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离子敏场效应晶体管pH电极 总被引:3,自引:0,他引:3
以美国利诺公司Durafer pH电极为例,介绍了工业在线用离子敏场效应晶体管(ISFET)固体pH电极的基本工作原理和结构;给出了温度、响应速度、稳定性、精度等主要技术指标的试验数据;指出了使用中应注意的一些问题。 相似文献
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研究碳化硅结型场效应功率晶体管的静、动态性能及仿真模型,针对高速开关时的碳化硅器件开关震荡,提出有效抑制震荡与减小容性电流影响的碳化硅功率晶体管驱动电路.在分析器件半导体物理结构、测量碳化硅器件特性参数的基础上建立器件仿真模型,通过器件开关特性的仿真,分析了电路的驱动电压、开关速度、dv/dt及不同的驱动情况下对驱动电路压降的影响.结果表明,碳化硅结型场效应功率晶体管具有通态电阻低、损耗小、开关速度高的特点,驱动电路能有效地工作于高频状态下,开关震荡小,有利于器件应用在高性能的电力电子装置中. 相似文献
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OEM硅压力传感器温度补偿技术研究 总被引:4,自引:2,他引:4
OEM硅压力传感器除具有普通扩散硅压力传感器的灵敏度高、稳定性好等优点外,还具有体积小、人格低廉易于批量生产等特点,成为市场的主导产品,文中对多种OEM硅压力传感器的温度特性曲线及其补偿电路进行测试、比较、分析,对传感器温度曲线可补偿性进行研究,实现了低温度系数厚膜网络温度补偿。 相似文献
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温度对测量重复性精度和复验性精度的影响是非常重要的,经常是苛刻的。在得到有效的处理以后,它们常常忽略不计。 相似文献
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主要提出了一种以微处理器为核心的基于AT切晶体谐振器的新型微机补偿晶体振荡器(MCXO).介绍了其系统构成和补偿原理,并给出了补偿结果.该系统采用微处理器进行曲线拟合运算,并输出用于补偿的可调脉宽波,来代替传统的微机补偿晶体振荡器[1~2]中所采用的大容量的存储器(EEPROM)和模数转换器(D/A),而且还省去了传统的微机补偿晶体振荡器中通常使用的直接数字频率合成器(DDS)、混频器(Mixer)、鉴相器(PD)等.该振荡器可在-40℃-+70℃范围内稳定工作.补偿后的频率-温度稳定度可达±1.5×10-7. 相似文献
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研究了HEMT嵌入式微加速度计在不同偏压下的温度效应.研究结果表明由于选择的偏压不同,输出电流的温度系数大小不同.其主要原因是漏极电流的温度效应由迁移率的温度系数和阈值电压的温度系数共同决定,两种效应一正一负,根据选择偏压大小,可以调整各自的贡献,确定合适的工作点,从而减小电学参数的温度漂移,甚至可以使某些电学参数的温度系数为零.因此,以HEMT作为微传感器的敏感单元,可以在较宽的温度范围内工作,解决由于温度的影响所带来的测量误差,为温度难以控制的恶劣环境的测试提供一定的依据. 相似文献
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巫忆陵 《仪器仪表与分析监测》1990,(1):51-51,30
一、问题提出在酸度计中,温度对斜率温度系数项有较大影响。温度每改变1℃,电极电位值变化0.1984mv,故需增设温度补偿器加以补偿。一般的酸度计采用的温度补偿方法有两种,一种方法是用一系列标准电阻或分压器,使1pH的信号经放大后,乘以系数(273 t)/273。第二种方法是将一仔细选择的热敏电阻串入放大器反馈回路,使放大倍数跟温度改变,从而达到补偿目的。但前者不能连续补偿,且操作时较麻烦,若在测试过程中温度发生变化,可能不易及时发 相似文献
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双极型晶体管温度特性的Multisim仿真研究 总被引:4,自引:0,他引:4
基于Multisim仿真分析,研究了双极型晶体管参数的温度特性。通过数据仿真和曲线拟合得到了双极型晶体管参数温度特性近似方程。分析了2种不同偏置的电压放大电路的温度性能,为掌握电路系统的温度漂移,优化系统性能提供设计依据。 相似文献
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张伟 《工业仪表与自动化装置》1991,(3):29-31,25
本文介绍了生产中实用的扩散硅式变送器电路、新的硅杯电阻测试方法、零点的两点式温度补偿以及三点式补偿、变送器误差修正法量程补偿、量程锅底型温漂的补偿以及迁移温漂补偿。 相似文献
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手提弹簧度盘秤存在的温度误差使其该秤计量精度达不到国家规定的精度标准。针对这一课题,作者经过一年多的艰苦努力,研制成功了新的温度自动补偿技术,本文从理论上、技术上和主要结构特点对这种温度自动补偿机构工作原理和工作特性做以介绍。 相似文献