ原子由于与入射的Ｓｉ＾＋相互碰撞反冲进入ＧａＡｓ衬底。     

高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０＾１５／ｃｍ＾２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０＾１５／ｃｍ＾２）的＾１６Ｏ，使氧在约１．５－２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００－８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０＾８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当     

低能氮离子束注入固态5‘—dTMP的辐照损伤研究

对３０ｋｅＶ氮离子束辐照５－ｄＴＭＰ核苷酸引起的无机磷和碱基的释放进行了多方面的研究，得到机磷产率和碱基产生量的剂量效应曲线，以及０．１ｍｏｌ／ＬＮａＯＨ碱处理对它们的影响。碱处理不仅增加了无机磷的释放量，而且还使辐照产生的游离碱基受到损伤而裂解。碱处理后立测量得知，受辐照样品的碱溶液中无机磷的含量为其水溶液中的１．７倍，而样品碱溶液中的碱基浓度却只有其水溶液中的０．５倍左右。碱处理４０ｍｉｎ后。     

195keV Ar^＋辐照非晶态合金表面损伤形貌的研究

用扫描电子显微镜观测研究了室温下１９５ｋｅＶＡｒ＋辐照非晶态合金Ｃｏ（６０）Ｆｅ（１２）Ｎｉ（１０）Ｓｉ６Ｂ（１２）和Ｆｅ（３９）Ｎｉ（３９）Ｖ２Ｓｉ（１２）Ｂ８在各剂量阶段的表面损伤形貌。结果表明，表面损伤是发泡和溅射相互竞争的过程。低剂量下，表面损伤以发泡为主；而在高剂量时，表面发泡消失，溅射造成的多孔粗糙表面损伤结构形成。对高剂量时表面发泡消失的可能机制作了探讨。     

1.56MeV Sb^＋注入单晶硅的反常退火行为

剂量为２×１０（１３）－５×１０（１５）ｃｍ（－２）的１．５６ＭｅＶＳｂ＋注入Ｓｉ（１００）后，向石英炉中通入流动纯Ａｒ气进行热退火（退火温度为５００一１０５０℃，时间为３０ｍｉｎ）。采用３ＭｅＶＨｅ（２＋）卢瑟福背散射／沟道技术和透射电镜技术测量样品的注人损伤以及退火特性，结合计算机模拟数据，结果表明：缺陷的产生类型与注入离子的剂量、样品退火温度密切相关。     

慢正电子束研究N^＋注入金属镍中生成的缺陷

用慢正电子束配合多普勒湮没能谱测量技术研究N~+离子注入镍样品产生的缺陷。由未注入的样品得到了正电子在镍中的扩散参数E_0=4.6keV。比较两个样品的S参数随入射正电子能量变化的曲线给出了95keV、6.4×10~(17)/cm~2剂量的N~+注入镍样品所产生的缺陷分布;缺陷由表面一直延伸到190nm,浓度最大的区域在27—110nm。这些都与由Trim程序的Monte Carlo模拟计算的结果很好地符合。