VxWorks下多串口卡驱动程序设计

以基于OX16PCI958串口芯片的多串口卡驱动为例,分析了VxWorks串口驱动的层次和机理,研究了tty驱动和底层SCC驱动的工作原理。通过对基于OX16PCI958芯片的多串口通信驱动程序的实际编写与参数定制,给出了PPC体系结构微处理器的串口驱动程序设计基本方法、步骤,并指出了该方法对基于VxWorks的安全平台实现高速串行数据通信及安全处理的实用价值。     

基于STC90C58串行数据采集系统设计

介绍了一种通过RS232总线的串行数据采集传输系统,用STC90C58构成下位机数据采集电路,采用串口中断方式与上位PC机通信,可实现数据实时或非实时采集、示波、存储等功能,并介绍了上下位机软件及设计方法.     

COMTROL多串口产品及技术

在计算机技术不断发展的今天，数据的采集、终端设备的使用、远程访问都离不开串口通信。但一般计算机的标准配置中只有两个串口，当终端设备或要采集的数据源多于两个时，计算机上的串口就不够用了。这样，多串口卡应运而生。如在电信部门、ＰＯＳ系统、银行ＡＴＭ系统、自动加油站、ＩＳＰ、传真存转业务、工业自动化等方面，乡串口卡发挥着巨大的作用。但目前市面上的多串口卡多为ＩＳＡ卡，安装过程中必须为其分配Ｉ／Ｏ地址，在计算机安装卡件比较多的情况下，往往容易产生Ｉ／Ｏ地址冲突。另外，为了降低计算机负载，几乎所有的智能型多串口卡都在板上设置了共享内存，这样，在安装时不得不为每个串口分配内存地址，有的时候会和别的硬件或软件产生内存冲突。此外，在安装时必须设置的ＩＲＱ中断也很令人头疼。更糟糕的是，许多串口卡在多路同时通信时往往达不到其所宣称的速率，而且在数据量大的情况下会造成数据丢失，工作不稳定，甚至死机。现在，中国市场上又出现了一种新的产品──美国Ｃｏｍｔｒｏｌ公司所研制的ＲｏｃｋｅｔＰｏｒｔ系列多串口卡，使这些问题迎刃而解，让用户彻底摆脱了多串口通信中所遇到的各种烦恼。Ｃｏｍｔｒｏｌ公司是世界上第一个生产多串口卡的厂商，早在１９８２年...     

基于多串口通信的大气参数实时数据采集系统

在大气参数实时数据采集系统设计中,需要同时使用多个串口从传感器中采集多个大气参数。介绍了在VC++6.0中,如何利用MSComm控件实现多串口通信,将经过预处理的数据从串行口RS232接受到计算机中,并完成采集数据的显示、存储和传输功能,实现从多个串口采集数据的同步处理。该方案简单实用、成本较低、可靠性高。通信部分采用UDP/IP协议。     

嵌入式VxWorks实时操作系统的多串口通信的实现

VxWorks是一种由WindRiver公司开发的实时操作系统,可通过I/O控制函数Ioctl()对串口参数进行选择,通过Select宏实现对串口数据读写与监测。通过配置头文件中相应的配置宏来实现该系统的串口通信。并以DOS平台为例,介绍基于DOS平台的嵌入式VxWorks系统的多串口通信的实现方式以及串口通信的编程方法。     

VxWorks下的多串口卡设计

针对目前通信系统中串口通信,论述了基于嵌入式操作系统Vxworks扩展多个串口以进行实时通信的设计方案,给出了硬件设计核心单元以及串口扩展单元实现原理、软件多任务交互以及通信设计流程,并对多串口卡的实时性处理、程序的模块化设计进行了详细分析。通信测试结果表明该设计提高了CPU利用率和软件效率,扩展了通信范围。     

基于VxWorks的某监控中心通信任务的设计与实现

本文介绍了基于 VxWorks 的某监控中心通信任务的设计与实现,重点阐述了在该系统通信协议的框架下如何实现串口通信功能以及任务间的通信机制在设计中的具体应用。     

基于单片机的高精度信号采集系统设计

介绍一种以单片机作为下位机采集数据,并经RS232串口传输到上位机--计算机的数据采集系统的实现方法.在VB开发环境下,运用VB提供的通信控件,实现PC机与89C51单片机之间的串行通信,并对采集的数据进行实时图形化显示、处理,存储等功能并给出硬件结构图和软件流程图.     

