晶粒取向硅钢

发明的详细说明用以往技术制造的硅钢片,在10奥斯特磁场下,导磁率为1790～1840,板厚0.28毫米,在60赫兹、1500高斯条件下铁损为1.08～1.17瓦/公斤,而在1700高斯条件下,铁损为1.54～1.76瓦/公斤。这种取向硅钢除含3.2％硅外,还含有若干残余元素。美国专利第3287183号发表了在10奥斯持磁场下,导磁率达1910的单取向硅钢制造方法。发表在上述美国专利中的硅钢,采用两个轧程中间夹有中间退火的二次冷轧法处理,头一个轧程压下量少,后一个轧程压下量大。如按上述专利采用AlN作为防止一次再结晶晶粒长大的抑制剂,则Al和S的比例必须精确地控制在规定的数值内。上述专利所记载的成品     

生产晶粒取向硅钢的方法

本发明系硅钢生产特别是含2—4％硅晶粒取向硅钢生产的专利。硅钢是广泛应用在电气设备中,因为它有高的导磁率、高的电阻和低的磁滞损失。在制造过程中需要严格控制成份,因为加入铁中的几乎全部的合金元素都对磁性有不利的影响。例如:杂质像氮、氧、硫和碳,在晶粒点阵中引起位错,形成有害的内应力。所有元素中影响最坏的是碳。在制造过程中采用具有较高含碳量的硅钢是具有一定优点的并在以后加工为成品时钢能脱碳到具有好的电磁性能的低碳水平。其优点包括:     

晶粒取向硅钢的织构控制

本文介绍晶粒取向硅钢织构控制技术的历史背景和目前的发展状况，重点放在炽构和徽现组织的非均均匀性对{110}〈001〉取向晶粒完美二次再结晶所起的重要作用。晶粒取向硅钢的织构控制涉及到时织构和微观组织中局部非均质的控制：在整个工艺过程中，应完全提供二次再结晶的潜在被心及有利于其生长的基体环境。     

晶粒取向硅钢的发展动向

晶粒取向硅钠主要用于电力变压器铁心。目前,全世界取向硅钢带的年总产量约为120万吨,日本的年产量约为30万吨。自从1934年 Goss 发明了具有(110)[001]织构的冷轧取向硅钢以来,晶粒取向硅钢的性     

晶粒取向硅钢的生产方法

本专利是关于晶粒取向硅钢制造工艺的一种改进。虽然美国专利3873381,3905842,3905843,和3957546号揭示了用硼抑制电磁硅钢稍有区别的生产方法,但它们都详细说明了在800℃～815℃温度下的最终常化处理。通过这个专利,我提供一种改进引用的专利所揭示过的方法。确切地讲,我已经发现可以通过在     

晶粒取向硅钢及生产方法

晶粒取向硅钢生产工艺过程包括硅钢的冶炼、浇注、热轧、冷轧、最终织构退火、涂层等工序。涂层水溶液由4～30％磷酸盐离子,<6％镁离子,5～34％硅溶胶及0.15～6％六价铬组成。烧结温度不低于650℃。     

用倾角显微镜测定取向硅钢的晶粒取向

测定金属及其合金的晶粒取向,常用X射线法、磁转矩法和蚀坑光学法。蚀坑光学法虽不如X射线法准确,但它需要的设备简单,测定比较迅速直观,可较精确地测出各个晶粒的取向,这对取向硅钢的研究是很有益的。目前国内采用蚀坑光学法测织构是用普通光学显微镜(或带测角器)观察一定晶粒数内的各类形状的蚀坑,计算出各类形状蚀坑所占的比例,或是测出蚀坑的几何参数来作极图或计算晶面指数。这样测定的结果精度较差,测量和计算费时。要提高测量的精度和效率,一是要在制样上下功夫,使在所观测的晶粒内,蚀坑的大小和数量适宜、分布均匀和轮廓清晰。但主要是改进仪器的观     

