1988年总目录

(前一数字为期号,后面数字为币次)良 (一)系统与管理关于申请1987年度部级科技进步奖的说明”一(1一封二)1986年度广播电影电视部科学技未进步奖 评审结果:.“。”。..0..。”。:.“。:.“.“.“.”一”.(1一1)调频广播,益网规划技术政策..,~部科技委文件(1一3)关于增加广播电视节目的直播 时闻”·“··...·“···..·“一‘“一部科技委文件(卜5)关于中波调衡立体声试脸”··一~部科技委文件(卜8)关于软件产品的甘珍,:.“‘“.“‘~部科技委文件(1一9)广播电形电视系绕的实时控制徽机选型 耍求..…。“。“.”。...~~·”~部科技委文…     

目录(第一卷第1期至第6期)

编者的话,,··…‘’‘””’“’‘’‘”’编者的话·……’‘”“”’‘””’‘’致四川激光界的同事们的信(1一插页)(2一插页)··一(5一1)综合评述重复频率YAG激光器的简单设计激光器件的进展···············……从微波激射器到激光器······……激光技术发展状况及趋势浅析…(1一1)‘(2一1)(4一1)4(5一2)科研成果近程激光测距机用的YAG激光器实验总结…He一e激光管中的一些工艺问题··········一关于布儒斯特窗的几个问题··················……利用格兰棱镜藕合的腔内双通二次…     

电气测量技术及仪器

rM93夕4〔抖是公/J半导体致冷器八T·Q参数智能测试系统/迟泽涛(黑龙江省计算机应用开发研究中心)刀红外技术一1993,15〔4)一17~l() 文中深人分析了半导体致冷器(温差电致冷组件少的丁作旅理,并从理论十_讨论冲导体致冷器最大温差A丁二。、欲欠致冷星Q的测试她邢描述了最新研制成功的么丁·Q智能测试系统、图及参叉金)(金少了M930 9404127气非接触测最一空间滤波器/{:世忠即引l二轻化工学碗)刀自动化与仪表一1993,8(刃一犯一54 图3参2(会)1.卜1930 94041274测盆不确定度及其算法/何国伟lj遥测遥控一飞993,14(5)一43~45丁M93()1 9404 127…     

日立公司生产的第一代硒砷碲摄象管性能参数

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基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了高性能的Al Ga N/Ga N二维电子气(2 DEG)材料,室温和77K温度下的电子迁移率分别为94 6和2 5 78cm2 /(V·s) ,室温和77K温度下2 DEG面密度分别为1.3×10 1 3和1.2 7×10 1 3cm- 2 .并利用Al Ga N/Ga N二维电子气材料制造出了高性能的HEMT器件,栅长为1μm,源漏间距为4 μm,最大电流密度为4 85 m A/mm(VG=1V) ,最大非本征跨导为170 m S/mm(VG=0 V) ,截止频率和最高振荡频率分别为6 .7和2 4 GHz     

分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料

用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al Ga N/Ga N二维电子气材料。Ga N膜 (1 .2 μm厚 )室温电子迁移率达3 0 0 cm2 /V· s,背景电子浓度低至 2× 1 0 1 7cm- 3。双晶 X射线衍射 (0 0 0 2 )摇摆曲线半高宽为 6arcmin。 Al Ga N/Ga N二维电子气材料最高的室温和 77K二维电子气电子迁移率分别为 73 0 cm2 /V·s和 1 2 0 0 cm2 /V· s,相应的电子面密度分别是 7.6× 1 0 1 2 cm- 2和 7.1× 1 0 1 2 cm- 2 ;用所外延的 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制备出了性能良好的 Al Ga N/Ga N HFET(异质结场效应晶体管 ) ,室温跨导为 5 0 m S/mm(栅长 1 μm) ,截止频率达 1 3 GHz(栅长 0 .5μm)。该器件在 3 0 0°C出现明显的并联电导 ,这可能是材料中的深中心在高温被激活所致     

一九八三至一九八八年印刷布线板出售预测(Ⅱ)

(b)构成比印刷布线板出售预测____。_’。————‘。。。。。。——‘。-‘。●—。。’—————‘’-。‘。‘-—————一单面(无通孔镀敷) I 28.双面(无通孔镀敷) f 2.2 : I双面(有通孔镀敷) l 46。1 4 层层5"--9层板10崩¨j-(小计)金属芯接线板陶瓷板挠性板单丽双面 O。314.926.5 2.143.1、0.8i4.O77.T{ 73.0 2.3lf.0 0.1 2.25.4} 5.0 0.6 2.2『 2.0 一(100) I(93.5) (100)4.20.9 2·2 Ji6.0 1 }0.1 1 j2.00.622.i 1.73了.0 1.321。411.4O.320.0;74.3 1.533.42.417.6 1.2{0.219.4 . 3。910.3 1.55.g67.32.215.9 0.2 3.5 1.47.6…     

《世界电信》1996年(第9卷)1～6期总目录

题目作者期页全球信息高速公路的新标准””“””””““252信息化环境下的上海邮电发展策略一程锡元43日本关西宽带实验网印象““”一周利和等4. 531,41上海信息业的希望 —上海邮电公共信息网络…杨海燕623Internet的商业化及中国市场 前景分析·“·“·“·“·“·“··“·““张晓东626中国国家金融网络的规划设计和应用 ““”·“.”·“··”“““”·“··“”一丁捷630一种拨号接人Internet 的技术方案“””“””““““·北方电讯636八,41,矛工 ,‘尸、︸,1,︸,、︶l5l8,、︸,J1 4 12八“0尸」,‘,乙,妇内j尸、︶l…     

