关于更换中波天线底座绝缘子施工的探讨

文章对中波天线底座绝缘子施工中所遇到的问题进行了分析和研究，并通过实践，提出了更换底座绝缘子施工时的改进措施。     

潜艇利用光学武器探测目标分辨率

潜艇执行水上监视任务需要能在桅杆出水几秒钟内获取完整水上图像的先进光学／光电传感器。潜艇利用光学瞄准具和光电桅杆仔细探测和分辨难以辨认的目标或那些在远距离上通过协同或非协同的方式使用杂波有限弹道的目标。最近，Kollmorgen光电公司、Zeiss Optronik公司和Thales光电公司等专业公司正在生产潜艇光电桅杆系统。     

中波发射塔底座更换施工方案

本文介绍了120m中波发射塔天线底座绝缘子更换施工方案及流程,围绕底座更换面临整塔先拆卸再安装,工程量大且场地施工困难的状况,自创设计新夹具,解决了工程中碰到的技术难题,保证了底座更换施工顺利完成,使用中稳定可靠.     

基于有限元分析的底座结构分析及优化设计

借助有限元分析软件Pro/MECHANICA,对创建的底座模型进行静力学分析和动力学的模态分析.通过将模型中4个关键尺寸设成变量,分析当它们变化时相关模型参数--模型总质量、最大位移和第一模态固有频率的变化敏感性,并对其进行优化分析,计算模型的最佳结构尺寸.     

中波拉线塔底座绝缘子最大轴向压力的计算

作者从552台更换中波天线T6塔底座绝缘子的施工中,得到启发,并引用大量的数据对拉线塔轴向压力进行了计算,通过计算,总结出了宝贵的施工经验。     

中波桅杆综合检测与安全评估方法的研究与应用

基于现有最先进的检测技术对某中波桅杆进行全方位检测，通过理论与试验相结合的方式将钢材材质转化为Q235进行后续分析，采用3D3S模型对该桅杆进行结构受力分析后发现：桅杆主体钢构件的最大应力比为0.996；主体最大位移为2157.3mm，远超规范要求；而螺栓和铆钉都有较大的安全冗余度。此次检测分析可为该桅杆后续加固维护提供有效建议，同时也可为此类中波桅杆综合检测及安全性评估提供参考。     

光电混装电缆低温环境下曲挠性能测试方法研究

光电混装电缆低温环境下在桅杆的滑轮组上做动态运动,易发生冻硬、开裂等现象使其曲挠性能下降.因此,自行设计了一套低温弯曲试验装置,通过此装置模拟低温环境下光电混装电缆在桅杆上受外力作用的试验环境,来验证光电混装电缆的曲挠性能是否满足实际要求.设计的低温弯曲试验装置模拟光电混装电缆在桅杆上过滑轮组的运动特点,操作简单,省时省力、试验效率高.     

光电桅杆的应用现状与发展趋势

以车载光电桅杆系统为主体,对光电桅杆的分类与特征进行了探讨,总结了光电桅杆技术应用上的现状及其关键技术,对光电桅杆技术的发展趋势进行了分析,为光电桅杆的研制与应用提供参考。     

封闭式隐身桅杆的初步设计与效果评估

以一个典型的桅杆-天线系统为例,探讨了封闭式隐身桅杆的设计方法,形成了桅杆-天线系统隐身初步设计原则。为了保障电磁收发设备的正常工作,研究了封闭式桅杆上透波窗的设计方法和相应的频率选择表面(FSS:Frequency Selective Surface)技术。对封闭式隐身桅杆方案与普通桅杆的电磁散射性能进行了对比分析。结果表明:封闭式隐身桅杆能在宽广的角域范围内有效降低桅杆-天线系统的雷达散射截面(RCS:Radar Cross Section),大幅度提高桅杆-天线系统的隐身性能。     

瓷绝缘子表面激光损伤的数值模拟和实验研究

为了防止输电线路激光除冰过程中激光损伤绝缘子等电力设备,采用有限元分析软件ANSYS对激光与普通瓷、氧化铝瓷、氧化锆瓷、堇青石瓷作用后的温度场和应力场进行了数值模拟,得到氧化铝瓷具有较好的抗热应力破坏性能,并进行了Nd∶ YAG激光照射绝缘子表面实验,得到绝缘子表面温度与照射时间和损伤类型的关系.结果表明,激光功率密度...     

基于ANSYS的压电陶瓷晶片PZT仿真分析

电力支柱瓷绝缘子超声波检测对预防和检测绝缘子裂纹和断裂起到重要作用,换能器是超声波检测的基础元件,而换能器的核心部件是压电陶瓷晶片,其性能直接影响到检测结果。该文研究针对有限元法和传统解析法在压电陶瓷晶片特性分析中的不足,采用ANSYS有限元分析软件对压电陶瓷锆钛酸铝(PZT)晶片进行特性分析,基于ANSYS的电-结构耦合场模型,对超声波换能器的矩形压电晶片进行静态、模态、谐响应和瞬态分析。通过模态分析和谐响应分析可得到晶片的一阶纵向振动和二阶弯曲振动的固有频率、振型及频率位移响应及影响因素等信息,研究结果对提高超声辐射功率及超声换能器的性能有一定的理论指导和工程应用价值。     

力学参数测量时由残余电荷导致的误差分析

分析了用静电牵引法测量悬臂梁结构力学参数时 ,由于绝缘层中残余电荷的存在 ,对测试结果带来的影响 ;并提出了利用C V特性曲线确定残余电荷数量的方法 ,将求出的残余电荷数量从静电力的角度进行等效 ,从而求出考虑残余电荷后带来的阈值电压测试误差。该分析方法既适于提高悬臂梁、桥等用来测量力学参数的精度 ,也适于对静电执行器等的精确分析     

