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相似文献
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1.
彗星分析法检测γ射线诱导的人肝癌细胞DNA链断裂   总被引:3,自引:0,他引:3  
以人肝癌SMMC-7721细胞为材料,用慧星分析法研究了γ射线诱导的DNA链断裂,结果表明,随着剂量的增加,慧星逐渐变长,慧尾的细胞数也越来越多;慧尾与慧头的长度比和面积比与剂量成线性正相关,尤以长度比随剂量的增加变化为明显,可反映γ射线诱导的DNA链断裂程度。  相似文献   

2.
电离辐射致DNA双链断裂研究方法及统计模型   总被引:1,自引:1,他引:0  
DNA既是生命物质中信息的载体,也是辐射生物效应最主要的靶分子.电离辐射通过射线的直接作用和间接作用引起DNA分子的多类型损伤,其中DNA双链断裂(Double-strand breaks,DSB)是辐射引起的各种生物效应中最重要的原初损伤之一,成为辐射生物学研究的重点.目前DSB研究的主要方法包括拉曼光谱技术、原子力显微镜、单细胞凝胶电泳、脉冲场凝胶电泳、γH2AX分析技术、早熟染色体凝集等,研究DSB的统计模型包括随机断裂模型、Moment法、Tsallis熵模型、平均分子量法,在此均得到总结,最后探讨了DSB辐照热点的研究前景.  相似文献   

3.
电离辐射诱发体内旁效应的初步研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
探讨孕鼠受γ射线照射对旁效应器官胎鼠脑组织神经发育的影响。将怀孕的昆明小鼠随机分为7组:空白对照组、0.5 Gy全身照射组、0.5 Gy头部照射组、1.0 Gy全身照射组、1.0 Gy头部照射组、2.0 Gy全身照射组及2.0 Gy头部照射组。照射组用60Co治疗机对实验小鼠于孕9 d单次急性垂直照射,于孕18 d取胎鼠脑组织,用酶联免疫吸附法(Enzyme linked immunosorbent assay,ELISA)测定胎脑组织中乙酰胆碱酯酶(Acetylcholinesterase,AchE)及乙酰胆碱(Acetylcholine,Ach)的含量。结果显示,与空白对照组比较,0.5 Gy和1.0 Gy头部照射组胎脑Ach含量显著性降低(p0.05);2.0 Gy头部照射组胎脑AchE及Ach含量均显著性降低(p0.05);0.5 Gy全身照射组胎脑AchE含量明显升高(p0.05);2.0 Gy全身照射组胎脑AchE及Ach含量均显著性降低(p0.05)。孕鼠急性头部受照,电离辐射能够诱发体内旁效应,其胎脑效应类似孕鼠急性全身照射后胎脑效应。  相似文献   

4.
电离辐射能够造成DNA分子的损伤(如改变碱基、链断裂和分子交联等)、抑制DNA合成和增强DNA分解等,进而会影响DNA自组装技术构建的纳米结构构型的变化,利用这一性质可用于电离辐射的检测。本文主要介绍了DNA自组装技术在结构和动态两方面的最新进展,并对DNA自组装技术在电离辐射检测中的应用,尤其是DNA拼块自组装纳米结构用于α粒子和β粒子辐照的高灵敏检测器等领域的最新进展进行了综述。  相似文献   

5.
简要介绍了国内近10年来在细胞辐照效应方面取得的进展,包括辐射源、检测技术和损伤机理等,也提出了在该学科当前的研究热点和普遍感兴趣的方向,认为加强各学科的合作,深入损伤机理的研究是当前的重点.  相似文献   

6.
4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流   总被引:5,自引:0,他引:5  
余学锋  任迪远 《核技术》1997,20(1):24-28
研究分析了4000系列CMOS器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特性及其与加固水平的关系,探讨了辐射感生静态功耗电流,其中特别是场氧化层漏电流的加固抑制方法。  相似文献   