紫外薄膜损伤阈值

薄膜折射率薄膜吸收边{厚度266nm时损伤闭值薄膜材料基片仁一…一l一l一!一…一l一…一…一!止!沉积温度(“C)266fin-355nm(nm)、/4‘一,…(悲}瞥靡)功率密度峰值内电场(兆瓦/厘米2)(兆伏/厘米) …51〔,2‘溅。,)…Suprasi12Suprasi12SuprasilZ301 .341,33\1 30266{10.8士1.7450士700 .37士0.03}1651 .525l)1 605329 .4士0.34 10士100 32士0.01MZFZ3O,·“9!‘·“8、,。:1 1.6。>1]5,a妇3{supra,‘,“}”0ThOZ)Dyn一‘,,。。。{2。。、2叮一下亏石价痴丁丁丽)13苏26625068士073 10士300,30土0 .0267士06280士300 .26士0 .012 .025029…     

《电讯技术》1982年目录索引

笛1一夕如‘沪尸.子J月一/y书计算机辅助网络优化设计译文辑网络的机助设计和优化方法评述·,..··········..···……八·…‘·,·。·…〔1)计算机辅助网络优化技术发展现状二八一应一耘一币一“…洁·;认二‘一(肚)用于计算机辅助设计的优化方法“、‘,爪而·、二‘···,:’.i每二“·····,·一·一(82)电子电路优化技术综述··…、·。··,·······..·················,··,·········一(116)5入计算机辅助电路设计的优化6、优化技术·····.............……7、全域优化的一…     

松下NV—L15型录像机多用解码器组件原理图

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互动·手机秘笈

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电子商情网

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Microelectronic technology Vol.30, No. 1-6 Contents Indes (2002)

No.PageStudy uil Theory(】f the Edge—cr(~wding Effect()f Emkter Current in Bil~~[ar TIaF~S{S111r aBd its Apphcation【(}Ma吣Production ·-······-········…-t············_t····‘‘…··········…‘…·’SHI i.in—chu.DU Xing—yao,LU Wen—sheng et}ll 一 (1)Micro—COII[I。oiler m1(J its Devel01)ing’I'rend(Part A)JU Shui一17()1lg,HU Qing—cheng,XU Ek)ng—yan一 (q)Fabricale 15ifI i30e Ferrtxelectric‘Fhin Film with M(X~VD and RAT Melh~xl…     

国外炮兵用激光测距机

毫秒脚脚徽 性能砂一__作用距测距笆离(米)度(米){距离分} 辫率.侧角(密位)激光光束发散角冲宽(米)}方位高低梢度}晶体」(奄弧度,}重复频率(次/分) 、愉出能tQ开关 一(毫焦耳)一·25 一︸.知一一﹃﹄一︸片廿 1占一﹄勺一月才一一。一,二一. 一。一匕一一︸.︸一自甘 一l一﹄U一一|一一二…二…一…二卜:…二250~l工尸1 1.。。l。。‘。{八‘八户l工0 1 10,弓UUllJ弓Ull”,”,。1】}}}红宝石转镜Nd:YAG口-UALlll05. 300~10,000士810}6,400土300转俄 UAIJll501.(瑞典/南斯拉夫) 达15,000士106,400士400新式炮兵激光 测距机.200~9,995…     

半导体技术1989年1～6期题目索引

题 目 期 页 综 述彩电国产化中的半导体分立器件 ””·“’”‘·’“·’‘…·‘”·‘…………·、…·,·(-1)光诱导化学气相淀积(LCVD) 技术的研究进展…………··、.、…·(二1)半导体功率器件发展概况—…………·(三1)InsbCID焦平面器件中介质膜的制备 和应用………………………………(三10)制作隐埋异质结半导体激光器的新途径 ”’”’”“‘””…’··’…”…··’…………··(四1)双极＊oS复合器件及其发展动向 ”’”’”’“·”””“”…·’··’…‘··‘…’………·‘··(四5)     

重庆光电技术研究所产品价目表(1986年起实行)

、发光二极I(LED):Pf‘,匕型号或名称山争值波长人P(拜m)i普线宽度△入 (A)截止频正向压」反向压寿命率fC降VF降V、T(MHz)(V)(V)(,l、}}J标准梯!佗光纤 芯{盛价)(I乙,n)劣戈丫亡羌孔丫 N八{纤功率单价 (事乏w)(少已)nUn甘八︺八︺nU nn甘10一60 80 90 00 2050。一…0。855 000 .2士。·。2}GF222一A侧If!l朴0。855C0>10‘50/1 25’0.2士。.。:…,“‘…5“/‘25,。·2土“·02{SC~6060~7070~8080~90gC~l匀0)1 0050~6030~40600一行一一l.3长波长发光二极管{)101 200召梦致冷器组件1 500,:GF222一A型按GF21卜A型出纤功率,协档依…     

RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;Ga N (0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6′;Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730 cm2 /(V· s) ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 1 2 cm- 2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0 m S/mm (栅长 1μm) ,截止频率达 13GHz(栅长 0 .5 μm)     

《广播与电视技术》1990年总目录

(前一数字为期号,后面数字为页次) (一)系统与管理_电视广播技术的萦荣和发展··..··.“.”一潘振昌(卜1)计葬机回点病毒的寻找与消除..…“一~李晴(2一22)亚洲卫星i号简介”.“.”。..0..0..。“二。~俞德育(2一扉四)为九十年代广描电形电视的更大发展而努力 ”,.“‘”.“…”二““.“.“.“,“.”。..。川章之俭(3一5)通过国内实用通信广播卫星转发器传送广播电视 节目的时间安排和搜收频率..。“.….活宗华(4·2)广摇电影电视部科学技术进步奖1989年度授奖 项目“…“二。“。“。:.“...…“.“。“.”.”.“.“.(心一5)计算机病毒…     

1988年《通信保密》著译文总目录

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