四硫富瓦烯类衍生物的合成及表征

以金属钠和二硫化碳为起始原料,合成四硫富瓦烯(TTF)锌的配合物(TTF)Zn(NBu_4)_2。其与卤代烷烃或取代类酰氯反应得到16个对称的四硫富瓦烯硫酮类衍生物,再经醋酸汞氧化分别得到16个四硫富瓦烯氧酮类衍生物,其中13个未见文献报道。操作简单且收率达80%以上,其结构经~1H NMR、~(13)C NMR表征确证。     

合成四烃硫基四硫富瓦烯的研究进展

描述了四烃硫基四硫富瓦烯的4种合成方法及其研究进展.     

四硫富瓦烯基四硫纶及其配合物的合成

以二硫化碳、N，N-二甲基甲酰胺（DMF）为起始原料，亚磷酸三丁酯为偶联剂，合成了2，3，6，7-四（2’-氰乙硫基）网硫富瓦烯四硫纶（TTFTT），并以TTFTT为桥配体、邻菲啰啉为封端配体，制得了中心金属离子为Zn^2＋、Ni^2＋的四硫富瓦烯基四硫纶双金属配合物。中间物及产物经IR和元素分析进行了结构表征，其中目标产物元素分析的实测值与计算值比较吻合，说明合成路线合理可行。     

四硫富瓦烯作为催化剂的研究进展

介绍了四硫富瓦烯作为自由基-极性交叉反应的催化剂的反应机理,以及四硫富瓦烯催化的自由基-极性交叉反应在四环生物碱等天然产物合成方面的研究进展,展望了其发展趋势。     

四硫富瓦烯基二硫纶及其配合物的合成

四硫富瓦烯-1,2-二硫纶(TTFDT)在有机金属导体领域有着良好的应用前景,通过恰当的分子设计可以开发出具有良好电导率的衍生物和配合物。设计、合成和表征了一种可作为配体前体的TTFDT衍生物,并且改进了其合成方法。     

双稠合四硫富瓦烯衍生物的合成及电化学性质

以二硫化碳、二甲基甲酰胺等为起始原料,合成了3种新的非对称双稠合四硫富瓦烯(TTF)衍生物:2-(4′,5′-二烷硫基-1′,3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-5-(4′,5′-二腈乙硫基-1′,3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯。通过元素分析、IR1、HNMR对产物结构进行了鉴定。系统地研究了这类非对称双稠合四硫富瓦烯衍生物的导电性能和电化学性质,结果表明除乙基和丙基取代的衍生物呈现半导体性质外,其他取代基的衍生物均为绝缘体。循环伏安研究显示所有化合物的电荷迁移分两步进行,但不是严格的电化学可逆。     

一种非对称的双稠合四硫富瓦烯衍生物的合成

以二硫化碳、二甲基甲酰胺为起始原料,亚磷酸三甲酯和亚磷酸三乙酯为偶联剂,利用多步Wittig交叉偶合反应,合成了一种双稠合的四硫富瓦烯衍生物2 (4′,5′ 二甲硫基 1′,3′二硫代环戊烯 2′叉) 5 (4′,5′ 二腈乙硫基 1′,3′二硫代环戊烯 2′叉) 1,3,4,6 四硫并环戊烯,该衍生物具有更为伸展的π共轭体系,因此有可能成为一种优良的电子给体。各步偶合反应的收率51 4%～82 4%。由于采用了交叉偶合反应及具有吸电子取代基,目的产物的收率高达82 4%。中间物及产物经IR和元素分析进行了结构鉴定。其中目标产物元素分析的实测值w(C)=33 59%,w(H)=2 30%,w(N)=4 18%与计算值w(C)=33 64%,w(H)=2 18%,w(N)=4 36%非常吻合,说明合成路线合理可行。     

氧化作用控制“四硫富瓦烯-葸”二元体系的荧光开关行为

利用Wittig反应将高荧光量子产率的蒽基团通过双键连接在四硫富瓦烯单元上，合成了二元共轭体系化合物TTFan．在氧化作用的控制下，四硫富瓦烯单元的给电子能力降低，TTFan的荧光发射强度增大至原来的十几倍，实现了荧光的“off-on”过程．     

“A-C≡C-TTF-C≡C-A”型四硫富瓦烯衍生物的合成与性质研究

四硫富瓦烯及其衍生物是性能优良的电子给体.本文利用Sonogashira反应将吡啶基团连接在四硫富瓦烯单元上,合成了"A-C≡C-TTF-C≡C-A"型四硫富瓦烯共轭体系衍生物4,4′(5′)-二-(4-吡啶乙炔基)-四硫富瓦烯(TTF4N).吸收光谱、电化学和Pb2+配位键合研究表明,三键作为桥基能够有效实现分子内的电荷转移.金属Pb2+离子与吡啶基团的配位能够引起TTF4N的吸收光谱、核磁氢谱和电化学性质的显著变化.     

