0.25μm高精度T型栅制作工艺研究

基于双层胶i线光刻工艺,对0.25μm T型栅制作技术进行了优化,采用Relacs工艺处理方法缩短了栅长,满足了栅长精度要求,通过工艺优化解决了双层胶之间不同胶层间的互溶问题。通过优化制作流程,形成了工艺规范,解决了工艺中存在的一致性及稳定性差的问题,最终采用双层胶工艺制作成功形貌良好的0.25μm高精度T型栅。工艺优化结果表明,与其他0.25μm T型栅制作工艺方法相比,双层胶i线光刻工艺具有制作效率高和精度高的优点,基于其制作的T型栅结构有利于金属淀积和剥离,栅根及栅帽形貌良好,为GaAs及GaN 微波器件及MMIC制作提供了可靠的工艺技术。     

采用移相掩模技术制作深亚微米“T”型栅

介绍了在GaAs器件制作中,如何提高光刻细线条加工能力、制作深亚微米"T"型栅的工艺技术。该技术采用投影光刻和负性化学放大光刻胶,制作出0.18μm的"T"型栅GaAs PHEMT器件,栅光刻工艺采用了分辨率增强移相掩模技术。根据曝光工具简单介绍了当前GaAs器件中"T"型栅主要制作方法,讨论了"T"型栅制作中所使用的移相掩模原理以及该技术应用于GaAs器件制作的优势,并介绍了工艺制作过程。给出了所制作的"T"型栅扫描电镜剖面照片,并进一步试验、讨论和分析了采用该种移相掩模版进行光刻时所遇到的主要困难及解决方向。     

用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅

采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.     

用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅

采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光,分步显影,基本解决了不同胶层间互融的问题.该方法制作效率高,所制作的T型栅形貌好,头脚比例可控,基本满足器件制作要求.     

DUV投影光刻制作T型栅

描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术。该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅,突破了采用常规光学光刻时栅长的制作限制。介绍了GaAs器件在栅光刻时遇到的困难,描述了工艺制作过程,并讨论了该工艺技术中每步工艺的思路和采用的工艺原理。通过在6～18GHz GaAsP HEMT功率放大器制作中的应用,提高了器件性能及成品率,并给出了测试结果以及0.18μmT型栅的电镜图片。     

一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法

提出了一种新的 PMMA/ PMGI/ PMMA三层胶复合结构 ,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在 In PPHEMT材料上制作出高成品率的 T型纳米栅 .在曝光显影条件变化 2 0 %的情况下 ,In P HEMT成品率达到 80 %以上 ;跨导变化范围在 5 90～ 6 10 m S/ mm,夹断电压为 - 1.0～ - 1.2 V,器件的栅长分布均匀 .这种新的结构工艺步骤少 ,工艺宽容度大 ,重复性好 ,大大提高了纳米栅器件的成品率     

一种新的T型栅加工技术

研制出的ＰＨＥＭＴ采用一种新的０．１μｍＴ型栅制备方法。将薄膜的纵向可控变为横向可控，应用这一原理，对时间等参量进行控制，获得了０．１～０．３μｍ微细金属栅条，此工艺应用于３ｍｍＰＨＥＭＴ器件研制，器件的直流跨导大于４００ｍＳ／ｍｍ，微波性能在４０ＧＨｚ时，Ｇａｍａｘ达５．６７ｄＢ，特征频率ｆＴ可外推至７４ＧＨｚ，最高振荡频率ｆｍａｘ可达１３０ＧＨｚ。     

一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法

提出了一种新的PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅.在曝光显影条件变化20%的情况下,InP HEMT成品率达到80%以上;跨导变化范围在590～610mS/mm,夹断电压为-1.0～-1.2V,器件的栅长分布均匀.这种新的结构工艺步骤少,工艺宽容度大,重复性好,大大提高了纳米栅器件的成品率.     

0.1μm T型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件,并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=93.97GHz;gm=690mS/mm)．     

90 nm T型栅工艺在高频GaAs PHEMT MMIC中的应用

采用PMMA/P (MMA-MAA)/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌.利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构.通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的问题.开发了90 nm自对准双凹槽T型栅电子束三层胶光刻工艺技术.应用90 nm T型栅工艺制作了W波段GaAs PHEMT功率放大器及V波段GaAs PHEMT低噪声放大器.测试结果表明,在频率为90～96 GHz、源漏电压5V、栅源电压-0.3V、输入功率13 dBm时,功率放大器电路输出功率为20.8 dBm,功率增益为7.8dB;在频率为57～64 GHz、源漏电压2.5V、漏极电流55 mA时,低噪声放大器增益大于24 dB,带内噪声系数小于3.5 dB,验证了该工艺技术的可行性和可应用性.     

半导体光刻技术及设备的发展趋势

随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化。通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。     

C层包覆Ag纳米颗粒基底的表面增强拉曼散射研究

Ag纳米结构是最常用的表面增强拉曼散射(SERS) 活性基底,缺点是Ag的化学稳定性和 生物相容性比较差。为此,利用化学方法合成了一种新型的SERS活性基底—纳米碳层包覆的 Ag(Ag@C)纳米颗粒。利用透射电子显微镜(TEM)和紫外- 可见吸收光谱对制备的核壳结构纳米颗粒进行了表征,并研究了颗粒的SERS活性。结果表明 ,罗丹明6G(R6G)、结晶紫(CV)和孔雀石绿(MG)分子在Ag@C悬浮液中的SERS光谱强度 与在Ag胶中的SERS光谱强度相比显著增强。根据光谱 的变化规律推断,额外的增强来自于化学增强。由于C层的存在,相比于Ag纳米颗粒, Ag@C颗粒的化学稳定性和生物相容性都有所改进。