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正日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占位面积的-30 V器件,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30 V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量,其12 V VGS使器件在-3.7 V和-2.5 V下具有更低的 相似文献
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3000W NHC3011-6AC/DC电源面向RF放大器、激光器和加工机械等需要大功率和高可靠性的应用.其MTBF超过70万小时。该装置可用180V~264V输入电压,提供28V输出电压和高达107A输出电流,50℃以内额定值不下降。 相似文献
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●不失真输出功率:≥50W/4O、8O(单端甲类)●最大输出功率:300W●频率响应:10Hz~25kHz●输入灵敏度:0.55V/250kQ●信噪比:85dB●尺寸(W×DXH):775mm×460mm×315mm●重量:约78kg. 相似文献
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Linear Technology 《今日电子》2010,(9):65-66
LT6654专门为在-40~+125℃的温度范围内准确工作而设计。这个电压基准兼有0.05%初始准确度、10×10^6温度漂移和仅为1.6×10^6的低频噪声。LT6654可在比输出仅高100mV的电源上工作,而且在电源电压高达36V时保持仅为5×10^-6/V的电压调节误差。其他特性:1.6×10^-6PP噪声(0.1~10HZ);±10mA吸收和供应能力;100mV压差电压;电源电压高达36V;负载调节:8×10^-6/mA(最大值);电压调节:5×10^-6/V(最大值);现已提供2.5V电压版本。 相似文献
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