首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
主要讨论柔性制造系统(FMS)切削稳定性的在线监测方法,在研究FMS切削过程中振动信号变化规律的基础上[1],提出了用μa=E(a)/F(a)作为FMS切削稳定性的监测参数,并进行了理论分析和试验验证.  相似文献   

2.
本文叙述和讨论了一种方法,根据这种方法,可以在生产过程中从多层膜的透射系数测定中,确定电介质薄膜的折射率,按这种方法获得 CaF2,Na3A1F6,MgF2,ThF4,PbF2,Sb2O3,ZnS 和 ZnSe(这些材料的各种组合)的折射率。结果,与文献中所给出的数值基本一致。只有在极疏松的基膜上(如在 CaF2薄膜)所淀积的膜层,折射率明显地偏小.由此可以推断,从底层向表层存在一定疏松度的过渡.  相似文献   

3.
用改进的溶胶-凝胶法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了不同厚度的高度(111)取向的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜.运用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析了薄膜的微结构,原子力显微镜表明厚度为0.3μm和0.56μm的PZT薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度分别为0.2~0.3μm、2~3μm和0.92nm、34nm.0.3μm和0.56μm PZT薄膜的剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为32.2μC/2、79.9kV/cm, 27.7μC/cm2、54.4kV/cm;在频率100KHz时,薄膜的介电常数和介电损耗分别为539、0.066,821、0.029.  相似文献   

4.
本文讨论了简化 f(A1,…,An)=1的逻辑设计一种新方法.此方法为:解出满足 f(A1,…,An)=1=0的关系表达式组.然后,设计出实现此关系表达式组的逻辑线路,此线路与实现 f(A1,…,An)=1的逻辑线路等价.  相似文献   

5.
本文系统的讨论了应用于阿达马光谱术中的数据处理方法——快速阿达马变换。给出了:1.阿达马矩阵的构造方法。2.阿达马光谱术中矢量方程的建立。3.置换π12的构造。4.判别任意2n(n≥o)阶阿达马矩阵中任意元素Hμj的判别式的给出:Hμj=(-1)μn-1jn-1n-2jn-2+…+μ1j10j0。5.快速阿达马变换算式的建立。6.快速阿达马算法的验证。  相似文献   

6.
对两中心模型光折变晶体两波耦合增益系数Γ,总的有效陷阱密度Neff和强度特性因子η(I)的强度特性进行了理论研究。结果显示在两中心模型的光折变晶体中,Γ,Neff和η(I)有着复杂的特性。当SDγT/STγD小时,对于A类和B类两中心晶体,Neff随强度的增加而增加最终趋于饱和,当SDγT/STγD大时,对于A类晶体Neff增加到一个最大值后稍有减少,而对于B类晶体,Neff增加到最大值后然而有较大的减少。不同类型晶体增益系数Γ有着不同的强度特性是由于晶体中有着不同的能级结构。  相似文献   

7.
一、前言目前据我们所了解,在光学元件上镀三防膜,常用的方法有浸渍法、熏蒸法、手涂法、离心法[1]以及最近的射频法[2]等.这些方法都具有一定的优点,因此,至今国内外仍然用这些方法研究出各种三防膜.我们遵照毛主席“自力更生为主,争取外援为辅,破除迷信,独立自主地干工业、干农业,干技术革命和文化革命”的教导,在研究光学三防膜的过程中探索了真空蒸镀法.  相似文献   

8.
近年来国际上3He资源的短缺造成了基于3He的中子探测器高昂的成本,而以碳化硼薄膜作为中子转换层的硼基中子探测器逐渐成为了最有前景的替代方案。通过直流磁控溅射制备了Ti/B4C多层膜,并使用透射电子显微镜(TEM)、飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)、X射线光电子能谱(XPS)等手段对薄膜的结构与成分进行表征。结果表明:Ti层存在结晶情况;H、O、N元素为薄膜内部的主要杂质,且多分布于Ti层与B4C-on-Ti过渡层中;更高的本底真空度能够降低碳化硼薄膜内的杂质含量,提高B含量占比;中子探测效率测试结果证明本底真空度的提高能够有效提高碳化硼中子转换层的效率。  相似文献   

9.
全光谱配色的匀色空间权重因子方法   总被引:6,自引:0,他引:6  
在CIE 1976(L*a*b*)匀色颜色空间中,本文为全光谱匹配方法提供一种权重因子。这种权重因子使∑j[ΔE(λj)]2→min.实验结果表明,使用这种色差型权重因子进行计算机配色比Schmid和Strockash设计的两种权重因子效果好。  相似文献   

