有源OLED全p-TFT屏上驱动电路设计

为了提高显示屏的成品率,降低成本,提出了一种由全p沟道TFT构成的屏上驱动电路。基础电路部分包括反相器和移位寄存器,屏上驱动电路主要是行驱动电路和列驱动电路。行驱动电路和列驱动电路基本上都是由反相器和移位寄存器构成,全部采用p-TFT来构成驱动电路。该驱动电路工作正常,能够实现CMOS驱动电路的功能,驱动OLED器件正常发光。通过仿真验证和理论分析表明该驱动电路不仅性能稳定而且成本低、成品率高、外接引线少及外围驱动电路复杂性低。     

基于ACPL-38JT的IGBT驱动电路设计

在高性能电动车用永磁同步电机的控制中,驱动电路的可靠性设计十分重要。本文针对Avago推出的汽车汽车级光电耦合器ACPL-38JT进行分析,设计了基于ACPL-38JT的IGBT驱动电路。驱动电路包括电源电路、滞后欠压锁定电路和输入互锁电路、驱动推挽电路和驱动电阻等,最后经过带电机负载试验验证了所设计电路的正确性,所设计的驱动电路满足了高性能车用永磁同步电机驱动系统的要求。     

场发射示器矩阵寻址高压驱动电路的设计研究

提出了矩阵寻址方式的场发射驱动电路。设计出16级灰度显示的阴极驱动电路以及栅极驱动电路,并对其进行了性能仿真,仿真结果显示驱动电路性能优越。开发出与0.8μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS工艺,有效提高了驱动电路的集成度,并降低了生产成本。成功研制出用于场发射驱动电路输出端的100 V高低压电平转换电路,实验测得空载情况下电路的上升时间和下降时间分别为35,60 ns,能够满足高压驱动电路的频率要求。     

基于光耦HCPL316J的大功率IGBT驱动电路研究

本文主要对逆变器等功率装置的IGBT驱动电路进行研究,从门极驱动电压、门极驱动电阻、驱动电路功率与IGBT的关系以及驱动保护等方面分析了驱动电路的设计。最后设计了以基于光电耦合器HCPL316J的驱动电路,计算了电路的参数。通过驱动实验和短路保护实验,验证了设计的正确性。     

高端MOS管栅极驱动技术研究

高端MOS管驱动电路在高压输入大功率电源中被广泛应用。分析了高端MOS管的驱动原理,对影响高端MOS管驱动的各种因素进行了探讨,提出了适合高端MOS管驱动的基本方法。较全面地评估了传统的变压器驱动电路和自举驱动电路对高端MOS管驱动的影响,继而提出了适合高端MOS管驱动的线路结构,并采用该方案设计了一个实验电路。仿真和实验电路测试结果表明,设计电路满足要求。     

一种功率MOSFET驱动电路

提出了一种功率MOSFET驱动电路。首先介绍了MOSFET的驱动要求及驱动不足产生的影响,然后介绍了一种外置式转换驱动电压的驱动电路,最后通过仿真验证了外置式转换驱动电压的驱动电路。     

一种新型智能车电机驱动电路的设计与实现

设计了基于BTS7960芯片的电机驱动电路,详细分析了芯片的特点和电路功能。在驱动电路的输出端加入了短路自动断电．保护电路,分析了电路的工作原理。对驱动电路进行了10KHz、30％占空比的PWM驱动实验,在占室比从15％变化到40％的PWM信号驱动下,测量了芯片的温度变化,结果证明该电路能够实现设计功能并具有较好豹温度...     

IR2110在IGBT交流调压控制电路中的应用

介绍了IR2110驱动芯片的特点和功能,给出了用IR2110在PWM斩波控制交流调压电路中驱动IGBT的驱动电路,同时对该驱动电路和保护电路的可靠性进行了设计和分析。     

液晶投影系统的显示驱动电路

液晶投影系统的显示驱动电路分为取样/保持式驱动电路和锁存式驱动电路两种,本文介绍了这两种类型的典型驱动电路并对它们进行了比较.比较表明,锁存式驱动电路具有较高的优越性.     

