激光法制备纳米粉体的研究现状

综述了激光法制备纳米粉体的应用研究现状。对各种纳米粉体的激光制备工艺、原材料及其特点进行了阐述,具体分析了激光技术在Si/C/N纳米粉体及其它粉体制备中的应用,并对该项技术应用前景进行了展望。     

纳米粉体激光制备技术

激光制备纳米粉体具有一系列的优点。本文较详细地介绍了激光法制备纳米粉体的基本原理、特点及粉体的合成与性能,并对其发展趋势作了展望。     

YAG纳米粉体的制备及去团聚

钇铝石榴石(YAG)透明陶瓷被证明为量子电子学历史上最好的固体激光材料,因为其具有无与伦比的光学、力学和热性能。而在YAG透明陶瓷的整个制备过程中,YAG纳米粉体的团聚性能是影响所制备透明陶瓷最终性能的关键因素之一。以共沉淀法制备的YAG纳米粉体为原料,研究了球磨时间和分散剂Dolapix CE-64对YAG纳米粉体去团聚性能的影响,并通过X射线衍射(XRD)、Zeta电位、激光粒度和扫描电镜(SEM)等一系列表征手段对实验结果进行了表征。实验结果表明,通过添加质量分数为10% 的Dolapix CE-64 、球磨24 h处理对YAG纳米粉体去团聚效果最佳。     

Pechini方法制备纳米级Pb1-xCaxZrO3陶瓷

采用Pechini方法制备了PCZ(x)纳米粉体,并用PCZ(x)纳米粉体制备了PCZ(x)陶瓷。用激光粒度分析仪分析了PCZ(x)纳米粉体的平均粒径。利用XRD、LCR测试仪、SEM等分析手段表征了PCZ(x)陶瓷的结构及介电性能。结果表明用PCZ(x)纳米粉体在1 250℃下烧结的配方为Pb0.65Ca0.35ZrO3的陶瓷具有最高的钙钛矿相含量以及最大的介电常数。PCZ(x)陶瓷晶粒细小,晶界完整。     

电气和电子工程用材料科学

TG1132006060010ICF物理实验用纳米Cu块体靶材的制备研究/楚广,唐永建,罗江山,刘伟,杨天足,黎军,洪伟(中南大学冶金科学与工程学院)//强激光与粒子束.―2005,17(12).―1829～1834.采用自悬浮定向流法制备了金属纳米粉体并采用真空手套箱专利技术和冷压法在高压(1.5GPa)作用下保     

TiO_2纳米粉体的制备工艺研究进展

综述了制备TiO2纳米粉体的各种方法,评述了金属醇盐水解法、水热晶化法、溶胶-凝胶法、均匀沉淀法和液相一步合成法制备工艺及特点,并指出液相一步合成法是在常压低温条件下,在液相中就可制得TiO2纳米粉体的工艺简单、适宜大规模工业化生产的最具潜力的一种制备工艺。     

LIVCD法制备纳米氮化硅粉末工艺参数对粉体特征影响的研究

激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中,各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有:激光强度(I),反应池压力(P),反应火焰温度(T),反应气体配比(ΦSiH4／ΦNH3),反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。     

制备Nd3+:Gd3 Ga5O12透明陶瓷的纳米粉体

由于激光晶体的生长周期长、成本高等缺点,激励人们不断地探索新的激光材料。透明陶瓷就是最近发展起来的一种。采用溶胶-凝胶法合成了用于制备掺钕的钆镓石榴石(Nd3 ∶Gd3Ga5O12)透明激光陶瓷的多晶纳米粉体。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的晶相和形状进行了分析。结果表明,温度为1000℃,灼烧12 h,获得单分散、形状规则、似球形的Gd3Ga5O12(GGG)纳米粉体,且随着烧结温度的提高前驱粉体粒度不断增加。荧光发射的最强峰位于1062.7 nm处,对应于Nd3 的4F3/2→4I11/2能级跃迁。     

LIVCD法制备纳米氮化硅粉末工艺参数对粉体特征影响的研究

激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中，各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有：激光强度(I)，反应池压力(P)，反应火焰温度(T)，反应气体配比(ΦSiH4/ΦNH3)，反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。     