冷轧晶粒取向硅钢生产工艺技术的研究进展

根据国际上近年来冷轧晶粒取向硅钢生产工艺技术的发展趋势,着重介绍了取向硅钢二次再结晶机理研究以及生产工艺的最新研究进展。     

新的高导磁率3%晶粒取向硅钢

本文简要地阐述了一种具有高斯织构的新型的高导磁率硅钢的冶炼方法,并对用这种钢所测得的磁性和做成变压器以后所测得的铁损亦作了一些说明。     

清洗质量对取向硅钢初次晶粒的影响

研究了不同清洗工艺对取向硅钢清洗质量的影响,不同的清洗质量对应不同的初次晶粒尺寸和成品磁性能。结果表明,随着清洗液浓度的增加、温度的提升和时间的延长,钢板表面清洗质量得到改善;清洗质量的差异会导致钢板初次晶粒均匀性发生变化,清洗质量好的钢带,初次晶粒均匀并且成品磁性能优良。     

渗氮对含铝晶粒取向硅钢的影响

所有高导磁率的GO钢的生产都采用AlN作为主要抑制剂.工业上已开发了GO钢两种类型抑制剂的形成方法,即板坯高温加热法和板坯低温加热法.从冶金学角度研究了板坯中温加热方法的可行性和渗氮的效果.这种方法介于板坯低温和高温加热法之间.因此,可分别通过渗氮和热处理条件来控制抑制剂浓度和初次再结晶粒径,抑制剂浓度和初次再结晶粒径的适当组合是获得强烈高斯织构的必要条件.     

取向硅钢中高斯晶粒异常长大选择性行为

对CGO取向硅钢二次再结晶中断实验进行了研究,发现二次再结晶升温过程中,仅在异常长大开始前,高斯晶粒尺寸明显大于其他晶粒,且不同取向晶粒的数量与脱碳退火时的特征一致.高斯晶粒晶界上MnS等抑制剂的优先粗化使高斯晶粒能够率先发生异常长大,且只有晶界弯曲严重或经过很小的生长几个晶粒就能合并的高斯晶粒才能成为二次晶核.在高斯晶粒异常长大过程中,晶界形貌参差不齐,呈岛屿状.研究表明:高斯晶粒独特的生长方式,可能是使二次再结晶能很快完成的原因.     

晶粒取向硅钢初始结构对二次再结晶的影响

据“Journal of Magnetism and Magnetic Materials”,1986:54～57:1621-1622报道,用ODF分析测定了晶粒生长两个阶段织构的发展。二次再结晶前,在晶粒长大过程中高斯织构强度增加。在初次再结晶基体内,二次再结晶晶粒尺寸是高斯晶粒尺寸分布和     

低温加热渗氮型取向硅钢二次晶粒取向度下降成因分析

低温加热渗氮型取向硅钢二次再结晶完全、磁性能却不高是一种常见的现场质量问题,其成因的判断及问题的解决对降低生产成本至关重要。本文对两组企业生产中存在上述现象的低温渗氮钢的一次再结晶板进行高温退火中断实验,确定其二次再结晶温度及基体晶粒和二次晶粒的取向分布特征,探索其成因。结果表明,磁性能下降的原因是二次晶粒取向度偏差大,主要向{110}<227>取向偏转;其本质是一次晶粒尺寸偏小,二次再结晶温度提前了约50 ℃;高斯晶粒以外的偏高斯取向晶粒优先形成。两组样品的差异不在于其二次再结晶温度不同,而是二次晶粒的偏差度不同。这种差异又反映出两组样品微小的一次退火组织织构和抑制剂的差异或成分波动性。     

一种新的3%硅高磁感晶粒取向硅钢

高磁感晶粒取向硅钢是通过具有准确的(110)[001]晶粒取向来获得的。为了改善取向度需要一个大的最终冷轧轧压下率。为了使材料在最终退火中完成二次再结晶,增强抑制正常晶粒长大是必要的。后面的条件是由本文所叙述的一个由硫或硒与硼和氮组成的抑制系统来提供的。将3％硅钢并含有氮和一定范围的硼,硫和锰以及由硒碲代替硫的实验室试样的磁性进行比较,其工艺包括从热轧厚度直接轧到成品厚度(最大冷轧压下率为88％)以及两次中间厚度的热处理,其最终压下率分别为82％或61％。     