基于ARM微处理器的串口设备测试仪

许多通信设备如通控机、数话同传机、电台等通过串口进行数据转发,各通信设备室之间通过无线或有线方式通信,通信的中断需要及时找出故障的原因,设计开发串口设备测试仪对出现问题的通信设备或链路进行定位。引入嵌入式操作系统μC/OS-Ⅱ,满足多个串口数据采集的实时性要求,利用CAN总线传输距离远的特点完成数据的汇总与转发,并设计监视任务实时监控系统的运行,使系统可靠性和稳定性得到了较好的解决。     

VxWorks下串口通信程序设计与实例

本问讨论了在嵌入式实时操作系统VxWorks下结合PowerPC平台实现串口通信的相关技术,给出了基本原理和程序示例。详细介绍了串口设置时每个参数的配置方法及作用。     

Vanadium-based ohmic contacts to n-type Al<Subscript>0.6</Subscript>Ga<Subscript>0.4</Subscript>N

Four vanadium-based contacts to n-type Al_0.6Ga_0.4N were compared in this work. Both V/Al/Pd/Au and V/Al/V/Au contacts with optimized layer thicknesses provided lower specific-contact resistances than did the previously reported V/Al/Pt/Au ohmic contact. Specific contact resistances of the V/Al/Pd/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) and V/Al/V/Au (15 nm/85 nm/20 nm/95 nm) contacts were 3×10⁻⁶ Ω·cm² and 4×10⁻⁶ Ω·cm², respectively. On the other hand, an analogous V/Al/Mo/Au contact never became ohmic, even after it was annealed at 900°C for 30 sec. Compared to the V/Al/Pd/Au contact, the V/Al/V/Au contact required a less severe annealing condition (30 sec at 700°C instead of 850°C). The V/Al/V/Au contact also provided a smoother surface, with a root-mean-square (RMS) roughness of 39 nm.     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件及SPDT开关MMIC

利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得了优越的DC和RF性能,Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au MHEMT器件的gm为502(503)mS/mm,JDss为382(530)mA/mm,VT为0.1(-0.5)V,fT和fmax分别为13.4(14.8),17.0(17.5)GHz.利用单片集成增强/耗尽型GaAs基MHEMT器件制备出九阶环型振荡器,直流电压为1.2V时,振荡频率达到777.6MHz,门延迟时间为71.4ps.利用Ti/Pt/Au MHEMT器件设计并制备出了DC-100Hz单刀双掷(SPDT)关MMIC,其插入损耗、隔离度、输入输出回波损耗分别优于2.93,23.34和20dB.     

多媒体通信中基于ABR业务的融入凭证方式的速率控制机制

提出了一种融入基于凭证方式的基于速率的流量控制模型，该模型继承了基于凭证方法的记数机制，通过设定高低缓存门限和调节速率升降因数来控制源端速率。仿真结果表明，这种控制机制不仅能够保证缓存的充分利用，而且能够提高其在减少信元丢失、降低传输时延等方面的性能。     

WLAN工程设计

本文就WLAN工程设计提出了带有普遍意义的概念,包含室内覆盖、室外覆盖、室外(视距内)无线桥接。并就无线侧的规划、优化进行了浅析。     

一种适用于科研单位的混合组网方式

本文基于网络逻辑隔离概念,利用业务随行、VxLAN和SDN等网络新技术进行网络架构规划,在减少基础建设投资的前提下,通过精准逻辑隔离的方式对科研单位的办公网、科研网和数据中心网络进行整体架构设计.该方式在不能单独组网(传统物理隔离)的条件下实现了网络终端、服务器、试验装置的访问可控和权限可控,可保障科研单位的整体网络运...     

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.     

面向全业务运营的城域传送网的建设

本文首先展望了全业务的发展,然后主要阐述为了满足全业务接入需求,城域传送网的建设方案。     

企业级数据存储解决方案浅析

介绍了目前企业级数据存储的3种解决方案，并对其中的2种主流方案进行详细对比和分析。