基于IR2136与MOSFET的无刷直流电机驱动电路设计

针对传统驱动电路的设计,需要采用相互独立的电源为功率开关管供电,使得硬件结构复杂,可靠性下降,为此,基于功率驱动芯片IR2136与场效应管MOSFET,从信号隔离、三相逆变驱动、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。重点阐述了三相逆变驱动电路中的自举电路设计和功率管的驱动保护优化设计。采用TMS570控制板,对该驱动电路进行功能测试,结果表明,设计的驱动电路能够驱动电机平稳运行,且工作稳定可靠。     

A new gate drive circuit for high-speed operation of GTO thyristors

This paper presents a new gate turn-off drive circuit for GTO thyristors, which can accomplish faster turn-off switching for high-speed operation of the GTO. The switching characteristics of GTO's can be improved by use of the gate drive circuit that is able to make a very high rate of the negative gate current. The major disadvantage of the conventional gate turn-off driving technique is that it has a difficulty in realizing higher negative di_G/dt due to the maximum reverse gate-cathode voltage and the stray inductances within the gate turn-off drive circuit. This paper shows that this problem can be overcome by adding another gate turn-off drive circuit to the conventional gate turn-off drive circuit. Simulation and experimental results in conjunction with chopper circuit verify the performance of the proposed gate drive circuit     

A novel charge pump drive circuit for power MOSFETs

Novel improved power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) drive circuits are introduced. An anti-deadlock block is used in the P-channel power MOSFET drive circuit to avoid deadlocks and improve the transient response. An additional charging path is added to the N-channel power MOSFET drive circuit to enhance its drive capability and improve the transient response. The entire circuit is designed in a 0.6 μm BCD process and simulated with Cadence Spectre. Compared with traditional power MOSFET drive circuits, the simulation results show that improved P-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 60 to 14 ns, the fall time reduced from 240 to 30 ns, and its power dissipation reduced from 2 to 1 mW, while the improved N-channel power MOSFET drive circuit makes the rise time reduced from 360 to 27 ns and its power dissipation reduced from 1.1 to 0.8 mW.     

Low Cost Gate Drive Circuit for MOSFETs and IGBTs

This work presents the design and implementation of a general purpose low cost drive circuit for insulated gate electronic power devices such as MOSFET and IGBT. The proposed drive circuit implementation is explained in detail and the results and waveforms obtained when the drive circuit is used in a chopper circuit with IGBT are presented.     

LED电源驱动电路系统设计

分析了风光互补路灯的发展背景,优势及前景,并根据LED的工作指标,设计出了基于LF-F301的电源驱动电路。同时对整个驱动电路的原理进行了分析,通过优化组合开关电路和蓄电池保护电路,提高了风光互补LED路灯驱动电路的寿命以及电能利用率。     

基于SPM3智能功率模块的永磁同步电机驱动电路设计

现代工业对高密度、高效率的伺服驱动系统有大量需求,功率驱动电路是其硬件基础.基于新型SPM3系列智能功率模块,设计了永磁同步电机用驱动电路.对功率器件热问题进行了损耗计算和热路计算.将所设计的电路应用于高性能工业缝纫机伺服控制系统取得了良好的效果.     

自适应GTR比例驱动电路的分析研究

本文介绍为航空静止变流器中的直流变换器而研制的ＧＴＲ基极驱动电路。在研究了功率晶体管对基极驱动电路要求的基础上，提出了一种能适应功率管参数的离散性和进行自调节的新型比例驱动电路，并分析了这种新型驱动电路的工作原理和设计方法。     

Heric逆变器驱动电路研究与设计

传统Heric逆变器各个桥臂采用相同的驱动电路,造成保护功能的重复,文章针对Heric逆变电路上下桥臂的导通状态,对逆变器上、下桥臂驱动电路的功能进行了划分,分别设计了上、下桥臂驱动电路,使其实现互补配合的保护功能,并针对驱动电路中光耦隔离芯片输出失真的问题,在光耦输入侧加入驱动增强电路。对驱动电路进行测试,实验结果表明该驱动电路可靠性较高,在占空比变化范围较宽时失真度小,逆变器输出波形较好。     

基于ASTLC5301A的TFT LCD栅驱动芯片研究

分析薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）栅驱动芯片ASTLC5301A的原理，借助Pspice仿真工具进行驱动电路的设计，重点讨论芯片内部高低电平位移转换电路，提出改进型电平接口电路．完成高低压驱动管的尺寸和结构设计。     

基于ASTLC5301A的TFTLCD栅驱动芯片研究

分析薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)栅驱动芯片ASTLC5301A的原理,借助Pspice仿真工具进行驱动电路的设计,重点讨论芯片内部高低电平位移转换电路,提出改进型电平接口电路,完成高低压驱动管的尺寸和结构设计。