放电等离子烧结AlN陶瓷

研究了放电等离子烧结氮化铝陶瓷的过程。通过对比掺与不掺烧结助剂的氮化铝陶瓷的两种烧结过程，指出了烧结助剂在放电等离子烧结氮化铝陶瓷过程中的作用。利用放电等离子烧结技术烧结氮化铝，在加Y2O3-Li2O-CaF2作为烧结助剂，1700℃的烧结温度，25MPa的压力下，仅保温5min，得到相对密度为97．3％的AlN陶瓷。SEM表明试样内部晶粒细小，结构均匀。实验表明：放电等离子烧结技术可实现快速烧结。     

纳米复相陶瓷材料的烧结技术

纳米复相陶瓷的烧结与普通陶瓷的烧结不同，在纳米复相陶瓷的烧结过程中需要采取相应的措施尽可能地控制晶粒的长大。目前，国内外研究者主要是通过改进传统烧结技术或采用新型烧结技术烧结制备纳米复相陶瓷。文章综述了目前国内外用的比较多的几种制备纳米复相陶瓷的烧结技术，并对其特点和应用情况进行了总结。     

放电等离子体烧结Si_3N_4-BN复合陶瓷性能研究

以Si3N4和BN粉末为原料,Si3N4-BN复合粉末中BN的体积分数分别选定为10%、20%和30%,采用质量分数为2%的Al2O3和6%的Y2O3作为烧结助剂,分别在1500、1600和1650℃,压力50 MPa,保温5 min的条件下,采用放电等离子体烧结法制备了致密Si3N4-BN复合陶瓷。XRD结果和SEM分析表明:当煅烧温度为1650℃时,复合陶瓷中的α-Si3N4已完全转变为β-Si3N4;BN的加入抑制了复合陶瓷中Si3N4晶粒的生长而使结构细化;复合陶瓷的维氏硬度和断裂韧性随BN含量的增加而逐渐降低。     

放电等离子(SPS)快速烧结TiB_2陶瓷

利用放电等高子烧结技术制备纯TiB2 陶瓷 ,烧结温度 160 0℃ ,压力 3 0MPa ,真空烧结 ,保温 1～ 3分钟 ,即可获得相对密度达 99%以上的致密烧结体。扫描电镜分析表明 :烧结体晶粒细小 ,结构均匀 ;材料的晶粒随烧结温度的提高而长大 ;但烧结体的硬度分布不均匀     

铁过量M型钡铁氧体的放电等离子体烧结合成

采用并加共沉淀法制备了名义组成为BaFe12.4O19.6的铁过量M型钡铁氧体前驱体,研究了该前驱体在放电等离子体烧结条件下的结晶行为和烧结体的磁性能.结果表明;700～850℃,烧结体均是单相M型钡铁氧体,没有BaF@204和γ-Fe203中间相结晶.晶粒分布随温度升高而显著变化,700℃时呈随机分布;700℃以上表现出择优取向.饱和磁化强度在700℃时显著增大;700～850℃时基本不变,这与烧结体的相组成随温度升高的变化规律相吻合.矫顽力随温度升高先增加后降低,与M型钡铁氧体含量增加和择优取向程度提高有关.     

采用放电等离子体烧结技术(SPS)构筑三维共价结构 碳纳米管网络

单根碳纳米管在轴向维度上具有无比优异的导电、导热以及机械性能,然而在把这些优异的材料性能向三维方向拓展时,却遇到了难以克服的阻碍。由碳纳米管构成的三维集合体,其材料性能远低于单根碳纳米管相应的材料性能,造成这种情况的主要原因,是目前三维碳纳米管集合体中,碳纳米管之间是以一种较弱的范德华力相连接的。为此本文采用化学气相沉积法,在碳纳米管上覆盖一层无定形碳,通过SPS烧结,形成由强的C-C共价键连接的三维碳纳米管网络,极大提高了材料的导电性和机械性。实验结果表明,采用先覆盖无定形碳,再在30MPa、1400℃条件下烧结而制备的碳纳米管网络,其最优电导率约为133 S·cm~(-1),其杨氏模量约为16.5 MPa。