晶体定向切割的精密光学方法

在半导体工艺中，单晶定向切割是晶体加工的基本工序之一。半导体激光器的效率和外延层的质量都依赖于衬底的定向精确度。     

高质量半导体激光晶片液相外延研究

以GaAs单晶为衬底的GaAlAs三元系红外光短波长双异质结半导体激光器,目前已走上实用化阶段.这种激光器的各种特性参数已基本上能满足应用系统的需求,它的应用开发领域正在越来越广.但是,这种半导体激光器目前还相当昂贵,价格远高于象晶体管之类的半导体器件,主要是因为制造的成品率很低,重复性和均匀性很差.为使这种半导体激光器更广泛地走向实用化,必须找出高可靠性高成品率和重复性好的器件制造方法,其中关键的技术是激光晶片的制造.我们采用液相外延技术制作这种激     

中国电子科技集团公司第十三研究所光电产品推介

中国电子科技集团公司第十三研究所从事半导体光电材料、光电芯片及器件研制与生产30余年。专业部具有单晶衬底、材料外延、芯片、封装、应用全产业链技术及产品研发与生产能力,拥有3英寸和4英寸均兼容的专用光电芯片工艺线、大功率半导体激光器封装工艺线和先进完善的检验检测设备,能满足多种光电芯片及器件的科研生产。现有产品包含功率激光器芯片、光通信激光器芯片、光通信探测器芯片。     

图案化量子阱半导体注入式激光器

贝尔通信研究所报导的一种图案化新颖量子阱半导体激光器是在沟槽衬底上生长出非平面化量子阱单晶层、利用非平面化量子阱层厚度横向变化而实现横向载流子和实数折射率的波导。这种结构引人注目的优点，就是只需一次单晶生长就可制作出常规必须两次单晶生长并继之以腐蚀技术才能实现的隐埋异质结构。     

基于单晶光纤的固体激光器研究进展

单晶光纤激光器在激光医疗、激光成像、光电对抗以及人眼安全测照等领域具有重大的应用价值,近年来成为新型固体激光源研究的热点.文章介绍了单晶光纤的制备方法,分析了单晶光纤激光器的工作原理,着重阐述了连续单晶光纤激光器、调Q单晶光纤激光器及种子注入单晶光纤激光放大器的技术方案和最新研究进展,讨论了单晶光纤激光器的优点和劣势,并对单晶光纤激光器的进一步发展进行了展望.     

国内首次获得3μm波段PbCdS半导体激光器

中国科学院上海光机所半导体研究室于1987年3月26日在国内首次成功地获得了辐射波长为3μm的PbCdS半导体二极管激光器。该激光器的工作物质是采用水平无籽晶汽相输运技术生长的N-Pb_(0.97)Cd_(0.03)S单晶和自扩散及光刻工艺制成的台面二极管。二极管安装在致冷器的热沉上,在脉冲电流驱动下工作。     

可见光半导体激光器的发展现状

目前,电视唱片再生以及激光印刷等方面用的光源,几乎都是使用以He-Ne激光器为中心的气体激光器。但是近几年来,随着800毫微米波段近红外半导体激光器的迅速发展,自然提出了用可见光半导体激光器取代上述气体激光器光源的要求。与气体激光器相比,半导体激光器具有体积小、工作电压低、能直接高速调制、便于集成化等优点。虽然也可以使用红外半导体激光器作为上述光源,但若使用可见光半导体激光器,则直     

有机-无机杂化钙钛矿激光器的研究进展

有机-无机杂化钙钛矿具有载流子扩散长度长、发光效率高等特点,是一种性能优良的半导体材料,也是一种极具潜力的激光增益介质,受到了光伏、激光等多个领域的广泛关注.概述了利用有机-无机杂化钙钛矿作为增益介质研发的薄膜型多晶钙钛矿激光器、单晶钙钛矿激光器以及微盘钙钛矿激光器的研究进展.介绍了具有优异的电学性能和光学性能的有机-无机杂化钙钛矿制备方法,分析了影响有机-无机杂化钙钛矿激光器性能的主要因素.结果表明,相对于其他类型的激光器,单晶钙钛矿纳米线结构具有更低的激光阈值、更窄的光谱宽度,是实现纳米激光的最佳选择之一.此外,针对有机-无机杂化钙钛矿激光器目前存在的钙钛矿材料的降解、实现电泵浦激光所需电流密度高等问题,对今后钙钛矿激光器的研究重点和发展趋势进行展望.     

连续寿命超过一千小时的半导体激光器

日本NTT公司最近宣布该公司研制成世界上第一台以单晶硅为基材的连续工作寿命超过1000小时的半导体激体光器。 由于这种激光器以单晶硅为基材,因此就有可能开发成一种将激光器与相关电路制作在同一块单晶片上的光-电子集成元件,光-电子集成元件将能使集成电路间的电信号由光信号替代,光学连接的集成器件信号处理速度可大     

大功率半导体激光器的最新进展

围绕美国国防先进技术研究计划署（Defense Advanced Research Projects Agency）的军事项目——超高效率激光器光源（SHEDS）,分析了半导体激光器的损耗机制,从降低半导体激光器电压压降、减小内建电压、减小损耗、优化半导体激光器结构以及横向布拉格谐振腔等方面阐述了提高半导体激光器效率和输出功率的途径,介绍了稳定半导体激光器激射波长的一些技术方法。     