双稠合四硫富瓦烯衍生物的制备及取代基对合成的影响

扩展TTF衍生物的π共轭体系,可以增进分子导体中分子间的S…S相互作用,改善分子导电性。基于这个目的,以二硫化碳、二甲基甲酰胺为起始原料,合成了二种双稠合的四硫富瓦烯衍生物2．(4′,5′-二甲硫基-1′,3′,二硫代环戊烯-2′叉)-5-(4′,5′-二腈乙硫基．1′,3′-二硫代环戊烯-2′叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯和2,5-二(4′,5′-二甲硫基-1′,3′-二硫：、己环戊烯-2′-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯。这两种化合物具有更为伸展的π共轭体系,因此有可能成为优良的电子给体。中间物及锄物经IR和元素分析进行了结构鉴定。同时讨论了取代基性质对双稠合四硫富瓦烯衍生物的合成收率的影响。     

基于MOFs材料的酸性气体传感器应用研究进展

采用化学气体传感器对有害酸性气体进行实时有效的监测具有重要意义.目前的传统材料在灵敏度、选择性和稳定性等方面仍存在很大问题.金属有机框架材料(MOFs)是一种具有多孔结构的有机-无机杂化材料,具有孔隙率结构丰富、孔结构可调节和比表面积大等特点,已成为当今新功能材料研究的热点.MOFs材料的优良特性为解决上述问题提供了很...     

基于薄层黑磷的电化学传感器研究进展

自2014年首次被报道以来,层状黑磷作为一种新型的二维纳米材料受到了广泛的关注与研究。层状黑磷具有比表面积大、带隙结构可调、载流子迁移率高、生物相容性好及易修饰等特点,是一类潜在的理想生物传感材料。本文将关注层状黑磷在电化学传感器中的应用,根据检测目标物的类型,对最新的研究报道进行了详细分类与讨论,主要包括气体分子、生物小分子、其他小分子、生物大分子、细胞几大类基于层状黑磷构筑的电化学传感器。重点概述了层状黑磷及其复合纳米材料的制备方法与性质,传感器的结构、工作原理与分析性能等。最后讨论了黑磷基纳米材料在电化学传感器中应用的现存问题和未来发展方向,为进一步拓展黑磷纳米材料在分析传感领域的应用提供了参考。     

金属氧化物半导体基三乙胺传感器研究进展

三乙胺是一种应用广泛但对人体有毒副作用的挥发性有机物,需要长期有效的监测,开发一种性能稳定、安全可靠的三乙胺气敏传感器,实现对环境中三乙胺气体浓度实时检测,对于三乙胺的安全储存、运输和使用等环节是至关重要的。金属氧化物半导体基气敏传感器具有制备简单、价格低廉、响应值高等优点,在三乙胺气体的检测中具有不可替代的作用。重点介绍了基于金属氧化物半导体的三乙胺传感器最新研究进展。综述了近年来包括掺杂、异质结、有机金属骨架和氧化还原石墨烯在内的关于金属氧化物半导体基三乙胺气敏材料的制备和性能等方面的研究成果。论述了金属氧化物半导体基复合材料对三乙胺气敏性能的机理。展望了金属氧化物基三乙胺气敏材料的未来研究方向。     

分子印迹在化学传感器及阵列领域的研究进展

分子印迹聚合物因其具有高选择性、预定识别性、制备简单、价格低廉等优点,成为当前研究的热点之一。本文对分子印迹聚合物在化学传感器及传感器阵列领域的应用进展进行了综述。作为选择性化学传感器,重点探讨了分子印迹聚合物在电化学传感器、光化学传感器和质量敏感型传感器中的应用。相对于分子印迹传感器,基于分子印迹聚合物交叉敏感性原理的分子印迹聚合物传感器阵列的应用较少,仅对有限例子的光化学传感器阵列进行了探讨。受益于印迹机理的深入理解,分子印迹化学传感器及其阵列将在食品分析、药物控制、环境监测等领域表现出较好的应用前景。     