10.
本文给出采用As2S3薄膜材料征NaCl晶体表面上镀制保护膜及用交替的As2S3和BaF2(或SrF2)在NaCl基底上制备10.6微米分束板的技术。实验证明,As2S3对NaCl具有极好的保护性能,在50%的相对湿度下,仔细使用,可达半年之久而NaCl表面无发毛现象。在连续的100瓦级CO2激光器的辐射强度照射下(采用风冷却基底),膜层无损坏。  相似文献   

11.
在航空底片测试仪的运动过程中,底片张力的变化对底片的位移和定位精度影响很大,从而导致测试结果的稳定性.在对测试仪传动机构的运动学和动力学分析的基础上,建立了全数字闭环控制模型.为了实现张力的实时采样和控制,采用数字信号处理技术(DSP)控制底片在运动过程中的张力,使张力趋于设定的最佳值.使得测试仪获取稳定的、真实的图像数据,为正确测评航空感光胶片成像质量提供了基础.实验结果表明底片平均移动速度最高可达到23m/min;张力设定范围是Fmin=0N,Fmax=30N;张力变化控制量为ΔF=±0.05N;重复定位精度为±10μm;满足了设计要求.  相似文献   

12.
本文综述了各种氧化硅棚在薄膜中的性质,同时较充分地讨论SiO和Si2O3膜的性质与化学和结构变化的关系。  相似文献   

13.
《光学精密工程》1992,(4):104-115
铌酸钆(GdNbO4)的结构是畸变的白钨矿结构,单斜晶系.稀土离子处在 C2对称格位上,因此5D07F1(或7F0-5D1)跃迁应该是三重(2J+1)劈裂.实际观察到5D07F1(j=1,2,3)跃迁荧光谱线数目是与基质晶格的完整性和热振动有关.6D07F2电偶极跃迁(611nm)荧光强度与激发波长有关.  相似文献   

14.
提供一种以Al2O3—ZrO2—MgF2三层减反膜为基础,应用非均匀的中间层,实现消色差宽带减反射,将玻璃表在可见区小于0.5%反射的带宽增加到400mμ的方法.文中描述了该膜系的设计思想及其近似计算方法.系统地研究了膜系的各种光学性质.介绍了若干膜系和实例的制备工艺要点.给出了理论计算和实验结果的有关数据和讨论.  相似文献   

15.
本文叙述光学薄膜新材料。研制了用于电子束蒸发技术上的氧化锆,氧化钛,氧化铈和氧化铪(成为以各种大小的黑片或锥体形式).这些材料将氧耗尽并在蒸发期间均匀溶化得到重复蒸发特性。叙述了用来制备折射率膜层的含有 ZrO2和 ZrTiO4组成的新混合物。也叙述了物质蒸发条件和混合物薄膜特性。折射率在500nm 是2.15。透射比范围是0.4-7微米。膜层光学均匀性很好。也叙述了在三层抗反射膜层中这种混合物膜层的应用。  相似文献   

16.
本工作利用IR、Raman、X-ray, RTEMDTA技术首次研究了Al(PO3)3-N3BF4-AIF3系统玻璃的基本性质与结构特点, 得出了分相机理及分相与晶化之间关系.实验结果指出, 该系统在高磷区基本保持偏磷酸盐结构.随着A1(PO3)3含量降低, 结构逐渐由偏磷酸盐向焦磷酸盐变化.该系统的分相属成核生长机理, 粒子长大服从扩散机制.分相导致整体析晶.  相似文献   

17.
采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构。通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质。测试结果显示,在1 064 nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收。把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06 μm激光的被动调Q和被动锁模运转。与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲。最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理。  相似文献   

18.
在彩色摄影、彩色电视技术中,常常借助于色温变换滤光片来变化所用光源的色温[1].已经证明色温片的特性与起始色温无关,只和mired变换有关[2].  相似文献   

19.
1.前言减反射膜、高通、低通、带通滤光器等所谓改变光谱分布的滤光器之类,就是在紫外,可见,红外区域采用光学薄膜的特殊之应用.关于它的应用方面,日文已有许多说明与报导[1-5],关于从紫外区到红外区光学薄膜最近的应用,藤原的综合报告较好[6].  相似文献   

20.
在六十年代多谱带遥感的出现[1]引起了可能作为探测工作应用的兴趣,提供信息为民用和军用画制地图或特种目的专用地图.因此美国陆军工程地形图试验室着手一个计划研究和交替使用求得这技术的最佳化.研究过程中为了评价多谱带成象用于制图的各种可能性,有几个理由决定现有多谱带象机和多谱带扫描器是不适用的.常规多透镜或多相机照相系统[2,3]当应用加色法[4]显示不同谱带的象时主要缺陷便明显.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号