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相似文献
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1.
设计了一种高性能的DC-DC转换器.该DC-DC转换电路采用了差分结构及反馈网络来提高电路输出的稳定性,并且采用了带隙基准以提高温度特性.具有结构简单、速度快、驱动能力强、功耗低等特点.采用0.6μCMOS工艺模型以及Hspice仿真工具的仿真结果显示,当输入电压从4.4V-6.1V变化时,输出电压可以稳定在3V.  相似文献   

2.
介绍了一种十级12位50M Sample/s CMOS流水线A/D转换器的设计.该设计方案采用了全差分采样/保持电路和折叠式共源共栅运算放大器,保证了处理模拟信号的精度与速度.自举MOS开关和双差分动态比较器的使用,提高了电路的精度与速度,每级电路基本一致,简化了电路设计.  相似文献   

3.
针对目前直流升压转换器输入电压越来越低的要求,本文提出了一种基于0.35-?m 3.3/5-V CMOS工艺的直流升压转换器的新颖的1-V启动电路.这种启动电路能将一个低的输入电压提升到一个能为转换器的主控电路所用的比较高的电压.这个启动电路最小的输入电压可以低至1V.仿真结果表明当输入电压低至1V时启动电路也可有效的将输出电压提升到高电压.并且此启动电路可应用于多种需要低压启动的直流升压转换器中.  相似文献   

4.
根据一种时间数字转换器的结构和性能,提出了组成全数字锁相环重要模块——时间数字转换器的设计方法。首先,设计出TDC模块的电路构成;其次,采用千分尺算法对电路信号进行设计和较正;最后,通过PSPICE仿真环境对电路图的设计,测出TDC的精确度,测得在CMOS环境下时间延迟的线性趋势。实验结果表明,与已有的时间数字转换器相比,该千分尺算法应用于TDC模块的设计,可以使时间数字转换器的性能有较大提高。  相似文献   

5.
《电子技术应用》2017,(1):68-71
设计了一种低功耗16位100 MS/s的流水线A/D转换器。通过采用级间电容缩减技术,并优化增益数模转换器(MDAC)的结构,降低采样电容的面积。流水线前两级采用高性能低功耗运算跨导放大器(OTA),通过动态偏置技术进一步降低功耗。芯片采用0.18μm混合信号CMOS工艺,1.8 V单电源供电。经测试,流水线A/D转换器在5 MHz的输入频率下,信噪失真比(SNDR)为74.2 dB,无杂散动态范围(SFDR)为91.9 dB,整体功耗为210 mW。  相似文献   

6.
李新  洪婷  高加亭 《微处理机》2009,30(5):13-15
基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准.结果表明,在温度-25℃~125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db.该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源.  相似文献   

7.
0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中.使用0.18 μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源.  相似文献   

8.
<正> 进入90年代以来,由大规模集成电路构成的数字电压表(DVM)、数字多用表(DMM)、高档智能数字多用表、专用数字仪表大量问世,标志着电子测量领域的一场革命,也开创了现代电子测量技术的先河.A/D转换器是数字电压表、数字多用表及测试系统的“心脏”.目前国内外生产的A/D转换器已有近百种,大致可分成五大类:①单片A/D转换器;②单片DMM专用IC(内含A/D转换器,下同);③多重显示仪表专用IC;④专供数字仪表使用的用户特制集成电路(ASIC);⑤其他通用型A/D转换器,这种芯片仅完成模/数转换,不能直接配数字仪表.本文试对第①~④类产品的发展与应用作一综述.1 A/D转换器的分类1.1 单片A/D转换器所谓“单片A/D转换器”,是采用CMOS工艺将  相似文献   

9.
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,采用分段型电流舵结构,设计了一种基于3.3 V模拟电源电压、1.8 V数字电源电压的12位500 MS/s的D/A转换器。仿真结果显示,在采样率为500 MS/s、输入信号分别为70 MHz和240 MHz时,D/A转化器的SFDR分别为89.9 dBc和77.6 dBc。  相似文献   

10.
设计了一个可以集成在CMOS有源像素传感器列信号处理电路中的5位逐次逼近型模数转换器.在系统的内部实现了相关双次采样电路,有效地抑制了固定噪声.前端采样器与ADC并行工作,避免了并行延时,显著地提高了信号转换速度,采样率达到了4 MS/s.连续采集数据时可以根据输入信号的大小自动决定工作与否,大大地降低了系统功耗.工作时模拟部分的功耗小于300 μW.采用0.35μm CMOS工艺设计,系统的整体大小仅为25μm×1 mm.  相似文献   

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