用超短光脉冲测量半导体微波器件的S参数

描述了用超短光脉冲测量微波器件Ｓ参数的基本原理和建立的测量系统。用该系统测量了频率高达３６ＧＨｚ器件的Ｓ参数，并同网络分析仪的测量结果进行了比较，一致性很好。该系统测量频率可达１００ＧＨｚ。     

微波单片集成电路测试技术研究

单片机集成环境主要应用于无线通信、雷达、电子测量等行业,近年来随着设备的发展,对机器的需求增加,对可靠性的要求也提高了.单片有源微波项目在国内尚处于起步阶段,没有相关的方法[1].为了防止这种情况,该文通过测量有源损耗、1 dB压缩点、单组件侧分贝和放大器以及射频开关等关键参数来探索有源单片集成设备和微波测试技术.     

频率测量单片集成电路的研究

介绍了等精度测频的基本原理,以此为基础,设计了一种用于测量射频信号频率的单片集成电路.着重阐述了频率测量单片集成电路的构成和高频信号转换电路的设计.该电路芯片在0.18μm CMOS标准工艺线上完成了制作,封装于CQFP48中.经测试,测频范围可达40～1500 MHz,测频误差小于0.8 MHz,功耗小于100 mW.     

利用光电导开关的光电子相关测量

本文在实验的基础上,提出了光电导开关等效时变电导的新表达式。据此分析了光电导开关在高速脉冲的产生和取样以及在光电子相关测量中的特性。分析的结果与实验基本一致,为将来利用光电子相关方法测量电子器件打下了基础。在实验中采用较为简单的工艺,获得光电导开关的上升时间为100ps。相信,只要增加离子轰击处理,上升时间可望达到10ps。     

用半导体激光器超高速电光采样技术测量微波信号

利用半导体激光器作为采样光源的超高速电光采样测试系统(时间分辨率最高可达16.7ps,电压灵敏度为0.26mVHz~(-1/2)).测量了1～5GHz的微波信号和同轴电缆传输线的色散展宽.     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针,对GaAs单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选,测得芯片频率响应带宽为3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪.检测了GaAs单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形.     

Bi12Sio20晶体暗电阻率与光电导率的测量

Bi_(12)SiO_(20)晶体是光电导电光晶体,主要用于体全息存储。它的暗电阻率与光电导率又是表征其存储特性的指标之一。 本文介绍Bi-(12)SiO_(20)晶体的暗电阻率与光电导率的测量方法和本所晶体之测量结果。表明本所研制的Bi-(12)SiO-(20)晶体与国外的水平相当。 本法简单可靠、易推广。     

共面紧凑型微波光子晶体在共面波导中的应用

提出一种地平面刻蚀共面紧凑型微波光子晶体(PBG)的共面波导结构,介绍了微波光子晶体的基本单元结构,并设计出具有90°弯折的共面波导样品.使用矢量网络分析仪测试该结构的散射参数,测量结果显示,其传输特性比普通的共面波导在高频部分具有较大的提高.同时,相比于传统的三维微波光子晶体,该结构具有导体损耗小,加工工艺简单,便于应用于光电封装和单片微波集成电路的特点.

Abstract：

A novel coplanar waveguide using coplanar compact microwave photonic-handgap (PBG) structure is proposed. The basic unit of microwave PBG structure is introduced and a waveguide sample with a 90 degree break is designed. Testing results obtained through vector network analyzer display an obvious promotion in transmission parameter, especially in the high frequency part. Meanwhile, compared with the common 3-dimension microwave PBG structure, this structure with a low conductor loss can be processed with standard planar fabrication technology, which makes it applicable in opto-electronic package and monolithic microwave integrated circuit (MMIC).     

微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展

对不同时代的单片微波集成电路(MMIC)的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结,并结合当前的研究与应用热点,重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径,并就今后发展的趋势做出展望.     

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

本文介绍了GaAs MMIC的可靠性研究与进展，重点介绍了工艺表征工具（TCV）、工艺控制监测（PCM）和统计工艺控制（SPC）等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术，为国内GaAs MMIC可靠性研究提供了新的思路。     

GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理

从可靠性物理角角度，深入分析了引起砷化镓微波单片机集成电路（GaAs MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理，明确了GaAs MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化，主要的失效部位是MMIC的有源器件。     

单片集成电路中镍—铬电阻的制作

本文介绍单片集成电路中采用高精度、高可靠性和低温度系数镍-铬金属薄膜电阻代替扩散电阻的情况,详细论述镍-铬电阻的制作工艺、操作过程及工艺中的注意事项。实验表明,严格控制工艺条件是保证制取优值镍-铬电阻的关键。     

速度检测专用芯片电路的设计

对具有周期性运动特点的物体，采用计量周期运动时间以及通过周期运动行程与周期运动时间的除法运算可获得其运动速度，本文所论述的就是基于这个思想而进行的一种检测速度的新型电路设计方法。该设计采用集成芯片电路的设计方法，电路可由单片集成电路实现。电路主要由周期计时电路、周期数据预置电路、运算电路及时钟和时序等电路构成。这种电路用于速度检测，具有检测范围广和检测精度高的特点，速度测量范围可覆盖三个数量级，电路处理误差小于千分之一。     

一种新型低功耗采样电阻短路保护电路设计

针对LED驱动电路中采样电阻短路时输出电流持续上升的问题,提出了一种新型的采样电阻短路保护电路。该电路应用于源极驱动模式的LED驱动电路中,在采样电阻短路时能及时关断芯片,有效防止了功率管因电流过大而损坏。与传统采样电阻短路保护电路相比,该新型电路结构简单,并且在提高精度的同时降低了功耗。通过仿真,验证了方案的可行性与优越性。     

一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路

介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.     

一种基于RTD和HEMT的单片集成逻辑电路

介绍了一种基于共振隧穿二极管(RTD)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片集成电路.采用分子束外延技术在GaAs底层上重叠生长了RTD和HEMT结构.RTD室温下的峰谷电流比为5.2∶1,峰值电流密度为22.5kA/cm2.HEMT采用1μm栅长,阈值电压为-1V.设计电路称为单稳态-双稳态转换逻辑单元(MOBILE).实验结果显示了该电路逻辑运行成功,运行频率可达2GHz以上.