Bi_(1.5)ZnNb_(1.5)O_7纳米粉体对其陶瓷性能的影响

采用水热法制备Bi1.5ZnNb1.5O7(BZN)纳米粉体,传统固相法制备Bi1.5ZnNb1.5O7(α-BZN)陶瓷。研究了掺入BZN纳米粉体对α-BZN陶瓷性能的影响。结果表明:掺入BZN纳米粉体对α-BZN陶瓷的烧结温度和物相没有影响,随BZN纳米粉体掺入量的增加,α-BZN陶瓷密度下降。但掺入质量分数10%的BZN纳米粉体,在1 000℃烧结的α-BZN陶瓷样品结晶良好,呈现出更优异的介电性能:1 MHz下εr约148,tanδ小于3.365×10–4。     

激光晶化制备Fe基纳米软磁材料的研究进展

综述了激光非晶晶化制备Fe基纳米软磁材料的国内外研究进展和现状.介绍了Fe基纳米软磁材料的双相组织结构和性能特征及应用领域;对比分析了传统退火晶化和激光晶化制备技术的优缺点;阐述了研究激光纳米晶化技术的重要意义和理论价值.提出了激光晶化技术制备Fe基纳米软磁材料需要重点系统研究的课题和方向.     

激光熔覆制备纳米结构涂层的研究进展

综述了激光熔覆制备纳米结构复合涂层的研究进展。着重介绍了激光熔覆制备金属基纳米粒子增强涂层的组织结构和性能特征。对比分析了激光熔覆和其他涂层制备方法的优缺点。阐述了激光熔覆制备纳米复合涂层存在的主要问题,并对技术发展前景和应用领域进行了展望。     

ZnO纳米粉吸光特性及其应用实例

用热物理法制备ZnO纳米晶须和纳米粒子 ,该晶须从中心向空间三维拓展出四根针 ,针的直径由根部向顶部逐渐变小 ,使ZnO纳米晶须在很宽波段对光吸收。利用此特殊结构制备出纳米黑化吸收剂 ,并应用于激光表面强化。与传统黑化剂的效果相比 ,其 5Cr5MoSiV钢淬硬层的显微硬度达到 792Hv,增幅为 6 % ;淬硬层的最大深度为0 6 0mm ,上升的幅度为 2 0 % ;激光淬火功率下降了 30 0W ,节能高达 30 %。     

New non-destructive laser ablation based backside sample preparation method

A new ultra-short pulse laser ablation based backside sample preparation method has been developed. This technique is contact-less, non-thermal, precise, repetitive and adapted to each type of material present in IC packages. Backside preparation examples are presented on a conventional DIL plastic package, a TSOP plastic package with an oversized silicon die and on a DIL ceramic package.     

脉冲激光沉积法制备PZT铁电薄膜及衬底温度对膜的影响

采用脉冲激光沉积法在Si(10 0 )衬底上制备了Pb(Zr0 .52 Ti0 .4 8)O3 铁电薄膜 ,并用X射线衍射 (XRD) ,扫描电镜 (SEM )对其结构、形貌以及结构随沉积时衬底温度的变化进行了研究。由脉冲激光制备薄膜的机制出发 ,从PbO ,ZrO2 和TiO2 熔融体的化学反应及应力造成能量释放引起的相变两方面分析了铅基铁电薄膜制备时衬底温度的影响。     

锑化物中红外单模半导体激光器研究进展

锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4 m波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现了大功率单管、阵列激光器的室温工作。然而,由于锑化物材料与常见的半导体单模激光器制备工艺的不兼容性,只有少数几个研究单位和公司掌握了锑化物单模激光器的制备技术。文中介绍了锑化物单模激光器常用的侧向耦合分布反馈激光器的基本原理,分析了其设计的关键技术,回顾了锑化物单模激光器的设计方案和制备技术,并针对国内外锑化物单模激光器主要研究内容进行了总结。     

铌酸锂干法刻蚀的研究进展

概述了近年来国内外对铌酸锂(LN)晶体干法刻蚀技术的研究进展。根据刻蚀原理和特点,现有的LN干法刻蚀技术可分为等离子体刻蚀、激光微加工技术和Ti扩散电化学刻蚀。对各刻蚀方法及其研究进展进行了总结,分析了不同干法刻蚀方法之间的区别和联系,并对各方法中存在的问题进行了探讨。其中等离子体刻蚀技术由于其良好的图形转移特性,得到了最广泛的应用;激光微加工技术在制备光子晶体结构和微光栅结构中具有独特的优势;Ti扩散电化学刻蚀LN为制备大尺寸的LN基结构指明了新的方向。