基于拓扑优化的4 m 望远镜底座结构设计

为满足4 m望远镜底座结构高刚度和轻量化的需求,研究了考虑结构变形和模态约束下的拓扑优化问题。首先,基于连续体结构拓扑优化的思想,以单元虚拟密度为设计变量,以位移变形和一阶频率及质量为优化约束,应变能最小为优化目标,建立了底座设计的拓扑优化数学模型,并详细推导目标函数及约束条件的灵敏度;然后,对底座结构应用拓扑优化设计,并以所得的理想概念构型为基础,进行底座结构的详细设计;最后,采用有限元法对优化模型进行静刚度和动刚度的分析与校核。设计结果表明,底座质量从27.66 t减至22.15 t;最大变形量由0.0377 mm减小为0.014 mm;一阶频率从217.1 Hz提高至247.45 Hz;在减小质量的同时,有效提高了底座结构的静刚度和动刚度,验证了拓扑优化方法的有效性。该方法将对4 m望远镜跟踪架的其他部件设计提供帮助。     

石墨烯压力传感器结构设计与压力敏感特性研究

以石墨烯作为压力传感器敏感材料,Si为基底材料,氮化硼(PN)为石墨烯保护材料,惠斯通测量电桥作为力电变换测量电路,构建了硅基石墨烯压力传感器。通过鼓泡实验法建立传感器的理论模型,分析了传感器的压力与中心形变位移之间的关系,并结合ANSYS软件静力学非线性分析单元,针对所述石墨烯薄膜的挠度形变特性进行了数值解析与有限元仿真。结果表明,石墨烯薄膜压力与挠度形变的理论分析与仿真结果相吻合,这为石墨烯压力传感器提供了结构设计与理论模型基础。     

Physical characterization of hot-electron-induced MOSFETdegradation through an improved approach to the charge-pumping technique

The physical mechanisms which are involved in the hot-carrier-induced degradation of CMOS transistor are analyzed by means of an improved approach to the charge-pumping measurement technique. The proposed experimental procedure allows the simultaneous characterization of both interface-states generation and carrier trapping in the gate insulator. The analysis is extended to both static and dynamic degradation processes, whose differences and similarities are discussed     

A method for determining the emitter and base lifetimes in p-n junction diodes

A method is described that provides an experimental means for the first time to separate and determine the emitter and base lifetimes in a p-n diode after the junction has been fabricated. In the method, several static and transient measurements are analyzed using physical models of the diode characteristics. To illustrate the method, diffused silicon diodes are fabricated having substrate (base) impurity concentrations ranging from 10¹⁴to nearly 10¹⁷phosphorous atoms per cubic centimeter. The results show an emitter lifetime that is much smaller than the base lifetime in the diode having the highest base doping concentration. In this diode, the recombination current from the emitter is 65 percent of the recombination current from the base, demonstrating the significance of the emitter in governing the static current-voltage dependence. The importance of emitter recombination to the transient characteristics is also demonstrated. The paper emphasizes the techniques by which the base and emitter lifetimes are distinguished. It also demonstrates the need for carefully basing the quantitative analysis of the measurements on the underlying diode physics. The method described here applies not only to p-n diodes but also to junction solar cells and transistors.     

基于深度卷积神经网络的输电线路可见光图像目标检测

为了检测输电线路可见光图像中的塔材、玻璃绝缘子和复合绝缘子,本文采用了一种基于深度卷积神经网络的技术。通过有人直升机搭载高清相机拍摄19条不同的输电线路近600张图片,对图片中的背景、塔材、玻璃绝缘子和复合绝缘子目标进行人工标注及分块,采用数据扩展生成包含15万个样本的输电线路图像库。构造5层深度卷积神经网络,首先用Cifar-100数据集对网络进行预训练,然后用输电线路图像库进行网络调优。本文方法在检测真阳率为90%时,假阳率低于10%,明显优于传统方法,可用于输电线路可见光图像中的塔材、玻璃绝缘子和复合绝缘子检测,检测结果可用于诊断参考或进一步的目标状态分析。可对输电线路可见光图像中的塔材和绝缘子目标进行检测,并可扩展到其它类型目标的检测。     

PSD位移传感器测量误差的修正方法

为了提高自制位置敏感探测器(PSD)激光三角位移传感器的精度,提出一种简单、可行的数据修正方法,对传感器所采用的测量原理、敏感器件及自制工艺等进行了研究。首先,对自制的位移传感器的静态精度进行实验标定,分析其位移误差曲线。通过将位移测量误差曲线与敏感器件自身检出误差曲线进行比对,结合自制传感器的组装工艺,分析其误差来源。然后,通过调整激光三角测量原理中位移传递公式的具体参数,达到优化自制位移传感器的静态精度的目的。最后,用反复多次地,不同测量范围、测量步长下的位移数据曲线优化效果,证明这种修正方法的普适性。实验结果证明:经过该方法修正后,自制的PSD位移传感器的测量数据的误差降低约80%,其静态位移精度基本达到1%。这种修正方法能够简单、有效地提高PSD激光三角位移传感器的测量精度。     

静电危害及防护

为了避免静电在电子产品生产中的不良影响,在分析静电产生的原因及造成的危害的基础上,从导电体、绝缘体两个方面,有针对性地采取接地、静电屏蔽、离子中和等静电防护方法,有效地降低了电子产品的不良率及失效率,提高了电子部件质量。实践操作证明,静电对电子产品的损害可通过科学的操作方法、严格的管理制度消除。