国外几种新型半导体激光器的研制动态

一、引言随着半导体激光器应用领域的不断扩大,国外各种新型半导体激光器也相应得到了迅速发展。新结构、高性能的器件层出不穷。本文就国外近两年来几种新型半导体激光器——大功率半导体激光器、单模激光器、可见光激光器、量子阱激光器和解理耦合腔激光器的研制状况、发展水平以及未来趋势作一介绍。     

基于像散曲面微透镜的半导体激光准直研究

为了实现半导体激光器的光束准直,分析了半导体激光器光束沿快、慢轴方向的准直原理。采用单个半导体激光器作为被准直单元,提出了基于像散曲面微透镜的半导体激光器光束准直方法。讨论了半导体激光器填充因子对像散曲面微透镜准直性能的影响。对填充因子0.5的半导体激光器进行模拟验证。准直后,快轴方向剩余发散角约为0.34,慢轴方向剩余发散角约为2.69。结果表明,像散曲面微透镜不但可以对高填充因子的半导体激光器光束进行准直,而且准直后出射光斑面积小。该研究为高功率半导体激光器堆栈光束的准直提供了可行性方案。     

高功率半导体激光器的高性能化技术

1　前言近十年半导体激光器的绝对功率显著提高 ,单条实用功率达数瓦 ,叠层型激光器已获得数百瓦连续振荡功率。因此半导体激光器不仅在光通信和信息处理应用领域发挥作用 ,而且作为高效率光能源也正发挥重要作用。使用红外固体激光器和固体激光器的可视分离约束异质结构 (SCH)激光器 ,正从灯抽运迅速转向高功率半导体激光器抽运。即使是掺 Yb或 Er光纤放大器和光纤激光器也必须用半导体激光器抽运。尤其是双包层光纤激光器 ,由于高效率耦合高功率半导体激光器的结构 ,获得了 1 0 0 W以上的基横模输出。又由于聚焦数百瓦至数千瓦以上半导…     

强度反馈半导体激光器的量子噪声

本文提出了强度反馈半导体激光器的模型,分析了其量子噪声。分析表明:该半导体激光器的量子AM噪声性能优于普通半导体激光器的AM噪声性能。     

大功率半导体激光器阵列的封装技术

半导体激光器阵列的应用已基本覆盖了整个光电子领域，成为当今光电子科学的重要技术。本文介绍了半导体激光器阵列的发展及其应用。着重阐述了半导体激光器阵列的封装技术——热沉材料的选择及其结构优化、热沉与半导体激光器阵列之间的焊接技术、半导体激光器阵列的冷却技术、与光纤的耦合技术等。     

半导体激光器模组的设计

设计了一种半导体激光器模组以满足实际应用的需要.在半导体激光器模组设计中,激光器选择、光学系统设计、激光器电路设计与"邦定"技术是模组设计的关键部分.论述了半导体激光器原理,介绍了半导体激光器模组光学系统与电路设计,阐述了模组设计中"邦定"技术的工艺流程与关键技术.模组中半导体激光器的波长为635nm,驱动电源在3V～ 5V之间,激光功率在2mW左右,光学系统由一个双胶合透镜和一个正透镜组合而成,设计研制的半导体激光器模组满足设计要求.     

国外可见光半导体激光器概况

一、可见光半导体激光器的提出 随着对半导体激光器应用研究的不断深入,要求其波长向长波和短波两方扩展,于是人们着手研究光通信光源用的InGaAsP系长波长半导体激光器和光信息处理光源用的可见光半导体激光器。在可见光半导体激光器问世以前,光信息处理,光印刷,视频唱片等的光源均采用波长为632.8nm的He—Ne气体激光器。随着红外光半导体激光器的发展,逐渐提出了用可见光半导体激光器取代可见光He-Ne气体激光器的要求,因为前者比后者具有无可比拟的优点,例如体积小,工作电压低,适于高速率调制工作,有利于集成     

半导体激光器电源中的保护技术

在设计半导体激光电源时，利用继电器的工作特性对半导体激光器实施有效保护，可提高半导体激光器工作的安全性和延长激光器的使用寿命。     

光纤半导体激光器温度智能控制系统设计与仿真

针对光纤半导体激光器温度控制装置温度调节非线性、滞后、范围较窄、精度较低的问题,设计光纤半导体激光器温度智能控制系统。采用STC89C52单片机微处理器控制温度的方法,用温度传感器DS18B20采集半导体激光器的温度传送给单片机,通过PID数字控制,控制半导体制冷器的工作。使半导体激光器的温度稳定到设定值。通过Protues仿真结果表明,设计的系统温度控制的范围较大,检测控制速度快,精度高,给现代光纤半导体激光器温度的智能控制提供一种可行方案。     

冲击电流驱动下半导体激光器的快速响应研究

基于半导体激光器的单模速率方程,采用典型参数对其进行建模仿真,仿真结果表明:半导体激光器在初期的光子受激辐射速率随着注入电流的增大而增加,上升时间随着注入电流的增大而减少。但对于固定功率限制范围的半导体激光器,不能通过直接增大注入电流来减少上升时间,考虑到半导体激光器的发热问题,提出了一种在正常脉冲发光电流前端加入冲击电流来减少半导体激光器发射脉冲上升时间的方法,保证了半导体激光器的稳定输出。通过仿真对该方法进行验证,并对型号为PLTB450B半导体激光器进行了测试。仿真结果与测试结果均表明:通过加入冲击电流的方法,可以大大减少固定功率的半导体激光器发射脉冲的上升时间。