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Cu合金在真空小间隙下的击穿表面特征 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了真空Cu,CuCr3和CuCr50合金在真空小间隙下的击穿强度和击穿后表面组织特征,认为个同成份的合金由于表面熔化层快速冷却时产生的不同表面组织形貌特征是影响其击穿强度的一个重要原因。 相似文献
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探索提高真空击穿阈值的方法,对脉冲功率技术的发展和应用具有重要意义。在金属表面电子发射理论分析的基础上,采用有限元法计算电极表面电场随二极管电压的变化规律,设计实验系统,并开展实验研究。实验对比钛合金TC4阴极在不同表面粗糙度下真空击穿阈值,实验表明,当阴极表面粗糙度(轮廓最大高度Rz)分别为26.13 m,10.41 m,6.75 m,1.12 m,0.13 m时,击穿阈值分别为306 kV/cm,345 kV/cm,358 kV/cm,392 kV/cm,428 kV/cm。当Rz由26.13 m减小至0.13 m时,击穿阈值提高39%。金属表面击穿阈值随Rz减小而提高,减小金属表面的Rz,是提高真空击穿阈值的有效方法。 相似文献
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在Paschen定律基础上,使用计算出的表面放电型ACPDP的击穿电压数据,拟合实验测得的ACPDP显示屏内Ne Xe混合气体的击穿电压特性曲线(Ub~pd),从而确定了击穿电压(Ub)和MgO介质保护膜有效二次电子发射系数(γeff)之间函数关系式中的相关参数,并由此关系研究了老炼过程对表面放电型ACPDP显示屏内MgO介质保护膜γeff的影响.结果表明,老炼开始时,击穿电压随着老炼时间的延长迅速降低,2 h后击穿电压逐渐趋于稳定.与此对应,MgO介质保护膜的γeff会随着老炼时间的延长迅速增大并在2 h后趋于稳定.当Xe的含量从0.5%升高到4%时,击穿电压会随着Xe的含量升高而升高,而γeff会随着Xe的含量升高而降低.本文使用的计算γeff的方法可以用于计算ACPDP屏内介质保护膜的γeff. 相似文献
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我们用一个高清晰度的双筒摄像机(ICCD),通过一些试验来研究真空断路器的延时击穿现象,延时击穿可以引起电弧重燃,导致开断失败,这种开断失败比较少见,它可以由好几种机理产生,本文介绍了研究这种特殊现象的方法,并且展示了击穿发生的初始阶段电弧的图象。 相似文献
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就高压真空绝缘来说,导致真空电击穿的过程尤其是在大触头开距和长延时情形下的击穿过程,到目的为止尚有诸多不明了的地方。近期的测量结果表明,机械冲击是导致间隙击穿的原因。击穿几年在原始触头条件下最高,而在经过大电流燃弧后有所降低。非金属杂质和遥机杂质在击穿过程中起着重要作用。与可式真空灭弧室相比,商用真空灭弧室没有对机械冲击表现出任何敏感性。除了击穿几率与延时之外,我们也对击穿过程中的暂态电压和电流进 相似文献
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大功率微波真空电子学技术进展 总被引:8,自引:0,他引:8
本文综述了近十年来微波真空电子技术进展,由于其在现代军事装备中的重要作用和近十年来技术上取得的进步,使微波真空电子器件在未来30年中仍然是国防装备的核心器件.大功率行波管、微波功率模块(MPM)、多注速调管、回旋管和微型真空电子器件等是正在发展中的重要器件;真空电子器件和半导体器件之间的相互结合与渗透,必将建立兼有两者优点的、性能更加优良的新一代大功率微波电子器件. 相似文献
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实验研究了在He、Ne、Ar中低气压低频介质阻挡放电的击穿特性.这种介质阻挡放电的电流波形是一系列脉冲,它是由外电场作用下的电子繁流和壁电荷电场对繁流的猝灭作用的结果.考虑了击穿过程中带电粒子的扩散损耗,实验研究和理论分析表明其击穿电压明显高于按Paschen定律计算所得结果,并分别依赖于气压和极间距离,而不是两者的乘积.离子诱导二次电子发射系数和击穿瞬间的电子平均能量也可用测量其不同极间距离的击穿特性来近似地确定,本文讨论了这种放电击穿特性的实验结果和理论分析. 相似文献
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金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应.目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应(短路失效)的研究较少.研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始发生的瞬时电介质击穿(TZDB)效应和测试过程中产生的时间依赖性电介质击穿(TDDB)效应.此外,电介质层材料的介电常数值越高,其耐电介质击穿的能力越高.析出效应的监测电场强度的设定值应该同时考虑电介质层材料与测试结构的特性,监测电场强度的设定范围建议为0.15~0.24 MV/cm,以防止在析出效应监测过程中发生电介质击穿,混淆两种不同的失效机理,造成误判. 相似文献
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A surface micromachined piezoresistive pressure sensor with a novel internal substrate vacuum cavity was developed. The proposed internal substrate vacuum cavity is formed by selectively etching the silicon substrate under the sensing diaphragm. For the proposed cavity, a new fabrication process including a cavity side‐wall formation, dry isotropic cavity etching, and cavity vacuum sealing was developed that is fully CMOS‐compatible, low in cost, and reliable. The sensitivity of the fabricated pressure sensors is 2.80 mV/V/bar and 3.46 mV/V/bar for a rectangular and circular diaphragm, respectively, and the linearity is and for these two diaphragms. The temperature coefficient of the resistances of the polysilicon piezoresistor is to per degree of Celsius according to the sensor design. The temperature coefficient of the offset voltage at 1 atm is 0.0019 mV and 0.0051 mV per degree of Celsius for a rectangular and circular diaphragm, respectively. The measurement results demonstrate the feasibility of the proposed pressure sensor as a highly sensitive circuit‐integrated pressure sensor. 相似文献