低辐射薄膜中Ag层前后介质对膜层电学性能的影响

银在低辐射镀膜玻璃中起着举足轻重的作用,银层的生长质量也决定了低辐射镀膜玻璃产品电学性能的差异。通过研究银层前后材料,在保证银层厚度不变的前提下研究材料变化对膜层整体电学性能的影响,从而反应银层生长质量的好坏。结果表明,结构为ZnSnO/ZnO/Ag/ZnO/ZnSnO时,其膜层的电学性质最为优异。     

H2O对SnO2:F低辐射薄膜结构和性能的影响

以单丁三氯化锡(C4H9SnCl3)为前驱物,三氟乙酸(CF3COOH)为掺杂元素F的引入剂,H2O为催化剂,采用常压化学气相沉积法在浮法玻璃生产线上直接制备了F掺杂的SnO2膜(SnO2:F).采用X射线衍射、扫描电子显微镜、椭圆偏光仪、紫外-可见光谱研究H2O的用量对薄膜的结构和光电性能的影响.结果表明:水对薄膜结构和性能均有显著的影响,随着催化剂H2O含量的增加,SnO2:F为四方相金红石结构,薄膜结晶度提高,致密性得到改善,膜厚有所增加,方块电阻下降.在H2O含量为1.8mol/L时效果较好.     

薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜样品。在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明：在薄膜厚度为500 nm时,ZAO薄膜具有最优化的光电性能,电阻率为1.68×10-3Ω.cm,可见光区平均透射率为90.3%。     

薄膜厚度对AZO薄膜光电性能的影响

通过射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备AZO薄膜,研究膜层厚度对AZO薄膜光电特性的影响。发现随着膜层厚度的增加,AZO薄膜在可见光区的平均透射率略微增长,而方块电阻和电阻率却显著递减,导致其品质因子随厚度增加而增加。在薄膜厚度为395 nm时,获得电阻率为3.24×10-3Ωcm,可见光区平均透射率为85.52%,品质因子为25.52×10-4Ω-1的光电性能良好的透明导电薄膜。本文制备的薄膜具有较优的透明导电性,可以广泛应用于太阳能电池、平板显示器等光电领域。     

银基镀膜玻璃耐潮性能的提高

研究了银基低辐射镀膜玻璃的受潮机理及提高银基镀膜玻璃耐潮性和耐候性的方法。在潮湿环境中,银基膜层表面易产生白点缺陷。通过对缺陷进行EPMA分析,发现银膜的受潮过程是水汽扩散进入银层,驱使银膜中的银原子发生迁移聚集,从而造成在银膜之上沉积的介质层内应力过大而脱落,形成白点缺陷。采用银掺杂的方式,可以抑制银原子团聚,降低白点缺陷,显著提高银基低辐射镀膜玻璃的耐潮性和耐候性。     

氧气对磁控溅射HfO2薄膜电学性能的影响

采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证.结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2.在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大.氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能.     

ZnO:Cd薄膜电学性能的研究

ZnO是一种宽禁带半导体材料,它是高阻材料.为了增强ZnO薄膜的导电性能,采用Sol-gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,掺镉浓度分别为2%～10%.各种浓度的样品以金(Au)作电极做成叉指电极,并用绝缘电阻测试仪对掺镉后ZnO:Cd进行表面电阻率的测试.根据测试结果对所制备的ZnO...     

浅析磁控溅射镀膜玻璃膜层的形成

通过试验数据和理论分析，详细论述了平面靶是如何将靶材粒子沉积到玻璃表面，形成均匀的膜层及其价值。     

最简配置生产低辐射镀膜玻璃

通过在美国爱柯公司离线镀膜玻璃生产线上调试低辐射镀膜玻璃,详细论述了低辐射镀膜玻璃的分类和节能原理,以及如何巧用最简单的一室三级设备生产低辐射镀膜玻璃.     

Ag基可钢化低辐射镀膜玻璃钢化性能研究

通过对Ag基可钢化低辐射玻璃产品的钢化试验,分析比较钢化前后色差、辐射率等参数的变化,研究其性能变化规律,为深加工客户提供参考。     

膜厚对GdTbFeCo非晶薄膜磁光性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了GdTbFeCo非晶薄膜,通过调节溅射时间制备出了不同厚度的薄膜,并研究了膜厚对薄膜磁光性能的影响。磁光特性测试仪的测试结果表明:溅射功率为75W,溅射气压为0.5Pa,薄膜厚度为120nm时,可以使GdTbFeCo薄膜垂直方向矫顽力和克尔角达到较大值,分别高达4575.476Oe和0.393o。能满足磁光记录材料矫顽力大,磁光克尔角大的要求。     