薄带连铸取向硅钢Goss晶粒二次再结晶过程的研究

研究了双辊薄带连铸Fe-3%Si取向硅钢薄带在冷轧后二次再结晶过程中Goss晶粒的演化过程。结果表明:薄带连铸流程可以固溶较多的抑制剂元素,并且无需通过"γ→α"相变控制AlN的析出。铸带经过两阶段冷轧变形和高温退火后,可以获得完善且位向准确的Goss晶粒,B_8值达到1.92 T以上。高温退火升温过程中,在抑制剂的作用下基体晶粒尺寸基本稳定,Goss晶粒在1 035～1 060℃范围内发生异常长大。长大方式为位向准确的Goss二次晶粒快速发生异常长大,吞并基体中稳定的初次晶粒,而后快速发生异常长大的二次晶粒继续吞并发展缓慢的Goss二次晶粒和一些尺寸较大的初次晶粒,最终完成全部二次再结晶过程。     

薄带连铸取向硅钢Goss晶粒二次再结晶过程的研究

研究了双辊薄带连铸Fe- 3%Si取向硅钢薄带在冷轧后二次再结晶过程中Goss晶粒的演化过程。结果表明：薄带连铸流程可以固溶较多的抑制剂元素，并且无需通过“γ→α”相变控制AlN的析出。铸带经过两阶段冷轧变形和高温退火后，可以获得完善且位向准确的Goss晶粒，B8值达到1. 92T以上。高温退火升温过程中，在抑制剂的作用下基体晶粒尺寸基本稳定，Goss晶粒在1035～1060℃范围内发生异常长大。长大方式为位向准确的Goss二次晶粒快速发生异常长大，吞并基体中稳定的初次晶粒，而后快速发生异常长大的二次晶粒继续吞并发展缓慢的Goss二次晶粒和一些尺寸较大的初次晶粒，最终完成全部二次再结晶过程。     

低温高磁感取向硅钢高温退火过程高斯晶粒的演变

对低温加热工艺生产的以AlN为主抑制剂的高磁感取向硅钢高温退火过程进行中断实验,借助电子背散射衍射技术对高温退火过程中高斯晶粒的演变进行了研究.在升温过程中高斯晶粒平均尺寸先减小再增大.800℃时取向分布函数图出现高斯织构组分,但强度很弱,高斯晶粒偏离角在10o以上;900℃时高斯晶粒平均生长速率超过其他晶粒;950~1000℃时高斯晶粒异常长大,偏离角3o~6o;在1000℃之前高斯取向晶粒相比于其他晶粒没有尺寸优势.     

MnS—AIN抑制的高导磁率晶粒取向硅钢的沉淀形态

本文阐述了透射电子显微镜对MnS—AIN抑制的3％Si钢中沉淀的研究。热轧带不同的热处理制度的影响与冷轧和脱碳退火再结晶后的沉淀物的形态有关。热轧带的热处理制度包括1120℃固溶,空冷到选择的温度并且淬火。在温度高于650℃淬火时,得到一种由变形衬度而成像的均匀分布的细小组织,(大约100A)。可以认为,空位园环由于碳的扩散而稳定。在温度低于650℃淬火时空位园环不能产生。采用高的淬火温度而得到的冷轧和再结晶织织含有得细小的沉淀质点的聚集群,这种聚集群大部份是由球形的MnS和一些角状的AIN所组成。粒子聚集的倾向随淬火温度的降低而减弱,同时,在各聚集体内和各聚集体之间,MnS粒子发生不均粗化,从540℃或低于540℃淬火,导致混乱的粒子分布,而且较大机率出现角状AIN。冷轧和再结晶组织中聚集体的消失,它与最初热处理时,随着淬火温度降低,空位园环的消失大伴是一致的。