Recent progress of Ga2O3-based gas sensors

In recent years, gas sensors fabricated from gallium oxide (Ga₂O₃) materials have aroused intense research interest due to the superior material properties of large dielectric constant, good thermal and chemical stability, excellent electrical properties, and good gas sensing. Over the past decades, Ga₂O₃-based gas sensors experienced rapid development. The long-term stable Ga₂O₃-based gas sensors for detecting oxygen and carbon monoxide have been commercialized and renowned with extremely good gas sensing characteristics. Recent pioneering studies also exhibit that the Ga₂O₃-based gas sensors possess great potentials in applications of detecting nitrogen oxides, hydrogen, volatile organic compounds and ammonia gases. This article presents recent advances in gas sensing mechanism, device performance parameters, influence factors, and applications of Ga₂O₃-based gas sensors. The impacts of influence factors, doping, material structure and device structure on the performance of gas sensors are discussed in detail. Finally, a brief overview of challenges and opportunities for the Ga₂O₃-based gas sensors is presented.     

去除放射性废水中铯的研究进展

随着核工业的发展,放射性废水的处理日益引起人们的重视。对处理含铯放射性废水常用的化学沉淀法和离子交换法的研究进展进行了综述,介绍了几种国内外研究新方法,指出以过渡金属亚铁氰化物和钛硅酸盐为离子交换剂的离子交换法是具有发展前景的含铯废水处理方法。     

柔性可降解压力传感器关键制备材料的研究进展

目前,大多数柔性压力传感器采用不可降解材料制备,导致在使用完成后无法处理,堆积过多成为电子垃圾,给环境带来很大压力。随着科学技术的发展,可降解材料的出现为柔性压力传感器的变革提供了巨大的机会。基于可降解材料制备的柔性压力传感器由于在个人健康管理、医疗监控、环境监测等领域发挥着重要作用,且在减少电子垃圾,缓解环境问题方面具有巨大潜力,已成为当今的研究热点。基于此,本文从柔性可降解压力传感器的关键制备材料出发,将柔性可降解压力传感器分为基于可降解聚合物基底的柔性压力传感器、基于可降解导电材料的柔性压力传感器以及基于聚合基底和导电材料双降解的柔性压力传感器,并对三类柔性可降解压力传感器的国内外研究进展进行了综述。首先,简单介绍了柔性可降解压力传感器关键制备材料的种类及传感器的制备过程;其次,对每种类型传感器的优缺点及应用领域进行了总结;最后,指出了柔性可降解压力传感器目前存在的问题及今后的发展趋势,以期为柔性可降解压力传感器的开发和应用提供参考。     

钼污染水体处理技术研究进展

钼是一种重要的稀有金属,但近年来钼污染频发,对生态环境安全和人体健康造成了严重的影响。本文综述了目前国内外对环境中钼污染的处理技术(包括人工湿地法、化学沉淀法、离子交换法及吸附法),详细介绍了各种技术的处理效果、影响因素及相关模型。人工湿地虽能将钼分离出水体,但含有钼的基质和功能植物存在污染转移等不可控风险;化学沉淀法对中低浓度污水的去除效果较好,但剩余污泥较难处理,不能被循环利用;离子交换法能有效将污钼分离出水体,并通过解吸实现树脂多次利用,但树脂适应性较差,对pH值等反应控制条件要求较高;传统材料为主的吸附法使用廉价材料富集污染物质,但存在二次污染的问题。最后指出钼污染处理的新型功能材料将向低成本和资源化的方向发展,铁基材料具有较好的前景。     

Characterization of capacitive humidity sensors based on doped poly(propargyl-alcohol)

Films of poly(propargyl alcohol) (POHP), doped with both sulphuric acid and iron trichloride, were deposited on interdigitated gold electrodes. Their electrical properties were examined as a function of percentage relative humidity. The devices showed low-frequency capacitance linearly dependent on RH% with good response time, and are proposed as possible capacitive humidity sensors.     

去除放射性废水中锶的研究进展

随着核技术的广泛使用,人们越来越关注核废水的处理。对近年来含锶废水的处理方法进行总结,详细说明了化学沉淀法和离子交换/吸附法在除锶方面的研究进展,并指出多种处理技术联合使用将取得较好效果。