7.
Alterations of mitochondria DNA (mtDNA) 4977 bp common deletion (CD) and mtDNA copy number induced by ionizing radiation were observed in human different cell lines and total body irradiation patients. However, only few experiments have evaluated the levels of the CD and mtDNA copy number in human peripheral blood exposed to ionizing radiation till now. The aim of this study is to analyze the mtDNA alterations in irradiated human peripheral blood from healthy donors as well as to explore their feasibility as biomarkers for constructing new biodosimeter. Peripheral blood samples were collected from six healthy donors, and exposed to 6~Co gamma ray with the doses of 0 Gy, 1 Gy, 2 Gy, 3 Gy, 4 Gy and 5 Gy. Levels of the CD and mtDNA copy number in irradiated samples after 2h or 24h incubation were detected using TaqMan real-time PCR, and the CD ratio was calculated. The results showed that the mean of the CD ratio and the CD copy number exhibited a dose-dependent increase 2 h in the dose range from 0-5 Gy, and of the mtDNA copy number significantly increased 24 h in irradiated groups compared with 0 Gy group after irradiation. It indicates that the parameters in human peripheral blood may be considered as molecular biomarkers to applying construction of new biodosimeter.  相似文献   

8.
电离辐射诱导BALB/c小鼠骨髓细胞基因表达谱的研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
利用基因芯片技术研究了辐射后小鼠骨髓细胞基因表达谱的变化。结果发现在芯片上8079个基因中,有660个基因的表达有明显差异,其中354个基因的表达量增高,306个基因的表达量下降。在差异基因中功能或部分功能已知基因有222个,对其中差异2.5倍以上基因进行分析,发现表达差异基因涉及细胞凋亡、细胞周期、信号转导、免疫与应激、核酸合成、转运蛋白与通道蛋白等多个方面,其中以信号转导和免疫应激相关基因所占比例较多,反映出辐射对细胞损伤的多靶点、多层次及多通路的特点,深入研究这些辐射相关基因在造血辐射损伤中的作用,可为放射病治疗、肿瘤放疗提供新的靶点和方法。  相似文献   

9.
为了研究电离辐射对神经干细胞分化的影响,用无血清培养技术对神经干细胞进行培养,在传代后将神经干细胞分为4组,分别用0Gy、0.5Gy、1Gy、2Gyγ射线进行照射,在不撤除EGF、bFGF条件下对细胞进行培养,7d后用免疫荧光方法对细胞进行巢蛋白(Nestin)检测。用同样的方法对神经干细胞进行照射,在培养基撤除EGF和bFGF后,用免疫荧光对神经元特异性烯醇化酶(NSE)、神经胶质纤维酸性蛋白(GFAP)进行检测。培养的神经干细胞在经一定剂量射线照射后,与空白对照组比较,nestin阳性细胞较未经照射的细胞阳性率降低;经过照射的神经干细胞分化为神经元细胞的比例较未经照射的细胞增加。结果表明,电离辐射具有诱导神经干细胞分化的作用。电离辐射使神经干细胞分化为神经元的比例增加。  相似文献   

10.
为探讨短波紫外线(Ultraviolet C,UVC)对枯草芽孢杆菌基因组DNA的损伤效应,探讨研究方法和材料对结果的影响,以枯草芽孢杆菌为研究材料,分别对其菌体样品及DNA样品进行不同剂量的UVC辐照,采用8h、16h、24h脉冲场凝胶电泳分离DNA片段。结果发现,16h脉冲场凝胶电泳最能反映DNA的双链断裂程度。对16h电泳图进行数据分析发现,随UVC辐照剂量的增大DNA释放百分比递增;菌体样品在辐照剂量17.8J/cm^2处其DNA双链断裂产额最大,而DNA样品的最大双链断裂产额出现在辐照剂量为72.7J/cm^2处;另外,同辐照剂量下菌体样品的释放百分比和菌体DNA双链断裂产额均高于DNA样品。结果表明,UVC诱导的枯草芽孢杆菌DNA双链断裂程度与辐照剂量及辐照样品密切相关。  相似文献   

11.
注F MOS电容的电离辐射效应   总被引:6,自引:2,他引:4  
张国强  赵元富 《核技术》1993,16(6):365-369
对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注量范围是5×10~(14)—2×10~(16)F/cm~2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO_2界面和SiO_2中的行为将直接影响MOS器件的辐照效应,而F的行为依赖于F注入的工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。  相似文献   

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