不同衬底上ZnO:Al透明导电薄膜的性能

室温下,采用射频磁控溅射法在玻璃和聚对苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate,PET）上沉积了掺铝的氧化锌（ZnO：Al,AZO）透明导电薄膜。通过X射线衍射仪分析不同衬底上AZO薄膜的结构,采用四探针测试仪及紫外可见光分光光度计测试薄膜的光电性能。结果表明：沉积在两种衬底上的AZO薄膜都具有六方纤锌矿结构,最佳取向均为[002]方向;玻璃衬底和PET衬底上制备的AZO薄膜的方阻分别为19/sq和45/sq,薄膜透光率均高于90%。实验表明,柔性衬底透明导电氧化物薄膜可以代替硬质衬底透明导电薄膜使电子器件向小型化、轻便化方向发展。     

Structural and Electrical Characteristics of ZnO Thin Films on Polycrystalline AlN Substrates

Fostered by the increasing use of AlN in highly thermally conductive electronic packages, it is attempted to grow ZnO thin films on polycrystalline AlN in the present work. Effects of the polycrystalline substrate on the structural and electrical properties of the ZnO films are highlighted. The ZnO films are synthesized by low-cost spin-coating technique from a precursor solution containing zinc acetate, 2-methoxyethanol, and monoethanolamine. Structural analysis was performed using X-ray diffraction, which showed all the films to be polycrystalline of hexagonal phase with no preferred orientation, in sharp contrast to numerous reports of strong c -axis orientation on glass substrates. The films, which were heat-treated at 700°C followed by firing in nitrogen containing 5% hydrogen at 500°C, exhibited better crystallinity and dense microstructure among all the samples and had the lowest resistivity (1.36 × 10⁻¹Ω·cm). The minimum resistivity obtained in the present work is comparable to the values reported for the films grown using similar technique, thus indicating the negligible dependence of electrical properties on orientation of the films.     

退火处理对玻璃表面沉积的ZnO薄膜微观形貌与性能的影响

以Zn(NO3)2·6H2O为前驱体,采用超声喷雾热解法在500℃下、在钠钙硅浮法玻璃衬底上制备了ZnO薄膜.分别在不同温度(500、550、600℃)和不同时间(30、60、120min)对制备的ZnO薄膜进行了退火处理.研究退火条件对ZnO薄膜微观结构、形貌以及光学性能的影响.结果表明:退火处理能提高ZnO薄膜的c轴取向;随着退火时间的延长,ZnO薄膜附着强度随之增加,但c轴取向度呈先增强,至120min时又开始呈下降的趋势;随着退火温度的升高,ZnO薄膜的c轴取向亦出现先显著增强,之后又开始下降的趋势,同时可见光透过率亦呈相同的变化趋势.最佳退火条件为500℃温度保温60min,此时薄膜不仅c轴取向生长优势明显,结晶质量良好,表面颗粒大小均匀,致密平滑,同时薄膜的可见光透过率由退火前的70％提高到90％.     

[BN/CoPt]n/Ag薄膜的结构与磁性

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了[BN/CoPt]n/Ag薄膜,并在600℃退火30min。结果表明,周期数（n）和Ag底层厚度（x）对CoPt薄膜结构和磁性有着重要的影响,周期数适当时（n=5）有利于易磁化轴（c轴）垂直于膜面取向,从而具有高的垂直磁各向异性;Ag底层可以诱导L10-CoPt相的形成并使c轴垂直择优取向,且Ag适量时（x=10nm）其诱导效应最强。     

Impact of Hydrogen Passivation on Electrical Properties of Polysilicon Thin Films

Silicon - The effect of hydrogen passivation and heat treatments on the electronic activity at grain boundaries in thin films of polysilicon deposited by LP-CVD (Low Pressure Chemical Vapor...     

Surface Morphological and Nanomechanical Properties of PLD-Derived ZnO Thin Films

This study reports the surface roughness and nanomechanical characteristics of ZnO thin films deposited on the various substrates, obtained by means of atomic force microscopy (AFM), nanoindentation and nanoscratch techniques. ZnO thin films are deposited on (a- and c-axis) sapphires and (0001) 6H-SiC substrates by using the pulsed-laser depositions (PLD) system. Continuous stiffness measurements (CSM) technique is used in the nanoindentation tests to determine the hardness and Young’s modulus of ZnO thin films. The importance of the ratio (H/E _film) of elastic to plastic deformation during nanoindentation of ZnO thin films on their behaviors in contact-induced damage during fabrication of ZnO-based devices is considered. In addition, the friction coefficient of ZnO thin films is also presented here.     

厚度对掺铝氧化锌透明导电薄膜性质的影响

采用紫外光助溶胶一凝胶法在玻璃基底上制备了掺铝氧化锌薄膜。研究了厚度对薄膜性质的影响,结果表明：所有薄膜均由具有c轴优先生长取向的六角纤锌矿结构的ZnO晶体构成,晶体的粒径随厚度的增加而先增大,达到最大值后,不再随厚度的增加而改变;薄膜的方阻随厚度的增加先减小,在达刮最小值2．1×10^2Ω／口后,随厚度的增加又略有增大;而所有薄膜均是透明的,在可见光区的透光率〉80％。